利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

37 条记录 (耗时 0.036 秒)

    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20110089416A1

    公开(公告)日：2011-04-21

    申请号：US12906175

    申请日：2010-10-18

    申请人： Shunpei YAMAZAKI ,  Kunihiko SUZUKI ,  Masahiro TAKAHASHI

    发明人： Shunpei YAMAZAKI ,  Kunihiko SUZUKI ,  Masahiro TAKAHASHI

    IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/34

    CPC分类号： H01L21/02664 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L23/564 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An object is to provide a semiconductor device with stable electric characteristics in which an oxide semiconductor is used. An impurity such as hydrogen or moisture (e.g., a hydrogen atom or a compound containing a hydrogen atom such as H2O) is eliminated from an oxide semiconductor layer with use of a halogen element typified by fluorine or chlorine, so that the impurity concentration in the oxide semiconductor layer is reduced. A gate insulating layer and/or an insulating layer provided in contact with the oxide semiconductor layer can be formed to contain a halogen element. In addition, a halogen element may be attached to the oxide semiconductor layer through plasma treatment under an atmosphere of a gas containing a halogen element.

    摘要翻译： 本发明的目的是提供一种其中使用氧化物半导体的稳定电特性的半导体器件。 使用以氟或氯为代表的卤素元素，从氧化物半导体层中除去氢或水分等杂质（例如氢原子或含有氢原子的化合物，例如H 2 O），使得杂质浓度 氧化物半导体层减少。 可以形成与氧化物半导体层接触设置的栅极绝缘层和/或绝缘层以含有卤素元素。 此外，卤素元素可以在含有卤素元素的气体的气氛下通过等离子体处理附着到氧化物半导体层。

    ELECTRONIC DEVICE
    3.
    发明申请
    ELECTRONIC DEVICE 有权
    电子设备

    公开(公告)号：US20150294705A1

    公开(公告)日：2015-10-15

    申请号：US14563690

    申请日：2014-12-08

    申请人： Ji-Wang LEE ,  Dong-Keun KIM ,  Masahiro TAKAHASHI ,  Tsuneo INABA

    发明人： Ji-Wang LEE ,  Dong-Keun KIM ,  Masahiro TAKAHASHI ,  Tsuneo INABA

    IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C13/00

    CPC分类号： G11C11/1673 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/5607 ,  G11C11/5657 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C16/28 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/79

    摘要： A semiconductor memory unit includes first to Nth variable resistance elements each having different resistance values according to values stored therein, wherein N is a natural number equal to or greater than 2; a reference resistance element having a first reference resistance value; and first to Nth comparison units which correspond to the first to Nth variable resistance elements, respectively, and each of which determines whether a resistance value of the corresponding variable resistance element is greater or less than a second reference resistance value, wherein the first to Nth comparison units are commonly coupled to the reference resistance element.

    摘要翻译： 半导体存储单元包括根据存储在其中的值具有不同电阻值的第一至第N可变电阻元件，其中N是等于或大于2的自然数; 具有第一参考电阻值的参考电阻元件; 以及分别对应于第一至第N可变电阻元件的第一至第N比较单元，并且每个比较单元确定相应的可变电阻元件的电阻值是否大于或小于第二参考电阻值，其中第一至第N 比较单元通常耦合到参考电阻元件。

    RESISTANCE CHANGE MEMORY
    4.
    发明申请
    RESISTANCE CHANGE MEMORY 有权
    电阻变化记忆

    公开(公告)号：US20150055396A1

    公开(公告)日：2015-02-26

    申请号：US14201664

    申请日：2014-03-07

    申请人： Masahiro TAKAHASHI

    发明人： Masahiro TAKAHASHI

    IPC分类号： G11C13/00

    CPC分类号： G11C13/0021 ,  G11C5/147 ,  G11C5/148 ,  G11C7/00 ,  G11C7/06 ,  G11C7/14 ,  G11C11/16 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/1693 ,  G11C11/1697 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/28 ,  G11C29/021 ,  G11C2013/0054

    摘要： According to one embodiment, a resistance change memory includes a first memory cell, a word line, a first bit line, first and second inverters, first to sixth MOS transistors, and a control circuit. The first transistor is connected to the first output terminal of the first inverter. The second transistor is connected to the second output terminal of the second inverter. The fifth transistor has a first current path whose one end is connected to the first voltage terminal of the first inverter. The sixth transistor has a second current path whose one end is connected to the third voltage terminal of the second inverter. The control circuit makes the first and second transistors a cutoff state by a first signal and makes the fifth and sixth transistors the cutoff state by a second signal in a standby state.

    摘要翻译： 根据一个实施例，电阻变化存储器包括第一存储单元，字线，第一位线，第一和第二反相器，第一至第六MOS晶体管和控制电路。 第一晶体管连接到第一反相器的第一输出端。 第二晶体管连接到第二反相器的第二输出端。 第五晶体管具有第一电流路径，其一端连接到第一反相器的第一电压端子。 第六晶体管具有第二电流路径，其一端连接到第二反相器的第三电压端子。 控制电路通过第一信号使第一和第二晶体管成为截止状态，并且在待机状态下通过第二信号使第五和第六晶体管成为截止状态。

    THIN FILM TRANSISTOR
    6.
    发明申请
    THIN FILM TRANSISTOR 有权
    薄膜晶体管

    公开(公告)号：US20110121289A1

    公开(公告)日：2011-05-26

    申请号：US12950186

    申请日：2010-11-19

    申请人： Akiharu MIYANAGA ,  Junichiro SAKATA ,  Masayuki SAKAKURA ,  Masahiro TAKAHASHI ,  Hideyuki KISHIDA ,  Shunpei YAMAZAKI

    发明人： Akiharu MIYANAGA ,  Junichiro SAKATA ,  Masayuki SAKAKURA ,  Masahiro TAKAHASHI ,  Hideyuki KISHIDA ,  Shunpei YAMAZAKI

    IPC分类号： H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41733

    摘要： A thin film transistor including an oxide semiconductor with favorable electrical characteristics is provided. The thin film transistor includes a gate electrode provided over a substrate, a gate insulating film provided over the gate electrode, an oxide semiconductor film provided over the gate electrode and on the gate insulating film, a metal oxide film provided on the oxide semiconductor film, and a metal film provided on the metal oxide film. The oxide semiconductor film is in contact with the metal oxide film, and includes a region whose concentration of metal is higher than that of any other region in the oxide semiconductor film (a high metal concentration region). In the high metal concentration region, the metal contained in the oxide semiconductor film may be present as a crystal grain or a microcrystal.

    摘要翻译： 提供了包括具有良好电特性的氧化物半导体的薄膜晶体管。 薄膜晶体管包括设置在基板上的栅极电极，设置在栅极上的栅极绝缘膜，设置在栅电极和栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，设置在氧化物半导体膜上的金属氧化物膜， 以及设置在金属氧化物膜上的金属膜。 氧化物半导体膜与金属氧化物膜接触，并且包括金属的浓度高于氧化物半导体膜中的任何其它区域（高金属浓度区域）的区域。 在高金属浓度区域中，包含在氧化物半导体膜中的金属可以作为晶粒或微晶存在。

    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
    8.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 审中-公开
    半导体存储器件

    公开(公告)号：US20160064059A1

    公开(公告)日：2016-03-03

    申请号：US14627592

    申请日：2015-02-20

    申请人： Masahiro TAKAHASHI

    发明人： Masahiro TAKAHASHI

    IPC分类号： G11C11/16

    CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1693 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/79 ,  G11C2213/82

    摘要： According to one embodiment, a semiconductor memory device comprises a memory cell including a variable resistance element, a sense amplifier connected to one side of the memory cell, and a write driver connected to the other side of the memory cell. A write current flows between the sense amplifier and the write driver in a write operation.

    摘要翻译： 根据一个实施例，半导体存储器件包括存储单元，该存储单元包括可变电阻元件，连接到存储单元的一侧的读出放大器以及与该存储单元的另一侧连接的写入驱动器。 在写入操作中，写入电流在读出放大器和写入驱动器之间流动。

    RESISTANCE CHANGE MEMORY
    9.
    发明申请
    RESISTANCE CHANGE MEMORY 有权
    电阻变化记忆

    公开(公告)号：US20140286080A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：US14018011

    申请日：2013-09-04

    申请人： Masahiro TAKAHASHI ,  Dong Keun KIM ,  Hyuck Sang YIM

    发明人： Masahiro TAKAHASHI ,  Dong Keun KIM ,  Hyuck Sang YIM

    IPC分类号： G11C13/00

    CPC分类号： G11C13/003 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054

    摘要： According to one embodiment, a resistance change memory includes the following configuration. A first inverter includes first input and first output terminals and first and second voltage terminals. A second inverter includes second input and second output terminals and third and fourth voltage terminals. The second input terminal is connected to the first output terminal. The second output terminal is connected to the first input terminal. First and second transistors are connected to the first and second output terminals, respectively. Third and fourth transistors are connected to the first and third voltage terminals, respectively. A fifth transistor is connected between the first voltage terminal and the first memory cell. A sixth transistor is connected to the third voltage terminal. A controller turns on the first and second transistors, after turning off the fifth and sixth transistors.

    摘要翻译： 根据一个实施例，电阻变化存储器包括以下配置。 第一反相器包括第一输入端和第一输出端以及第一和第二电压端。 第二反相器包括第二输入端和第二输出端以及第三和第四电压端。 第二输入端子连接到第一输出端子。 第二输出端子连接到第一输入端子。 第一和第二晶体管分别连接到第一和第二输出端子。 第三和第四晶体管分别连接到第一和第三电压端子。 第五晶体管连接在第一电压端和第一存储单元之间。 第六晶体管连接到第三电压端子。 在关闭第五和第六晶体管之后，控制器接通第一和第二晶体管。