公开(公告)号：US08987059B2

公开(公告)日：2015-03-24

申请号：US13571264

申请日：2012-08-09

申请人： Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Te-Hao Lee ,  Jiou-Kang Lee ,  Chung-Hsien Lin

发明人： Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Te-Hao Lee ,  Jiou-Kang Lee ,  Chung-Hsien Lin

IPC分类号： H01L21/50 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00515 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/035 ,  H01L2224/11

摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device may include a MEMS structure over a first substrate. The MEMS structure comprises a movable element. Depositing a first conductive material over the first substrate and etching trenches in a second substrate. Filling the trenches with a second conductive material and depositing a third conductive material over the second conductive material and the second substrate. Bonding the first substrate and the second substrate and thinning a backside of the second substrate which exposes the second conductive material in the trenches.

摘要翻译： 微机电系统（MEMS）装置可以包括在第一基板上的MEMS结构。 MEMS结构包括可移动元件。 在第一衬底上沉积第一导电材料并蚀刻第二衬底中的沟槽。 用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上沉积第三导电材料。 将第一基板和第二基板接合并使第二基板的背面变薄，从而在沟槽中露出第二导电材料。

公开(公告)号：US20130168852A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：US13571264

申请日：2012-08-09

申请人： Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Te-Hao Lee ,  Jiou-Kang Lee ,  Chung-Hsien Lin

发明人： Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Te-Hao Lee ,  Jiou-Kang Lee ,  Chung-Hsien Lin

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/50

CPC分类号： B81C1/00515 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00293 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/014 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0145 ,  B81C2203/035 ,  H01L2224/11

摘要： A microelectromechanical system (MEMS) device may include a MEMS structure over a first substrate. The MEMS structure comprises a movable element. Depositing a first conductive material over the first substrate and etching trenches in a second substrate. Filling the trenches with a second conductive material and depositing a third conductive material over the second conductive material and the second substrate. Bonding the first substrate and the second substrate and thinning a backside of the second substrate which exposes the second conductive material in the trenches.

公开(公告)号：US08232614B1

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US13042733

申请日：2011-03-08

申请人： Chia-Hua Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Chung-Hsien Lin ,  Chia-Ming Hung ,  Jung-Huei Peng ,  Yi Heng Tsai ,  Jiou-Kang Lee

发明人： Chia-Hua Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Chung-Hsien Lin ,  Chia-Ming Hung ,  Jung-Huei Peng ,  Yi Heng Tsai ,  Jiou-Kang Lee

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2207/096

摘要： A package system includes a first substrate structure including at least one first conductive structure that is disposed over a first substrate. A second substrate structure includes a second substrate. The second substrate structure is bonded with the first substrate structure. The at least one first conductive structure is electrically coupled with the second substrate through at least one germanium-containing layer.

摘要翻译： 封装系统包括第一衬底结构，其包括设置在第一衬底上的至少一个第一导电结构。 第二衬底结构包括第二衬底。 第二衬底结构与第一衬底结构结合。 所述至少一个第一导电结构通过至少一个含锗层与所述第二衬底电耦合。

公开(公告)号：US08309441B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13176548

申请日：2011-07-05

申请人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Chen

发明人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Chen

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/019 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One embodiment is a method of forming a circuit structure. The method comprises forming a first amorphous layer over a substrate; forming a first glue layer over and adjoining the first amorphous layer; forming a second amorphous layer over and adjoining the first glue layer; and forming a plurality of posts separated from each other by removing a first portion of the first amorphous layer and a first portion of the second amorphous layer. At least some of the plurality of posts each comprises a second portion of the first amorphous layer, a first portion of the first glue layer, and a second portion of the second amorphous layer.

摘要翻译： 一个实施例是形成电路结构的方法。 该方法包括在衬底上形成第一非晶层; 在所述第一非晶层上方形成第一胶合层; 在所述第一胶层上形成第二非晶层; 以及通过去除所述第一非晶层的第一部分和所述第二非晶层的第一部分来形成彼此分离的多个柱。 所述多个柱中的至少一些各自包括所述第一非晶层的第二部分，所述第一胶合层的第一部分和所述第二非晶层的第二部分。

公开(公告)号：US07998775B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12619542

申请日：2009-11-16

申请人： Shang-Ying Tsai ,  Chun-Ren Cheng ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Ting-Hau Wu

发明人： Shang-Ying Tsai ,  Chun-Ren Cheng ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Ting-Hau Wu

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： B81C1/00595

摘要： When a native oxide grows on a polysilicon member of, e.g., a MEMS device, delamination between the polysilicon member and subsequently formed layers may occur because the native oxide is undercut during removal of sacrificial oxide layers. Nitriding the native oxide increases the etch selectivity relative the sacrificial oxide layers. Undercutting and delamination is hence reduced or eliminated altogether.

摘要翻译： 当天然氧化物在例如MEMS器件的多晶硅构件上生长时，可能会发生多晶硅构件和随后形成的层之间的分层，因为在去除牺牲氧化物层期间天然氧化物被切削。 氮化自然氧化物相对于牺牲氧化物层增加蚀刻选择性。 因此，底切和分层完全减少或消除。

公开(公告)号：US20100117168A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12347046

申请日：2008-12-31

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： H04R19/005 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003

摘要： An integrated circuit structure includes a capacitor, which further includes a first capacitor plate formed of polysilicon, and a second capacitor plate substantially encircling the first capacitor plate. The first capacitor plate has a portion configured to vibrate in response to an acoustic wave. The second capacitor plate is fixed and has slanted edges facing the first capacitor plate.

摘要翻译： 集成电路结构包括电容器，其还包括由多晶硅形成的第一电容器板和基本上环绕第一电容器板的第二电容器板。 第一电容器板具有被配置为响应于声波而振动的部分。 第二电容器板是固定的并且具有面向第一电容器板的倾斜边缘。

公开(公告)号：US08776600B2

公开(公告)日：2014-07-15

申请号：US13610178

申请日：2012-09-11

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai

IPC分类号： G01C19/00

CPC分类号： G01C19/56 ,  Y10T29/49002

摘要： A gyroscope sensor includes a gyro disk. A first light source is configured to provide a first light beam. A first light receiver is configured to receive the first light beam for sensing a vibration at a first direction of the gyro disk. A second light source is configured to provide a second light beam substantially parallel with the first light beam. A second light receiver is configured to receive the second light beam for sensing a vibration in a second direction of the gyro disk. The second direction is different from the first direction.

摘要翻译： 陀螺传感器包括陀螺盘。 第一光源被配置为提供第一光束。 第一光接收器被配置为接收用于感测陀螺盘的第一方向上的振动的第一光束。 第二光源被配置为提供基本上与第一光束平行的第二光束。 第二光接收器被配置为接收用于感测陀螺盘的第二方向上的振动的第二光束。 第二个方向与第一个方向不同。

公开(公告)号：US08237263B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12651002

申请日：2009-12-31

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Te-Hsi Lee

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai ,  Te-Hsi Lee

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： H01L23/427 ,  B81B7/0093 ,  B81B2207/99 ,  F28D15/02 ,  F28F3/048 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： An integrated circuit, a method of operating the integrated circuit, and a method of fabricating the integrated circuit are disclosed. According to one of the broader forms of the invention, a method and apparatus involve an integrated circuit that includes a heat transfer structure having a chamber that has a fluid disposed therein and that extends between a heat generating portion and a heat absorbing portion. Heat is absorbed into the fluid from the heat generating portion, and the fluid changes from a first phase to a second phase different from the first phase when the heat is absorbed. Heat is released from the fluid to the heat absorbing portion, and the fluid changes from the second phase to the first phase when the heat is released.

摘要翻译： 公开了集成电路，操作集成电路的方法以及制造集成电路的方法。 根据本发明的一个更广泛的形式，一种方法和装置包括集成电路，该集成电路包括一个传热结构，该传热结构具有一个具有设置在其中的流体并且在发热部分和吸热部分之间延伸的腔室。 热量从发热部分吸收到流体中，并且当热被吸收时，流体从第一相位变化到与第一相位不同的第二相位。 热量从流体释放到吸热部分，并且当释放热量时，流体从第二相变为第一相。

公开(公告)号：US20120007220A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13240540

申请日：2011-09-22

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： B81C1/00666 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/95 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A method of forming an integrated circuit structure including providing a wafer comprising a front surface and a back surface, wherein the wafer comprises a chip; forming an opening extending from the back surface into the chip; filling an organic material in the opening, wherein substantially no portion of the organic material is outside of the opening and on the back surface of the wafer; and baking the organic material to cause a contraction of the organic material.

摘要翻译： 一种形成集成电路结构的方法，包括提供包括前表面和后表面的晶片，其中所述晶片包括芯片; 形成从后表面延伸到芯片中的开口; 在开口中填充有机材料，其中基本上没有部分有机材料在晶片的开口和背面之外; 并烘烤有机材料以引起有机材料的收缩。

公开(公告)号：US20100308424A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12751633

申请日：2010-03-31

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Wen Cheng ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee ,  Allen Timothy Chang

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： G01P15/18 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/082 ,  G01P2015/084 ,  H01L28/86

摘要： An integrated circuit structure includes a substrate having a top surface; a first conductive layer over and contacting the top surface of the substrate; a dielectric layer over and contacting the first conductive layer, wherein the dielectric layer includes an opening exposing a portion of the first conductive layer; and a proof-mass in the opening and including a second conductive layer at a bottom of the proof-mass. The second conductive layer is spaced apart from the portion of the first conductive layer by an air space. Springs anchor the proof-mass to portions of the dielectric layer encircling the opening. The springs are configured to allow the proof-mass to make three-dimensional movements.

摘要翻译： 集成电路结构包括具有顶表面的基板; 在衬底的顶表面上方并接触第一导电层; 电介质层，其与所述第一导电层接触并接触，其中所述电介质层包括露出所述第一导电层的一部分的开口; 并且在开口中具有证明质量，并且包括在质量块的底部的第二导电层。 第二导电层通过空气间隔与第一导电层的部分间隔开。 弹簧将证明质量锚定到围绕开口的介电层的部分。 弹簧被配置为允许证明物质进行三维运动。