公开(公告)号：US4978915A

公开(公告)日：1990-12-18

申请号：US432947

申请日：1989-11-07

申请人： John M. Andrews, Jr. ,  Nadia Lifshitz ,  Gerald Smolinsky

发明人： John M. Andrews, Jr. ,  Nadia Lifshitz ,  Gerald Smolinsky

IPC分类号： G01R31/01 ,  G01R31/26

CPC分类号： G01R31/016 ,  G01R31/2639

摘要： The TVS method is a voltammetric method for detecting mobile ionic impurities in the dielectric layer of a MOS capacitor structure. Disclosed here is a method of semiconductor device fabrication involving a modified TVS method in which the voltage is changed in discrete steps rather than varied continuously, and charge, rather than induced current, is measured. The modified TVS method can be faster than conventional TVS, and calibration is unnecessary.

摘要翻译： TVS方法是用于检测MOS电容器结构的电介质层中的移动离子杂质的伏安法。 这里公开了一种半导体器件制造方法，其涉及改进的TVS方法，其中电压以离散步长改变而不是连续变化，并且测量电荷而不是感应电流。 改进的TVS方法可以比传统的TVS更快，并且校准是不必要的。

公开(公告)号：US4938847A

公开(公告)日：1990-07-03

申请号：US395929

申请日：1989-08-18

申请人： John M. Andrews, Jr. ,  Nadia Lifshitz ,  Gerald Smolinsky

发明人： John M. Andrews, Jr. ,  Nadia Lifshitz ,  Gerald Smolinsky

IPC分类号： G01N27/12 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/3105 ,  G01N27/121

摘要： Disclosed is a method of semiconductor device fabrication involving the detection of water in a dielectric layer that is part of the body of such device. At relatively high values of a voltage applied across the dielectric layer, water that is present in the dielectric decomposes and releases protons. Varying the applied voltage gives rise to a displacement current. The released protons contribute an ionic component to the displacement current. The ionic component is detected.

摘要翻译： 公开了一种半导体器件制造方法，其涉及在作为这种器件的主体的一部分的电介质层中的水的检测。 在施加在电介质层上的相对较高的电压值下，介电层中存在的水分解和释放质子。 改变施加电压会产生位移电流。 释放的质子对位移电流贡献离子成分。 检测离子成分。

公开(公告)号：US4826709A

公开(公告)日：1989-05-02

申请号：US161876

申请日：1988-02-29

申请人： Vivian W. Ryan ,  Gerald Smolinsky

发明人： Vivian W. Ryan ,  Gerald Smolinsky

IPC分类号： C03C3/06 ,  H01L21/316 ,  B05D3/12

CPC分类号： C03C3/06 ,  H01L21/316 ,  C03C2201/02 ,  C03C2201/10 ,  C03C2201/28 ,  C03C2203/20

摘要： A sol-gel process is utilized for producing silicon oxide glasses useful in the manufacture of devices such as semiconductor devices. These glasses are easily deposited by techniques such as spinning. Not only is the glass easily applied, but also has advantageous electrical, etching, and mechanical properties. Thus, these glasses are useful in applications such as passivating layers for integrated circuit devices and as intermediary layers in trilevel lithography for the production of such devices.

摘要翻译： 溶胶 - 凝胶法用于生产用于制造诸如半导体器件的器件的氧化硅玻璃。 这些玻璃容易通过旋转技术沉积。 不仅玻璃容易应用，而且具有有利的电，蚀刻和机械性能。 因此，这些玻璃在诸如用于集成电路器件的钝化层和用于制造这种器件的三层光刻中的中间层的应用中是有用的。

公开(公告)号：US4481049A

公开(公告)日：1984-11-06

申请号：US585850

申请日：1984-03-02

申请人： Elsa Reichmanis ,  Gerald Smolinsky

发明人： Elsa Reichmanis ,  Gerald Smolinsky

IPC分类号： G03F7/26 ,  G03C5/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/075 ,  G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/30 ,  B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C03C25/06

CPC分类号： G03F7/0758 ,  G03F7/094 ,  Y10S438/948

摘要： Excellent resolution in the lithographic fabrication of electronic devices is achieved with a specific bilevel resist. This bilevel resist includes an underlying layer formed with a conventional material such as a novolac resin baked at 200.degree. C. for 30 minutes and an overlying layer including a silicon containing material such as a silicon derivative of poly(methyl methacrylate). This bilevel resist has the attributes of a trilevel resist and requires significantly less processing.

摘要翻译： 使用特定的双层抗蚀剂实现了电子器件的光刻制造中的优异分辨率。 该双层抗蚀剂包括由常规材料形成的下层，例如在200℃下烘烤30分钟的酚醛清漆树脂，以及包含含硅材料如聚（甲基丙烯酸甲酯）的硅衍生物的上覆层。 这种双层抗蚀剂具有三层抗蚀剂的性质，并且需要显着更少的加工。

公开(公告)号：US4988405A

公开(公告)日：1991-01-29

申请号：US454088

申请日：1989-12-21

申请人： Edward P. Martin, Jr. ,  Ronald J. Schutz ,  Gerald Smolinsky

发明人： Edward P. Martin, Jr. ,  Ronald J. Schutz ,  Gerald Smolinsky

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31055 ,  H01L21/31111

摘要： Smoothing irregularities in a surface is accomplished by a wet-etchback technique. In this technique, a polysilicate composition is formed on a nonplanar substrate such as the surface of an integrated-circuit wafer. The polysilicate is etched away and the etching is continued into the underlying surface. As a result, a substantial smoothing of the surface is obtained.

公开(公告)号：US4708884A

公开(公告)日：1987-11-24

申请号：US875475

申请日：1986-06-18

申请人： Edwin A. Chandross ,  Robert E. Dean ,  Patrick K. Gallagher ,  Roland A. Levy ,  Frank Schrey ,  Gerald Smolinsky

发明人： Edwin A. Chandross ,  Robert E. Dean ,  Patrick K. Gallagher ,  Roland A. Levy ,  Frank Schrey ,  Gerald Smolinsky

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  B05D3/14

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31612

摘要： Conformal layers of a silicon oxide, such as silicon dioxide, are deposited at temperatures below 600 degrees C. through the decomposition of compounds such as diacetoxyditertiarybutoxysilane. The required temperatures do not significantly affect temperature-sensitive structures. Therefore, it is possible to form silicon oxide regions in the processing of devices having these structures. More generally, lowered-temperature processing can be applied to the deposition of other materials which include silicon oxide. For example, borophosphosilicate glasses can be deposited by chemical vapor deposition processing involving flash-evaporation of a mixture of liquid precursor reagents.

摘要翻译： 诸如二氧化硅的氧化硅的保形层在低于600℃的温度下通过诸如二乙酰氧基二乙氧基丙氧基硅烷的化合物的分解沉积。 所需温度不会对温度敏感结构产生显着影响。 因此，可以在具有这些结构的器件的处理中形成氧化硅区域。 更一般地，降温处理可以应用于包括氧化硅的其它材料的沉积。 例如，硼磷硅酸盐玻璃可以通过化学气相沉积处理进行沉积，包括闪蒸蒸发液体前体试剂的混合物。

公开(公告)号：US4597985A

公开(公告)日：1986-07-01

申请号：US722433

申请日：1985-04-15

申请人： Edwin A. Chandross ,  Robert E. Dean ,  Gerald Smolinsky

发明人： Edwin A. Chandross ,  Robert E. Dean ,  Gerald Smolinsky

IPC分类号： C23C16/40 ,  H01L21/316 ,  B05D3/14

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31612

摘要： Conformal layers of a silicon oxide, such as silicon dioxide, are deposited at temperatures below 600 degrees C. through the decomposition of compounds such as diacetoxyditertiarybutoxysilane. The required temperatures do not significantly affect temperature-sensitive structures. Therefore, it is possible to form silicon oxide regions in the processing of devices having these structures.

摘要翻译： 诸如二氧化硅的氧化硅的保形层在低于600℃的温度下通过诸如二乙酰氧基二乙氧基丙氧基硅烷的化合物的分解沉积。 所需温度不会对温度敏感结构产生显着影响。 因此，可以在具有这些结构的器件的处理中形成氧化硅区域。