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    MEMS DEVICE ETCH STOP
    5.
    发明申请
    MEMS DEVICE ETCH STOP 有权
    MEMS器件ETCH STOP

    公开(公告)号：US20120261830A1

    公开(公告)日：2012-10-18

    申请号：US13089027

    申请日：2011-04-18

    申请人： Chia-Hua Chu ,  Yi Heng Tsai ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Pao Shu ,  Li-Cheng Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Hsueh-An Yang ,  Chung-Hsien Lin

    发明人： Chia-Hua Chu ,  Yi Heng Tsai ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Pao Shu ,  Li-Cheng Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Hsueh-An Yang ,  Chung-Hsien Lin

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L29/84 ,  B81B2203/0307 ,  B81C1/00039 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The present disclosure provides a micro-electro-mechanical systems (MEMS) device and a method for fabricating such a device. In an embodiment, a MEMS device includes a substrate, a dielectric layer above the substrate, an etch stop layer above the dielectric layer, and two anchor plugs above the dielectric layer, the two anchor plugs each contacting the etch stop layer or a top metal layer disposed above the dielectric layer. The device further comprises a MEMS structure layer disposed above a cavity formed between the two anchor plugs and above the etch stop layer from release of a sacrificial layer.

    摘要翻译： 本公开提供了一种微机电系统（MEMS）装置及其制造方法。 在一个实施例中，MEMS器件包括衬底，在衬底上方的电介质层，在电介质层上方的蚀刻停止层，以及在电介质层上方的两个锚栓，两个锚栓每个接触蚀刻停止层或顶部金属 层，设置在电介质层的上方。 该器件还包括一个MEMS结构层，该MEMS结构层设置在形成在两个锚栓之间的空腔之上，并且位于蚀刻停止层上方，从牺牲层释放出来。

    MEMS devices and methods for forming the same
    6.
    发明授权
    MEMS devices and methods for forming the same 有权
    MEMS器件及其形成方法

    公开(公告)号：US08729646B2

    公开(公告)日：2014-05-20

    申请号：US13571258

    申请日：2012-08-09

    申请人： Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng ,  Te-Hao Lee ,  Chung-Hsien Lin

    发明人： Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng ,  Te-Hao Lee ,  Chung-Hsien Lin

    IPC分类号： H01L29/84

    CPC分类号： B81B3/0059 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H04R2201/003

    摘要： A device includes a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) wafer having a MEMS device therein. The MEMS device includes a movable element, and first openings in the MEMS wafer. The movable element is disposed in the first openings. A carrier wafer is bonded to the MEMS wafer. The carrier wafer includes a second opening connected to the first openings, wherein the second opening includes an entry portion extending from a surface of the carrier wafer into the carrier wafer, and an inner portion wider than the entry portion, wherein the inner portion is deeper in the carrier wafer than the entry portion.

    摘要翻译： 一种器件包括其中具有MEMS器件的微机电系统（MEMS）晶片。 MEMS器件包括可移动元件和MEMS晶片中的第一开口。 可移动元件设置在第一开口中。 载体晶片结合到MEMS晶片。 载体晶片包括连接到第一开口的第二开口，其中第二开口包括从载体晶片的表面延伸到载体晶片中的入口部分和比入口部分更宽的内部部分，其中内部部分更深 在载体晶片中比入口部分。

    MEMS Devices and Methods for Forming the Same
    7.
    发明申请
    MEMS Devices and Methods for Forming the Same 有权
    MEMS器件及其形成方法

    公开(公告)号：US20140042562A1

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：US13571258

    申请日：2012-08-09

    申请人： Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng ,  Te-Hao Lee ,  Chung-Hsien Lin

    发明人： Chia-Hua Chu ,  Chun-Wen Cheng ,  Te-Hao Lee ,  Chung-Hsien Lin

    IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/84

    CPC分类号： B81B3/0059 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/012 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  H04R2201/003

    摘要： A device includes a Micro-Electro-Mechanical System (MEMS) wafer having a MEMS device therein. The MEMS device includes a movable element, and first openings in the MEMS wafer. The movable element is disposed in the first openings. A carrier wafer is bonded to the MEMS wafer. The carrier wafer includes a second opening connected to the first openings, wherein the second opening includes an entry portion extending from a surface of the carrier wafer into the carrier wafer, and an inner portion wider than the entry portion, wherein the inner portion is deeper in the carrier wafer than the entry portion.

    摘要翻译： 一种器件包括其中具有MEMS器件的微机电系统（MEMS）晶片。 MEMS器件包括可移动元件和MEMS晶片中的第一开口。 可移动元件设置在第一开口中。 载体晶片结合到MEMS晶片。 载体晶片包括连接到第一开口的第二开口，其中第二开口包括从载体晶片的表面延伸到载体晶片中的入口部分和比入口部分更宽的内部部分，其中内部部分更深 在载体晶片中比入口部分。

    CMOS compatible BioFET
    8.
    发明授权
    CMOS compatible BioFET 有权
    CMOS兼容的BioFET

    公开(公告)号：US09459234B2

    公开(公告)日：2016-10-04

    申请号：US13480161

    申请日：2012-05-24

    申请人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

    发明人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

    IPC分类号： H01L51/05 ,  G01N27/414 ,  H01L51/00

    CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/414 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L51/0093

    摘要： The present disclosure provides a bio-field effect transistor (BioFET) and a method of fabricating a BioFET device. The method includes forming a BioFET using one or more process steps compatible with or typical to a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process. The BioFET device may include a substrate; a gate structure disposed on a first surface of the substrate and an interface layer formed on the second surface of the substrate. The interface layer may allow for a receptor to be placed on the interface layer to detect the presence of a biomolecule or bio-entity.

    摘要翻译： 本公开提供了生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。 该方法包括使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。 BioFET器件可以包括衬底; 设置在基板的第一表面上的栅极结构和形成在基板的第二表面上的界面层。 界面层可以允许将受体置于界面层上以检测生物分子或生物实体的存在。

    CMOS COMPATIBLE BIOFET
    9.
    发明申请
    CMOS COMPATIBLE BIOFET 有权
    CMOS兼容BIOFET

    公开(公告)号：US20130105868A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13480161

    申请日：2012-05-24

    申请人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

    发明人： Alexander Kalnitsky ,  Yi-Shao Liu ,  Kai-Chih Liang ,  Chia-Hua Chu ,  Chun-Ren Cheng ,  Chun-Wen Cheng

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： G01N27/4145 ,  G01N27/414 ,  G01N27/4148 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L51/0093

    摘要： The present disclosure provides a bio-field effect transistor (BioFET) and a method of fabricating a BioFET device. The method includes forming a BioFET using one or more process steps compatible with or typical to a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process. The BioFET device may include a substrate; a gate structure disposed on a first surface of the substrate and an interface layer formed on the second surface of the substrate. The interface layer may allow for a receptor to be placed on the interface layer to detect the presence of a biomolecule or bio-entity.

    摘要翻译： 本公开提供了生物场效应晶体管（BioFET）和制造BioFET器件的方法。 该方法包括使用与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容或典型的一个或多个工艺步骤形成BioFET。 BioFET器件可以包括衬底; 设置在基板的第一表面上的栅极结构和形成在基板的第二表面上的界面层。 界面层可以允许将受体置于界面层上以检测生物分子或生物实体的存在。

    Micro-electro mechanical system (MEMS) structures with through substrate vias and methods of forming the same
    10.
    发明授权
    Micro-electro mechanical system (MEMS) structures with through substrate vias and methods of forming the same 有权
    具有通孔的微电子机械系统（MEMS）结构通孔及其形成方法

    公开(公告)号：US09466532B2

    公开(公告)日：2016-10-11

    申请号：US13429029

    申请日：2012-03-23

    申请人： Chia-Hua Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Te-Hao Lee

    发明人： Chia-Hua Chu ,  Kuei-Sung Chang ,  Te-Hao Lee

    IPC分类号： H01L21/768 ,  B81C1/00 ,  B82Y30/00

    CPC分类号： B81B7/007 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/036 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/76898

    摘要： The present disclosure includes micro-electro mechanical system (MEMS) structures and methods of forming the same. Substrates of the MEMS structures are bonded together by fusion bonding at high processing temperatures, which enables more complete removal of chemical species from the dielectric materials in the substrates prior to sealing cavities of the MEMS structures. Fusion bonding of MEMS structures reduces outgassing of chemical species and is compatible with the cavity formation process. The MEMS structures bonded by fusion bonding are mechanically stronger compared to eutectic bonding due to a higher bonding ratio. In addition, fusion bonding enables the formation of through substrate vias (TSVs) in the MEMS structures.

    摘要翻译： 本公开内容包括微机电系统（MEMS）结构及其形成方法。 MEMS结构的衬底通过在高加工温度下的熔融粘合而结合在一起，这使得在MEMS结构的密封腔之前能够更好地从基板中的电介质材料中去除化学物质。 MEMS结构的熔合结合减少了化学物质的脱气，并与腔形成过程相容。 通过熔接结合的MEMS结构由于较高的接合率而与共晶接合机械地更强。 此外，熔接可以在MEMS结构中形成贯穿衬底通孔（TSV）。