公开(公告)号：US4398406A

公开(公告)日：1983-08-16

申请号：US264405

申请日：1981-05-18

申请人： Masahito Fukuda ,  Akiyoshi Tanabe ,  Yasuo Moriguchi ,  Nobuyuki Nagai ,  Kunio Tsuji ,  Yoshihiro Yamaguchi ,  Tomiharu Matsushita ,  Atsuo Mizuta

发明人： Masahito Fukuda ,  Akiyoshi Tanabe ,  Yasuo Moriguchi ,  Nobuyuki Nagai ,  Kunio Tsuji ,  Yoshihiro Yamaguchi ,  Tomiharu Matsushita ,  Atsuo Mizuta

IPC分类号： C22F1/16 ,  B21B1/22 ,  B21B3/00 ,  C22F1/18 ,  D01H7/32 ,  B21B27/10 ,  B21B45/02

CPC分类号： B21B3/00 ,  Y10S72/70

摘要： A method for producing cold rolled titanium strips having good surface quality. The cold rolling of a titanium strip is carried out under the conditions represented by the following formula:X.ltoreq.(48673/Y.sup.1.3283)where X is an average grain size (.mu.m) of the pre-cold rolled titanium strip and Y is a diameter (mm) of the roll for the cold rolling.

摘要翻译： 一种生产具有良好表面质量的冷轧钛带的方法。 钛条的冷轧是在下列条件下进行的：X <=（48673 / Y1.3283）其中X是预冷轧钛带的平均晶粒尺寸（μm）， Y是用于冷轧的辊的直径（mm）。

公开(公告)号：US4167427A

公开(公告)日：1979-09-11

申请号：US843251

申请日：1977-10-18

申请人： Shoji Ueda ,  Takashi Daikoku ,  Yorimasa Takeda ,  Akira Hiromoto ,  Nobuyuki Nagai ,  Yasuo Moriguchi ,  Yoshimasa Ito

发明人： Shoji Ueda ,  Takashi Daikoku ,  Yorimasa Takeda ,  Akira Hiromoto ,  Nobuyuki Nagai ,  Yasuo Moriguchi ,  Yoshimasa Ito

IPC分类号： C22C14/00 ,  C22F1/18

CPC分类号： C22F1/183

摘要： In a process for heat treating titanium alloys, and .alpha.+.beta. titanium alloy, heated and held in a temperature range above 500.degree. C. and below the .alpha.+.beta./.beta. transformation point, and then quenched, is further aged at a low temperature in the range between 50.degree. and 300.degree. C.

摘要翻译： 在用于热处理钛合金和α+β钛合金的方法中，加热并保持在高于500℃并低于α+β/β相变点的温度范围内，然后淬火，在低温下进一步老化 在50〜300℃的范围内

公开(公告)号：US4134758A

公开(公告)日：1979-01-16

申请号：US790944

申请日：1977-04-26

申请人： Nobuyuki Nagai ,  Yasuo Moriguchi ,  Yoshimasa Itoh ,  Shoji Ueda ,  Yorimasa Takeda ,  Akira Hiromoto

发明人： Nobuyuki Nagai ,  Yasuo Moriguchi ,  Yoshimasa Itoh ,  Shoji Ueda ,  Yorimasa Takeda ,  Akira Hiromoto

IPC分类号： C22C14/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/18 ,  C21D1/00

CPC分类号： C22C14/00

摘要： A titanium alloy having a high degree of internal friction and suitable for rotating blades of turbomachines is composed of 5.5 - 6.75% Al, 1 - 5% V, 1 - 5% Mo, V plus Mo being greater than or equal to 5%, and the balance Ti and usual impurities, all by weight. A method of heat-treating the alloy comprises maintaining the same at a temperature not lower than 125.degree. C below its .beta. transformation point for a predetermined period of time and then rapidly cooling the alloy.

摘要翻译： 具有高度内摩擦并且适于旋转涡轮机叶片的钛合金由5.5-6.75％的Al，1-5％V，1-5％的Mo，V + Mo大于或等于5％组成， 余量为Ti和常规杂质，均为重量。 对合金进行热处理的方法包括将其保持在低于其β相变点125℃以上的温度一段预定的时间，然后快速冷却合金。

公开(公告)号：US07148567B2

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US11078585

申请日：2005-03-14

申请人： Yasuo Moriguchi ,  Shintaro Mori ,  Fumihiko Terayama ,  Hirokazu Komoriya

发明人： Yasuo Moriguchi ,  Shintaro Mori ,  Fumihiko Terayama ,  Hirokazu Komoriya

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/52 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48253 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor integrated circuit device has two semiconductor integrated circuit chips (20 and 30) respectively provided with a plurality of PADs (40a–40e, 41a–41e and 42a–42d), a plurality of LEADs (50a–50d) disposed around arrays of the semiconductor integrated circuit chips, and a plurality of bonding wires (60a–60e and 61a–61d). The plurality of bonding wires are connected so as not to straddle one semiconductor integrated circuit chip (30) and allow wiring between the PADs (40a–40e) of the other semiconductor integrated circuit chip (20) and the LEADs (50a–50d).

摘要翻译： 半导体集成电路器件具有分别设置有多个PAD（40a〜40e，41a〜41e，42a〜42d）的两个半导体集成电路芯片（20,30），多个LEAD（50a -50d）设置在半导体集成电路芯片的阵列周围，以及多个接合线（60a-60e和61a-61d）。 多个接合线被连接成不跨越一个半导体集成电路芯片（30），并且允许另一半导体集成电路芯片（20）的PAD（40a〜40e）与LEAD（50a- 50 d）。

公开(公告)号：US5338350A

公开(公告)日：1994-08-16

申请号：US85786

申请日：1993-07-06

申请人： Katsuto Tanaka ,  Kensuke Makita ,  Yasuo Moriguchi

发明人： Katsuto Tanaka ,  Kensuke Makita ,  Yasuo Moriguchi

IPC分类号： B60J1/00 ,  C03C17/02 ,  C03C17/25 ,  C04B41/82 ,  C09D11/00 ,  C09D101/18 ,  G02B27/02

CPC分类号： C03C17/25 ,  C03C2217/23 ,  C03C2218/113

摘要： An ink composition for forming a thin metal oxide film contains a glass component, a viscosity-increasing agent and a solvent. The glass component is one of a halogen-containing metal alkoxide, a mixture of the halogen-containing metal alkoxide and another metal alkoxide, and a mixture of the halogen-containing metal alkoxide and a metal oxide sol. The viscosity-increasing agent is nitrocellulose H60 according to Japanese Industrial Standard K6703. The solvent is at least one of ethylcarbitol and butylcarbitol. The formed thin metal oxide film is superior in transparency, abrasion resistance and scratch resistance.

摘要翻译： 用于形成薄金属氧化物膜的油墨组合物含有玻璃成分，增粘剂和溶剂。 玻璃成分是含卤素的金属醇盐，含卤素金属醇盐和另一种金属醇盐的混合物，含卤素金属醇盐和金属氧化物溶胶的混合物之一。 粘度增加剂是日本工业标准K6703的硝基纤维素H60。 溶剂是乙基卡必醇和丁基卡必醇中的至少一种。 所形成的薄金属氧化物膜的透明性，耐磨性和耐刮擦性优异。

公开(公告)号：US20050156305A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US11078585

申请日：2005-03-14

申请人： Yasuo Moriguchi ,  Shintaro Mori ,  Fumihiko Terayama ,  Hirokazu Komoriya

发明人： Yasuo Moriguchi ,  Shintaro Mori ,  Fumihiko Terayama ,  Hirokazu Komoriya

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/495 ,  H01L23/50 ,  H03K19/00

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/50 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48253 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01088 ,  H01L2924/10161 ,  H01L2924/10162 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15173 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor integrated circuit device has two semiconductor integrated circuit chips (20 and 30) respectively provided with a plurality of PADs (40a-40e, 41a-41e and 42a-42d), a plurality of LEADs (50a-50d) disposed around arrays of the semiconductor integrated circuit chips, and a plurality of bonding wires (60a-60e and 61a-61d). The plurality of bonding wires are connected so as not to straddle one semiconductor integrated circuit chip (30) and allow wiring between the PADs (40a-40e) of the other semiconductor integrated circuit chip (20) and the LEADs (50a-50d).

摘要翻译： 半导体集成电路器件具有分别设置有多个PAD（40a-40e，41a-41e和42a-42d）的两个半导体集成电路芯片（20和30），多个LEAD（50a - 50d）设置在半导体集成电路芯片的阵列周围，以及多个接合线（60a-60e和61a-61d）。 多个接合线被连接成不跨越一个半导体集成电路芯片（30），并且允许另一个半导体集成电路芯片（20）的PAD（40a至40e）与LEAD（50a- 50 d）。

公开(公告)号：US5510141A

公开(公告)日：1996-04-23

申请号：US378729

申请日：1995-01-26

申请人： Kensuke Makita ,  Yasuo Moriguchi ,  Junichi Okuda

发明人： Kensuke Makita ,  Yasuo Moriguchi ,  Junichi Okuda

IPC分类号： B05D1/28 ,  C03C17/25 ,  B05D5/06

CPC分类号： B05D1/28 ,  C03C17/25 ,  C03C2218/113 ,  C03C2218/118 ,  C03C2218/322

摘要： The invention relates to a method for applying a coating composition to a substrate with a reverse roller coater so as to form a thin film on the substrate and then for baking the thin film so as to transform the thin film into a metal oxide film. The coating composition comprises: 0.1-10 wt % of at least one organic metal compound on a metal oxide basis; and at least one organic solvent. The at least one organic metal compound is selected from the group consisting of metal alkoxides, metal acetyl-acetonates and metallic soaps. The coating composition is adjusted to have a viscosity within a range from 0.1 to 100 centipoises. In this method, a reverse roller of the coater is rotated at a rotation speed within a range from 2 to 55 m/min. and the substrate is moved at a moving speed within a range from 1 to 30 m/min. while the coating composition is applied to the substrate. Furthermore, the rotation speed of the reverse roller is adjusted to be higher than the moving speed of the substrate. According to the invention, it is possible to form an optical metal oxide film which has a uniform thickness of up to about 10 .mu.m (more particularly up to about 1 .mu.m).

摘要翻译： 本发明涉及一种用反辊涂布机将涂料组合物涂布在基材上的方法，以便在基材上形成薄膜，然后烘烤该薄膜，以将该薄膜转变成金属氧化物膜。 所述涂料组合物包含：0.1-10重量％的至少一种金属氧化物上的有机金属化合物; 和至少一种有机溶剂。 所述至少一种有机金属化合物选自金属醇盐，金属乙酰丙酮酸盐和金属皂。 将涂料组合物调节至粘度在0.1至100厘泊的范围内。 在该方法中，涂布机的反转辊以2〜55m /分钟的范围内的转速旋转。 并且以1〜30m / min的范围内的移动速度移动基板。 同时将涂料组合物施加到基材上。 此外，将反转辊的旋转速度调整为高于基板的移动速度。 根据本发明，可以形成具有高达约10μm的均匀厚度（更特别地至多约1μm）的光学金属氧化物膜。

公开(公告)号：US6088821A

公开(公告)日：2000-07-11

申请号：US041798

申请日：1998-03-13

申请人： Yasuo Moriguchi ,  Hiroyuki Mori ,  Yoshio Inoue ,  Toshinori Inoshita

发明人： Yasuo Moriguchi ,  Hiroyuki Mori ,  Yoshio Inoue ,  Toshinori Inoshita

IPC分类号： G06F17/50 ,  G01R31/28 ,  G06F11/00 ,  G06F13/00

CPC分类号： G06F17/5022

摘要： A logic verification apparatus for a semiconductor integrated circuit classifies a program described in HDL into connection information of a synchronous circuit portion and connection information of a asynchronous circuit portion, converts a portion of the connection information of the asynchronous circuit portion into the connection information of the synchronous circuit portion and increases circuit portions the function of which can be verified by a cycle based simulation/static timing verification unit, thus making it possible to shorten the time for verification.

摘要翻译： 半导体集成电路的逻辑验证装置将HDL中描述的程序分类为同步电路部分的连接信息和异步电路部分的连接信息，将异步电路部分的连接信息的一部分转换为异步电路部分的连接信息 同步电路部分，并且增加电路部分，其功能可以通过基于循环的模拟/静态定时验证单元来验证，从而可以缩短验证时间。

公开(公告)号：US06674623B1

公开(公告)日：2004-01-06

申请号：US09577134

申请日：2000-05-24

申请人： Toshihiro Abe ,  Shintaro Mori ,  Fumihiko Terayama ,  Masahiro Kitamura ,  Seiichi Yamazaki ,  Yasuo Moriguchi

发明人： Toshihiro Abe ,  Shintaro Mori ,  Fumihiko Terayama ,  Masahiro Kitamura ,  Seiichi Yamazaki ,  Yasuo Moriguchi

IPC分类号： H02H500

CPC分类号： H02H5/044 ,  G06F1/206 ,  H01L23/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： In a microcomputer equipped with a built-in temperature sensor, diodes as a temperature sensor are incorporated in a pair of circuit blocks, respectively, and placed in opposite polarity connection to each other. When detecting a temperature of the microcomputer, a constant current If is supplied to the diodes through terminals commonly connected to both the diodes. A voltage Vf generated at each diode is read through terminals located at more adjacent nodes to the diode when compared in position with the terminals.

摘要翻译： 在装有内置温度传感器的微型计算机中，作为温度传感器的二极管分别并入一对电路块中，并且彼此极性连接。 当检测到微型计算机的温度时，通过与两个二极管共同连接的端子向二极管提供恒定电流If。 当与端子位置比较时，在每个二极管处产生的电压Vf被读取，位于与二极管相邻的节点处的端子。

公开(公告)号：US06333643B1

公开(公告)日：2001-12-25

申请号：US09476399

申请日：2000-01-03

申请人： Kazuaki Kurooka ,  Yasuo Moriguchi

发明人： Kazuaki Kurooka ,  Yasuo Moriguchi

IPC分类号： H03K19094

CPC分类号： H03K19/00315

摘要： A hotplug tolerant I/O circuit, which is incorporated in a first device, includes a voltage generator. In a hotplug mode, in which an input signal higher than the power supply voltage is applied from a second device to the first device while the power supply voltage is not applied to the first device, the voltage generator generates a control voltage from the input signal, and supplies it to a transistor in the hotplug tolerant I/O circuit. This makes it possible to solve a problem of a conventional hotplug tolerant I/O circuit in that the transistors in the I/O circuit can be damaged in the hotplug mode.

摘要翻译： 包含在第一装置中的热插拔耐受I / O电路包括电压发生器。 在热插拔模式中，当电源电压未施加到第一装置时，其中将高于电源电压的输入信号从第二装置施加到第一装置，电压发生器从输入信号产生控制电压 ，并将其提供给热插拔容限I / O电路中的晶体管。 这使得可以解决常规的热插拔容忍I / O电路的问题，因为I / O电路中的晶体管可能在热插拔模式下被损坏。