公开(公告)号：US5176424A

公开(公告)日：1993-01-05

申请号：US898399

申请日：1992-06-11

申请人： Koji Tobita ,  Kouzou Hirota ,  Takeshi Takagi ,  Ken Kawamura ,  Kazuki Fujise ,  Yoshiaki Kinoshita

发明人： Koji Tobita ,  Kouzou Hirota ,  Takeshi Takagi ,  Ken Kawamura ,  Kazuki Fujise ,  Yoshiaki Kinoshita

IPC分类号： A47C31/12 ,  B60N2/00 ,  B60N2/06 ,  B60N2/56 ,  B60N2/90

CPC分类号： B60N2/4415 ,  A47C27/082 ,  A47C27/083 ,  A47C27/085 ,  A47C27/086 ,  A47C31/126 ,  A47C4/54 ,  B60N2/002 ,  B60N2/06 ,  B60N2/5657 ,  B60N2/5685 ,  B60N2/7041 ,  G01G19/4142 ,  Y10S297/01

摘要： An automobile seat assembly includes a seat cushion subassembly and a seat back subassembly coupled with the seat cushion subassembly to represent a generally L-shaped configuration. A holding device is installed in the seat cushion subassembly and is deformable in response to the sitting of a seat occupant on a sitting area of the seat cushion subassembly and holds the sitting area in a deformed shape resulting from the seat occupant sitting on the sitting area. An actuating device installed in the seat cushion subassembly actuates the holding device. A detecting device detects the actual sitting position of the seat occupant on the sitting area. A control device is operable to operate the actuating device a predetermined time after the detecting device has detected the actual sitting position of the seat occupant on the sitting area.

摘要翻译： 汽车座椅组件包括座垫子组件和与座垫子组件联接以表示大致L形构造的座椅靠背子组件。 保持装置安装在座垫子组件中，并且能够响应于座椅乘员坐在座垫子组件的休息区而变形，并且将休息区保持在座位乘坐者坐在休息区上的变形形状 。 安装在座垫子组件中的致动装置致动保持装置。 检测装置检测座位乘客在休息区域的实际坐姿。 控制装置可操作以在检测装置检测到座位乘客在休息区域上的实际坐姿之后的预定时间内操作致动装置。

公开(公告)号：US5332057A

公开(公告)日：1994-07-26

申请号：US120223

申请日：1993-09-14

申请人： Tetsuro Butsuen ,  Toshihiro Hara ,  Kazuki Fujise ,  Takeshi Takagi ,  Satoshi Morioka ,  Satoru Matsuoka ,  Naoyuki Hikida ,  Ayumu Doi

发明人： Tetsuro Butsuen ,  Toshihiro Hara ,  Kazuki Fujise ,  Takeshi Takagi ,  Satoshi Morioka ,  Satoru Matsuoka ,  Naoyuki Hikida ,  Ayumu Doi

IPC分类号： B60T7/12 ,  B60K31/00 ,  B60T7/22 ,  B60T8/172 ,  B60T8/1763 ,  B60T8/34 ,  B60T8/48 ,  B60W30/00 ,  B62D6/00 ,  B62D101/00 ,  B62D105/00 ,  B62D111/00 ,  B62D113/00 ,  B62D137/00 ,  G01S15/93 ,  G05D1/02 ,  G08G1/16

CPC分类号： B60K31/0008 ,  B60T7/22 ,  B60T8/344 ,  B60T8/4809 ,  B62D6/00 ,  G01S15/931 ,  G05D1/024 ,  G05D1/0255 ,  B60W2540/20 ,  G05D2201/0213 ,  Y02T10/84

摘要： A contact preventive system for vehicles using an automatic braking device and an automatic steering device together. Contact forecasting mechanism forecasts the contact of a vehicle with an obstacle. When the contact of the obstacle is forecasted, automatic braking control mechanism operates the automatic braking device. Environment detecting mechanism detects the change of environment such as a friction coefficient of a road. Automatic steering control mechanism operates the automatic steering device to alter the advance direction of the vehicle when a possibility of contact is caused by the change of environment during automatic braking. Thus, contact can be avoided.

摘要翻译： 一种使用自动制动装置和自动转向装置的车辆接触预防系统。 联系预测机制预测车辆与障碍物的接触。 当预测障碍物的接触时，自动制动控制机构操作自动制动装置。 环境检测机构检测环境的变化，例如道路的摩擦系数。 当在自动制动期间由于环境变化引起接触的可能性时，自动转向控制机构操作自动转向装置来改变车辆的前进方向。 因此，可以避免接触。

公开(公告)号：US09251898B2

公开(公告)日：2016-02-02

申请号：US13983855

申请日：2012-02-07

申请人： Koji Katayama ,  Takeshi Takagi

发明人： Koji Katayama ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L27/102 ,  H01L49/02 ,  H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C29/50

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C29/50008 ,  G11C2013/0045 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L28/20 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A method for programming a nonvolatile memory element includes: decreasing a resistance value of a variable resistance element in an initial state, by applying an initialization voltage pulse to a series circuit in which a load resistor having a first resistance value is connected in series with the variable resistance element and a MSM diode; applying, after the decreasing, a write voltage pulse to the series circuit after the resistance value of the variable resistance element is changed to a second resistance value lower than the first resistance value; and applying, after the decreasing, an erase voltage pulse to the series circuit after the resistance value of the variable resistance element is changed to a third resistance value lower than the first resistance value.

摘要翻译： 一种用于非易失性存储元件的编程方法包括：通过向串联电路施加初始化电压脉冲来降低初始状态下的可变电阻元件的电阻值，其中具有第一电阻值的负载电阻器与 可变电阻元件和MSM二极管; 在可变电阻元件的电阻值变为低于第一电阻值的第二电阻值之后，在减小之后向串联电路施加写入电压脉冲; 以及在所述可变电阻元件的电阻值变为低于所述第一电阻值的第三电阻值之后，在所述减小之后向所述串联电路施加擦除电压脉冲。

公开(公告)号：US09142292B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US13982280

申请日：2012-01-31

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Takeshi Takagi

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C13/00 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0054 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： Provided is a method for reading data from a variable resistance nonvolatile storage element, where the operation for reading data is less susceptible to a fluctuation phenomenon of resistance values in reading the data. The method includes: detecting a current value Iread that flows through the nonvolatile storage element that can be in a low resistance state RL and a high resistance state RH, with application of a fixed voltage; and determining that (i) the nonvolatile storage element is in a high resistance state when the current value Iread detected in the detecting is smaller than a current reference level Iref, and (ii) the nonvolatile storage element is in a low resistance state when the current value Iread detected in the detecting is larger than the reference level Iref, the current reference level Iref being defined by (IRL+IRH)/2

摘要翻译： 提供了一种用于从可变电阻非易失性存储元件读取数据的方法，其中用于读取数据的操作对读取数据中的电阻值的波动现象不太敏感。 该方法包括：通过施加固定电压来检测流过可以处于低电阻状态RL和高电阻状态RH的非易失性存储元件的电流值Iread; 并且当所述检测中检测到的电流值Iread小于电流参考电平Iref时，确定（i）所述非易失性存储元件处于高电阻状态，并且（ii）当所述非易失性存储元件处于低电阻状态时 在检测中检测到的电流值Iread大于参考电平Iref，当前参考电平Iref由（IRL + IRH）/ 2

公开(公告)号：US08939018B2

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：US13122059

申请日：2009-10-02

申请人： Toshikatsu Sakai ,  Akira Sezaki ,  Takeshi Takagi

发明人： Toshikatsu Sakai ,  Akira Sezaki ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G01N30/16 ,  G01N30/20 ,  G01N30/18 ,  G01N30/86 ,  G01N30/04

CPC分类号： G01N30/20 ,  G01N30/18 ,  G01N30/8658 ,  G01N30/8665 ,  G01N2030/042 ,  G01N2030/201 ,  G01N2030/202 ,  G01N2030/207

摘要： An analyzing device includes a feeder connected to a container in which a sample is contained for sucking the sample from the container and feeding the sample, and a controller for performing control for feeding from the feeder to a measurer. In measuring the sample, the controller performs control so that results of a plurality of times of measurement are obtained with respect to the single container in which the sample is contained, without changing the container. This arrangement allows quick accuracy check.

摘要翻译： 分析装置包括连接到容器的进料器，在该容器中容纳样品以从容器吸取样品并进料样品;以及控制器，用于进行从进料器进给到测量器的控制。 在测量样品时，控制器执行控制，使得相对于容纳样品的单个容器获得多次测量的结果，而不改变容器。 这种安排允许快速准确的检查。

公开(公告)号：US20140029330A1

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：US14004447

申请日：2012-03-13

申请人： Shunsaku Muraoka ,  Satoru Mitani ,  Takeshi Takagi

发明人： Shunsaku Muraoka ,  Satoru Mitani ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/04 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

摘要： A method for driving a nonvolatile memory element includes: a writing step of changing a variable resistance layer to a low resistance state, by applying a writing voltage pulse having a first polarity; and an erasing step of changing the variable resistance layer to a high resistance state, by applying an erasing voltage pulse having a second polarity different from the first polarity, wherein in the writing step, a first input and output terminal of a field effect transistor is a source terminal of the transistor, and when a pulse width of the writing voltage pulse is PWLR and a pulse width of the erasing voltage pulse is PWHR, PWLR and PWHR satisfy a relationship of PWLR

摘要翻译： 一种用于驱动非易失性存储元件的方法包括：通过施加具有第一极性的写入电压脉冲将可变电阻层改变为低电阻状态的写入步骤; 以及通过施加具有与第一极性不同的第二极性的擦除电压脉冲将可变电阻层改变为高电阻状态的擦除步骤，其中在写入步骤中，场效应晶体管的第一输入和输出端子是 晶体管的源极端子，并且当写入电压脉冲的脉冲宽度为PWLR且擦除电压脉冲的脉冲宽度为PWHR时，PWLR和PWHR满足PWLR

公开(公告)号：US20130308371A1

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：US13982280

申请日：2012-01-31

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Takeshi Takagi

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C13/0007 ,  G11C2013/0054 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： Provided is a method for reading data from a variable resistance nonvolatile storage element, where the operation for reading data is less susceptible to a fluctuation phenomenon of resistance values in reading the data. The method includes: detecting a current value Iread that flows through the nonvolatile storage element that can be in a low resistance state RL and a high resistance state RH, with application of a fixed voltage; and determining that (i) the nonvolatile storage element is in a high resistance state when the current value Iread detected in the detecting is smaller than a current reference level Iref, and (ii) the nonvolatile storage element is in a low resistance state when the current value Iread detected in the detecting is larger than the reference level Iref, the current reference level Iref being defined by (IRL+IRH)/2

摘要翻译： 提供了一种用于从可变电阻非易失性存储元件读取数据的方法，其中用于读取数据的操作对读取数据中的电阻值的波动现象不太敏感。 该方法包括：通过施加固定电压来检测流过可以处于低电阻状态RL和高电阻状态RH的非易失性存储元件的电流值Iread; 并且当所述检测中检测到的电流值Iread小于电流参考电平Iref时，确定（i）所述非易失性存储元件处于高电阻状态，并且（ii）当所述非易失性存储元件处于低电阻状态时 在检测中检测到的电流值Iread大于参考电平Iref，当前参考电平Iref由（IRL + IRH）/ 2

公开(公告)号：US08553444B2

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：US12743472

申请日：2009-08-20

申请人： Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Koji Katayama ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

发明人： Shunsaku Muraoka ,  Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Koji Katayama ,  Kazuhiko Shimakawa ,  Satoru Fujii ,  Takeshi Takagi

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： H01L45/147 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： A variable resistance nonvolatile storage device which includes (i) a semiconductor substrate (301), (ii) a variable resistance element (309) having: lower and upper electrodes (309a, 309c); and a variable resistance layer (309b) whose resistance value reversibly varies based on voltage signals each of which has a different polarity and is applied between the electrodes (309a, 309c), and (iii) a MOS transistor (317) formed on the substrate (301), wherein the variable resistance layer (309b) includes: oxygen-deficient transition metal oxide layers (309b-1, 309b-2) having compositions MOX and MOy (where x

摘要翻译： 一种可变电阻非易失性存储装置，包括：（i）半导体衬底（301），（ii）具有下电极和上电极（309a，309c）的可变电阻元件（309） 和可变电阻层（309b），其电阻值基于各自具有不同极性的电压信号而被可逆地变化并施加在电极（309a，309c）之间，以及（iii）形成在基板上的MOS晶体管 （301），其中所述可变电阻层（309b）包括：具有组成MOX和MOy（其中x

公开(公告)号：US08445885B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13132058

申请日：2009-12-01

申请人： Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Zhiqiang Wei ,  Takeshi Takagi ,  Koji Katayama

发明人： Yoshihiko Kanzawa ,  Satoru Mitani ,  Zhiqiang Wei ,  Takeshi Takagi ,  Koji Katayama

IPC分类号： H01L29/02

CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625

摘要： A nonvolatile memory element includes first and second electrodes, and a resistance variable layer disposed therebetween. At least one of the first and second electrodes includes a platinum-containing layer. The resistance variable layer includes a first oxygen-deficient transition metal oxide layer which is not physically in contact with the platinum-containing layer and a second oxygen-deficient transition metal oxide layer which is disposed between the first oxygen-deficient transition metal oxide layer and the platinum-containing layer and is physically in contact with the platinum-containing layer. When oxygen-deficient transition metal oxides included in the first and second oxygen-deficient transition metal oxide layers are expressed as MOx, and MOy, respectively, x

摘要翻译： 非易失性存储元件包括第一和第二电极以及设置在它们之间的电阻变化层。 第一和第二电极中的至少一个包括含铂层。 电阻变化层包括不与含铂层物理接触的第一缺氧过渡金属氧化物层和设置在第一缺氧过渡金属氧化物层和第二缺氧过渡金属氧化物层之间的第二缺氧过渡金属氧化物层 所述含铂层并且与所述含铂层物理接触。 包含在第一和第二缺氧过渡金属氧化物层中的缺氧过渡金属氧化物分别表示为MOx，MOy分别表示为x

公开(公告)号：US08405076B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US12920154

申请日：2010-02-03

申请人： Takeki Ninomiya ,  Takeshi Takagi ,  Zhiqiang Wei

发明人： Takeki Ninomiya ,  Takeshi Takagi ,  Zhiqiang Wei

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L45/146 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675

摘要： A nonvolatile memory element (100) includes a variable resistance layer (107) including a first metal oxide MOx and a second metal oxide MOy, and reaction energy of chemical reaction related to the first metal oxide, the second metal oxide, oxygen ions, and electrons is 2 eV or less. The chemical reaction is expressed by a formula 13, where a combination (MOx, MOy) of MOx and MOy is selected from a group including (Cr2O3, CrO3), (Co3O4, Co2O3), (Mn3O4, Mn2O3), (VO2, V2O5), (Ce2O3, CeO2), (W3O8, WO3), (Cu2O, CuO), (SnO, SnO2), (NbO2, Nb2O5), and (Ti2O3, TiO2). [Mathematical Expression 13] MOx+(y−x)O2−MOy+2(y−x)e−  (Formula 13)

摘要翻译： 非易失性存储元件（100）包括可变电阻层（107），其包括第一金属氧化物MOx和第二金属氧化物MOy，以及与第一金属氧化物，第二金属氧化物，氧离子和 电子为2eV以下。 化学反应由式13表示，其中MOx和MOy的组合（MOx，MOy）选自（Cr 2 O 3，CrO 3），（Co 3 O 4，Co 2 O 3），（Mn 3 O 4，Mn 2 O 3），（VO 2，V 2 O 5） ），（Ce 2 O 3，CeO 2），（W3O 8，WO 3），（Cu 2 O，CuO），（SnO，SnO 2），（NbO 2，Nb 2 O 5）和（Ti 2 O 3，TiO 2）。 [数学表达式13] MOx +（y-x）O2-MOy + 2（y-x）e-（式13）