公开(公告)号：US09123663B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US12136682

申请日：2008-06-10

申请人： OhHan Kim ,  SeungWon Kim ,  JoungUn Park

发明人： OhHan Kim ,  SeungWon Kim ,  JoungUn Park

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/552 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/561 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/552 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A shielded semiconductor device is made by mounting semiconductor die to a first substrate. An encapsulant is formed over the semiconductor die and first substrate. A dicing channel is formed through the encapsulant between the semiconductor die. A hole is drilled in the first substrate along the dicing channel on each side of the semiconductor die. A shielding layer is formed over the encapsulant and semiconductor die. The hole is lined with the shielding layer. The first substrate is singulated to separate the semiconductor die. The first substrate is mounted to a second substrate. A metal pillar is formed in the opening to electrically connect the shielding layer to a ground plane in the second substrate. The metal pillar includes a hook for a mechanically secure connection to the shielding layer. An interconnect structure is formed on the first substrate to electrically connect the semiconductor die to the second substrate.

摘要翻译： 通过将半导体管芯安装到第一基板上来制造屏蔽半导体器件。 在半导体管芯和第一基板上形成密封剂。 通过半导体管芯之间的密封剂形成切割通道。 沿着半导体管芯的每一侧上的切割通道在第一基板中钻出一个孔。 在密封剂和半导体管芯上方形成屏蔽层。 孔内衬有屏蔽层。 单个第一衬底以分离半导体管芯。 第一基板安装到第二基板。 金属柱形成在开口中，以将屏蔽层电连接到第二基板中的接地平面。 金属柱包括用于与屏蔽层机械固定连接的钩。 在第一基板上形成互连结构，以将半导体管芯电连接到第二基板。

公开(公告)号：US20090302436A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12136682

申请日：2008-06-10

申请人： OhHan Kim ,  SeungWon Kim ,  JoungUn Park

发明人： OhHan Kim ,  SeungWon Kim ,  JoungUn Park

IPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/561 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/552 ,  H01L24/48 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： A shielded semiconductor device is made by mounting semiconductor die to a first substrate. An encapsulant is formed over the semiconductor die and first substrate. A dicing channel is formed through the encapsulant between the semiconductor die. A hole is drilled in the first substrate along the dicing channel on each side of the semiconductor die. A shielding layer is formed over the encapsulant and semiconductor die. The hole is lined with the shielding layer. The first substrate is singulated to separate the semiconductor die. The first substrate is mounted to a second substrate. A metal pillar is formed in the opening to electrically connect the shielding layer to a ground plane in the second substrate. The metal pillar includes a hook for a mechanically secure connection to the shielding layer. An interconnect structure is formed on the first substrate to electrically connect the semiconductor die to the second substrate.

摘要翻译： 通过将半导体管芯安装到第一基板上来制造屏蔽半导体器件。 在半导体管芯和第一基板上形成密封剂。 通过半导体管芯之间的密封剂形成切割通道。 沿着半导体管芯的每一侧上的切割通道在第一基板中钻出一个孔。 在密封剂和半导体管芯上方形成屏蔽层。 孔内衬有屏蔽层。 单个第一衬底以分离半导体管芯。 第一基板安装到第二基板。 金属柱形成在开口中，以将屏蔽层电连接到第二基板中的接地平面。 金属柱包括用于与屏蔽层机械固定连接的钩。 在第一基板上形成互连结构，以将半导体管芯电连接到第二基板。

公开(公告)号：US20120126395A1

公开(公告)日：2012-05-24

申请号：US12949396

申请日：2010-11-18

申请人： KyungHoon Lee ,  Soo Moon Park ,  SeungWon Kim

发明人： KyungHoon Lee ,  Soo Moon Park ,  SeungWon Kim

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81805

摘要： A semiconductor device has an interposer frame having a die attach area. A uniform height insulating layer is formed over the interposer frame at corners of the die attach area. The insulating layer can be formed as rectangular or circular pillars at the corners of the die attach area. The insulating layer can also be formed in a central region of the die attach area. A semiconductor die has a plurality of bumps formed over an active surface of the semiconductor die. The bumps can have a non-fusible portion and fusible portion. The semiconductor die is mounted over the insulating layer which provides a uniform standoff distance between the semiconductor die and interposer frame. The bumps of the semiconductor die are bonded to the interposer frame. An encapsulant is deposited over the semiconductor die and interposer frame and between the semiconductor die and interposer frame.

摘要翻译： 半导体器件具有具有管芯附着区域的插入器框架。 在芯片安装区域的角部，在插入器框架上形成均匀的高度绝缘层。 绝缘层可以在芯片安装区域的角部处形成为矩形或圆形的支柱。 绝缘层也可以形成在芯片附着区域的中心区域中。 半导体管芯具有形成在半导体管芯的有源表面上的多个凸点。 凸块可以具有不可熔部分和易熔部分。 半导体管芯安装在绝缘层上，其在半导体管芯和内插器框架之间提供均匀的间隔距离。 半导体管芯的凸点接合到插入器框架。 密封剂沉积在半导体管芯和内插器框架之间以及半导体管芯和内插器框架之间。

公开(公告)号：US08877567B2

公开(公告)日：2014-11-04

申请号：US12949396

申请日：2010-11-18

申请人： KyungHoon Lee ,  Soo Moon Park ,  SeungWon Kim

发明人： KyungHoon Lee ,  Soo Moon Park ,  SeungWon Kim

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/3121 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81805

摘要： A semiconductor device has an interposer frame having a die attach area. A uniform height insulating layer is formed over the interposer frame at corners of the die attach area. The insulating layer can be formed as rectangular or circular pillars at the corners of the die attach area. The insulating layer can also be formed in a central region of the die attach area. A semiconductor die has a plurality of bumps formed over an active surface of the semiconductor die. The bumps can have a non-fusible portion and fusible portion. The semiconductor die is mounted over the insulating layer which provides a uniform standoff distance between the semiconductor die and interposer frame. The bumps of the semiconductor die are bonded to the interposer frame. An encapsulant is deposited over the semiconductor die and interposer frame and between the semiconductor die and interposer frame.

摘要翻译： 半导体器件具有具有管芯附着区域的插入器框架。 在芯片安装区域的角部，在插入器框架上形成均匀的高度绝缘层。 绝缘层可以在芯片安装区域的角部处形成为矩形或圆形的支柱。 绝缘层也可以形成在芯片附着区域的中心区域中。 半导体管芯具有形成在半导体管芯的有源表面上的多个凸点。 凸块可以具有不可熔部分和易熔部分。 半导体管芯安装在绝缘层上，其在半导体管芯和内插器框架之间提供均匀的间隔距离。 半导体管芯的凸点接合到插入器框架。 密封剂沉积在半导体管芯和内插器框架之间以及半导体管芯和内插器框架之间。

公开(公告)号：US08409918B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12875998

申请日：2010-09-03

申请人： DaeWook Yang ,  SeungWon Kim ,  MinJung Kim

发明人： DaeWook Yang ,  SeungWon Kim ,  MinJung Kim

IPC分类号： H01L21/44 ,  H01L23/02

CPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/562 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device has a substrate with a plurality of conductive vias formed through the substrate and conductive layer formed over the substrate. A first encapsulant is deposited over the substrate outside a die attach area of the substrate. The first encapsulant surrounds each die attach area over the substrate and the die attach area is devoid of the first encapsulant. A channel connecting adjacent die attach areas is also devoid of the first encapsulant. A first semiconductor die is mounted over the substrate within the die attach area after forming the first encapsulant. A second semiconductor die is mounted over the first die within the die attach area. An underfill material can be deposited under the first and second die. A second encapsulant is deposited over the first and second die and first encapsulant. The first encapsulant reduces warpage of the substrate during die mounting.

摘要翻译： 半导体器件具有衬底，其具有通过衬底形成的多个导电通孔和形成在衬底上的导电层。 第一密封剂沉积在衬底的管芯附着区域外部的衬底上。 第一密封剂围绕衬底上的每个管芯附着区域，并且管芯附着区域没有第一密封剂。 连接相邻管芯附着区域的通道也没有第一密封剂。 在形成第一密封剂之后，第一半导体管芯安装在管芯附着区域内的衬底上。 第二半导体管芯安装在管芯附着区域内的第一管芯上。 可以在第一和第二模具下沉积底部填充材料。 第二密封剂沉积在第一和第二管芯和第一密封剂上。 第一密封剂在模具安装期间减少基板的翘曲。

公开(公告)号：US20120056334A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US12875998

申请日：2010-09-03

申请人： DaeWook Yang ,  SeungWon Kim ,  MinJung Kim

发明人： DaeWook Yang ,  SeungWon Kim ,  MinJung Kim

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/562 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00012

摘要： A semiconductor device has a substrate with a plurality of conductive vias formed through the substrate and conductive layer formed over the substrate. A first encapsulant is deposited over the substrate outside a die attach area of the substrate. The first encapsulant surrounds each die attach area over the substrate and the die attach area is devoid of the first encapsulant. A channel connecting adjacent die attach areas is also devoid of the first encapsulant. A first semiconductor die is mounted over the substrate within the die attach area after forming the first encapsulant. A second semiconductor die is mounted over the first die within the die attach area. An underfill material can be deposited under the first and second die. A second encapsulant is deposited over the first and second die and first encapsulant. The first encapsulant reduces warpage of the substrate during die mounting.

摘要翻译： 半导体器件具有衬底，其具有通过衬底形成的多个导电通孔和形成在衬底上的导电层。 第一密封剂沉积在衬底的管芯附着区域外部的衬底上。 第一密封剂围绕衬底上的每个管芯附着区域，并且管芯附着区域没有第一密封剂。 连接相邻管芯附着区域的通道也没有第一密封剂。 在形成第一密封剂之后，第一半导体管芯安装在管芯附着区域内的衬底上。 第二半导体管芯安装在管芯附着区域内的第一管芯上。 可以在第一和第二模具下沉积底部填充材料。 第二密封剂沉积在第一和第二管芯和第一密封剂上。 第一密封剂在模具安装期间减少基底的翘曲。