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    Methods of forming devices comprising carbon nanotubes
    1.
    发明授权
    Methods of forming devices comprising carbon nanotubes 有权
    形成包含碳纳米管的器件的方法

    公开(公告)号：US08034315B2

    公开(公告)日：2011-10-11

    申请号：US12235244

    申请日：2008-09-22

    申请人： Nishant Sinha ,  Gurtej S. Sandhu ,  Eugene Marsh ,  Neil Greeley ,  John Smythe

    发明人： Nishant Sinha ,  Gurtej S. Sandhu ,  Eugene Marsh ,  Neil Greeley ,  John Smythe

    IPC分类号： H01L29/72

    CPC分类号： H01L51/0591 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/19 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/149 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/745 ,  Y10S977/748 ,  Y10S977/764 ,  Y10S977/765 ,  Y10S977/781

    摘要： Some embodiments include devices that contain bundles of CNTs. An undulating topography extends over the CNTs and within spaces between the CNTs. A global maximum lateral width is defined as the greatest lateral width of any of the spaces. A material is directly over the CNTs, with the material being a plurality of particles that have minimum cross-sectional equatorial widths exceeding the global maximum lateral width. Some embodiments include methods in which a plurality of crossed carbon nanotubes are formed over a semiconductor substrate. The CNTs form an undulating upper topography extending across the CNTs and within spaces between the CNTs. A global maximum lateral width is defined as the greatest lateral width of any of the spaces. A material is deposited over the CNTs, with the material being deposited as particles that have minimum cross-sectional equatorial widths exceeding the global maximum lateral width.

    摘要翻译： 一些实施方案包括含有CNT束的装置。 起伏的形貌在碳纳米管之间和CNT之间的空间内延伸。 全局最大横向宽度被定义为任何空间的最大横向宽度。 材料直接在碳纳米管之上，其中材料是具有超过全局最大横向宽度的最小横截面赤道宽度的多个颗粒。 一些实施例包括在半导体衬底上形成多个交叉碳纳米管的方法。 CNT形成延伸跨过CNT并且在CNT之间的空间内的波状上部形貌。 全局最大横向宽度被定义为任何空间的最大横向宽度。 材料沉积在CNT上，其中材料被沉积成具有超过全局最大横向宽度的最小横截面赤道宽度的颗粒。

    Deposition methods with time spaced and time abutting precursor pulses
    3.
    发明授权
    Deposition methods with time spaced and time abutting precursor pulses 有权
    具有时间间隔和时间邻接前体脉冲的沉积方法

    公开(公告)号：US07271077B2

    公开(公告)日：2007-09-18

    申请号：US10734999

    申请日：2003-12-12

    申请人： Eugene Marsh ,  Brian Vaartstra ,  Paul J. Castrovillo ,  Cem Basceri ,  Garo J. Derderian ,  Gurtej S. Sandhu

    发明人： Eugene Marsh ,  Brian Vaartstra ,  Paul J. Castrovillo ,  Cem Basceri ,  Garo J. Derderian ,  Gurtej S. Sandhu

    IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/20

    CPC分类号： C30B25/14 ,  C23C16/45527 ,  C30B25/02

    摘要： An atomic layer deposition method includes positioning a semiconductor substrate within an atomic layer deposition chamber. A first precursor gas is flowed to the substrate within the atomic layer deposition chamber effective to form a first monolayer on the substrate. The first precursor gas flowing comprises a plurality of first precursor gas pulses. The plurality of first precursor gas pulses comprises at least one total period of time between two immediately adjacent first precursor gas pulses when no gas is fed to the chamber. After forming the first monolayer on the substrate, a second precursor gas different in composition from the first is flowed to the substrate within the deposition chamber effective to form a second monolayer on the first monolayer. Other aspects and implementations are contemplated.

    摘要翻译： 原子层沉积方法包括将半导体衬底定位在原子层沉积室内。 第一前体气体流到原子层沉积室内的衬底，有效地在衬底上形成第一单层。 第一前体气体流动包括多个第一前体气体脉冲。 多个第一前体气体脉冲包括当没有气体被供给到腔室时在两个紧邻的第一前体气体脉冲之间的至少一个总时间段。 在衬底上形成第一单层之后，组成不同于第一衬底的第二前体气体流入沉积室内的衬底，有效地在第一单层上形成第二单层。 考虑了其他方面和实现。

    Atomic layer deposition methods
    4.
    发明授权
    Atomic layer deposition methods 有权
    原子层沉积法

    公开(公告)号：US06673701B1

    公开(公告)日：2004-01-06

    申请号：US10229887

    申请日：2002-08-27

    申请人： Eugene Marsh ,  Brian Vaartstra ,  Paul J. Castrovillo ,  Cem Basceri ,  Garo J. Derderian ,  Gurtej S. Sandhu

    发明人： Eugene Marsh ,  Brian Vaartstra ,  Paul J. Castrovillo ,  Cem Basceri ,  Garo J. Derderian ,  Gurtej S. Sandhu

    IPC分类号： C30B2502

    CPC分类号： C30B25/14 ,  C23C16/45527 ,  C30B25/02

    摘要： An atomic layer deposition method includes positioning a semiconductor substrate within an atomic layer deposition chamber. A first precursor gas is flowed to the substrate within the atomic layer deposition chamber effective to form a first monolayer on the substrate. The first precursor gas flowing comprises a plurality of first precursor gas pulses. The plurality of first precursor gas pulses comprises at least one total period of time between two immediately adjacent first precursor gas pulses when no gas is fed to the chamber. After forming the first monolayer on the substrate, a second precursor gas different in composition from the first is flowed to the substrate within the deposition chamber effective to form a second monolayer on the first monolayer. Other aspects and implementations are contemplated.

    摘要翻译： 原子层沉积方法包括将半导体衬底定位在原子层沉积室内。 第一前体气体流到原子层沉积室内的衬底，有效地在衬底上形成第一单层。 第一前体气体流动包括多个第一前体气体脉冲。 多个第一前体气体脉冲包括当没有气体被供给到腔室时在两个紧邻的第一前体气体脉冲之间的至少一个总时间段。 在衬底上形成第一单层之后，组成不同于第一衬底的第二前体气体流入沉积室内的衬底，有效地在第一单层上形成第二单层。 考虑了其他方面和实现。

    Method of forming metal oxide and semimetal oxide
    6.
    发明申请
    Method of forming metal oxide and semimetal oxide 有权
    形成金属氧化物和半金属氧化物的方法

    公开(公告)号：US20060024441A1

    公开(公告)日：2006-02-02

    申请号：US10910219

    申请日：2004-08-02

    申请人： Eugene Marsh

    发明人： Eugene Marsh

    IPC分类号： C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/40 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645

    摘要： The invention includes methods of forming metal oxide and/or semimetal oxide. The invention can include formation of at least one metal-and-halogen-containing material and/or at least one semimetal-and-halogen-containing material over a semiconductor substrate surface. The material can be subjected to aminolysis followed by oxidation to convert the material to metal oxide and/or semimetal oxide. The aminolysis and oxidation can be separate ALD steps relative to one another, or can be conducted in a reaction chamber in a common processing step.

    摘要翻译： 本发明包括形成金属氧化物和/或半金属氧化物的方法。 本发明可以包括在半导体衬底表面上形成至少一种含金属和卤素的材料和/或至少一种含有半金属和卤素的材料。 该材料可以进行氨解，随后进行氧化以将材料转化为金属氧化物和/或半金属氧化物。 氨解和氧化可以是相对于彼此分离的ALD步骤，或者可以在共同的加工步骤中在反应室中进行。

    Conductive nanoparticles
    9.
    发明申请
    Conductive nanoparticles 有权
    导电纳米粒子

    公开(公告)号：US20070092989A1

    公开(公告)日：2007-04-26

    申请号：US11197184

    申请日：2005-08-04

    申请人： Brenda Kraus ,  Eugene Marsh

    发明人： Brenda Kraus ,  Eugene Marsh

    IPC分类号： H01L51/40

    CPC分类号： H01L29/42332 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/7881 ,  Y10S438/964 ,  Y10S977/943

    摘要： Isolated conductive nanoparticles on a dielectric layer and methods of fabricating such isolated conductive nanoparticles provide charge storage units in electronic structures for use in a wide range of electronic devices and systems. The isolated conductive nanoparticles may be used as a floating gate in a flash memory. In an embodiment, conductive nanoparticles are deposited on a dielectric layer by a plasma-assisted deposition process such that each conductive nanoparticle is isolated from the other conductive nanoparticles to configure the conductive nanoparticles as charge storage elements.

    摘要翻译： 电介质层上的隔离导电纳米颗粒和制造这种隔离导电纳米颗粒的方法提供电子结构中的电荷存储单元，用于广泛的电子设备和系统。 隔离的导电纳米颗粒可以用作闪存中的浮动栅极。 在一个实施例中，通过等离子体辅助沉积工艺将导电纳米颗粒沉积在电介质层上，使得每个导电纳米颗粒与其它导电纳米颗粒分离，以将导电纳米颗粒配置为电荷存储元件。