公开(公告)号：US4796067A

公开(公告)日：1989-01-03

申请号：US828254

申请日：1986-02-11

申请人： Akira Shimizu ,  Toshitami Hara ,  Hidetoshi Nojiri ,  Isao Hakamada ,  Seiichi Miyazawa ,  Yoshinobu Sekiguchi

发明人： Akira Shimizu ,  Toshitami Hara ,  Hidetoshi Nojiri ,  Isao Hakamada ,  Seiichi Miyazawa ,  Yoshinobu Sekiguchi

IPC分类号： H01L29/80 ,  H01L21/331 ,  H01L29/15 ,  H01L29/201 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737 ,  H01L29/812 ,  H01S5/00 ,  H01S5/343 ,  H01L27/12 ,  H01L33/00

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01L29/155 ,  H01L29/7376 ,  H01L29/8122 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/3432

摘要： A semiconductor device having a plurality of laminated semiconductor layers in which a current flows in the direction of lamination. A superlattice layer is formed in at least one of the layers and the potential of the quantum well of the superlattice layer is lower than the potential of the semiconductor layer in which the superlattice layer is formed. The potential of the barrier of the superlattice layer is higher than the potential of the semiconductor layer in which said superlattice layer is formed.

摘要翻译： 一种半导体器件，其具有电流沿层叠方向流动的多个层叠半导体层。 在至少一层中形成超晶格层，并且超晶格层的量子阱的电位低于其中形成超晶格层的半导体层的电位。 超晶格层的势垒的电位高于形成所述超晶格层的半导体层的电位。

公开(公告)号：US4971415A

公开(公告)日：1990-11-20

申请号：US312311

申请日：1989-02-17

申请人： Toshitami Hara ,  Akira Shimizu ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Seiichi Miyazawa ,  Hidetoshi Nojiri ,  Isao Hakamada

发明人： Toshitami Hara ,  Akira Shimizu ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Seiichi Miyazawa ,  Hidetoshi Nojiri ,  Isao Hakamada

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L33/20 ,  H01S5/026 ,  H01S5/062 ,  H01S5/125 ,  H01S5/40 ,  H04N1/036

CPC分类号： H04N1/036 ,  H01L27/153 ,  H01S5/026 ,  H01S5/125 ,  H01S5/4031 ,  H01L33/20 ,  H01S5/06243 ,  H01S5/4056

摘要： In a multibeam emitting device provided with a plurality of semiconductive light-emitting elements monolithically formed on a semiconductor substrate, the semiconductor light-emitting elements are formed so that the directions of emission of the lights emitted from the elements differ from one another.

摘要翻译： 在设置有多个半导体发光元件的单片半导体发光元件的多光束发射器件中，半导体发光元件被形成为使得从元件发射的光的发射方向彼此不同。

公开(公告)号：US4829534A

公开(公告)日：1989-05-09

申请号：US814772

申请日：1985-12-30

申请人： Seiichi Miyazawa ,  Hidetoshi Nojiri ,  Toshitami Hara ,  Akira Shimizu ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Isao Hakamada

发明人： Seiichi Miyazawa ,  Hidetoshi Nojiri ,  Toshitami Hara ,  Akira Shimizu ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Isao Hakamada

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/042 ,  H01S5/20

CPC分类号： H01S5/0424 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2059

摘要： A semiconductor laser device wherein a depletion layer is formed in a laser activation layer by biasing the laser device and a third terminal controls an injection current flowing between first and second terminals of the device.

摘要翻译： 一种半导体激光器件，其中通过偏置激光器件在激光激活层中形成耗尽层，并且第三端子控制在器件的第一和第二端子之间流动的注入电流。

公开(公告)号：US4794611A

公开(公告)日：1988-12-27

申请号：US809770

申请日：1985-12-17

申请人： Toshitami Hara ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Seiichi Miyazawa ,  Hidetoshi Nojiri ,  Akira Shimizu ,  Isao Hakamada

发明人： Toshitami Hara ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Seiichi Miyazawa ,  Hidetoshi Nojiri ,  Akira Shimizu ,  Isao Hakamada

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34 ,  H01S3/19

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/20 ,  H01S5/34 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2013 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3216

摘要： There is disclosed a semiconductor laser having a super lattice structure near an active layer, in which the super lattice structure consists of at least two types of materials which have different bandgaps, the materials are regularly and alternately arranged, and thickness of adjacent layers of the materials change such that a ratio of the thicknesses changes within the super lattice structure toward an active layer.

摘要翻译： 公开了一种在有源层附近具有超晶格结构的半导体激光器，其中超晶格结构由至少两种具有不同带隙的材料组成，材料规则地和交替地布置，并且相邻层的厚度 材料的变化使得厚度的比例在超晶格结构内向活性层变化。

公开(公告)号：US4794609A

公开(公告)日：1988-12-27

申请号：US807504

申请日：1985-12-11

申请人： Toshitami Hara ,  Seiichi Miyazawa ,  Hidetoshi Nojiri ,  Akira Shimizu ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Isao Hakamada

发明人： Toshitami Hara ,  Seiichi Miyazawa ,  Hidetoshi Nojiri ,  Akira Shimizu ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Isao Hakamada

IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S5/026 ,  H01S5/40 ,  H01S3/19 ,  H01L31/12

CPC分类号： H01S5/0264 ,  H01S5/4031

摘要： A semiconductor laser comprises a plurality of lasers provided in the form of an array, the lasers being monolithically formed, a plurality of photodetector elements being monolithically formed, a plurality of first separating portions for separating the lasers and the photodetector elements from each other, and at least one second separating portion for separating the plurality of lasers from one another and the plurality of photodetector elements from one another.

摘要翻译： 半导体激光器包括以阵列形式提供的多个激光器，激光器被单片地形成，多个光电检测器元件被单片地形成，多个用于将激光器和光电检测器元件彼此分开的第一分离部分，以及 至少一个第二分离部分，用于将所述多个激光彼此分离，并且所述多个光电检测器元件彼此分离。

公开(公告)号：US4799229A

公开(公告)日：1989-01-17

申请号：US49165

申请日：1987-05-13

申请人： Seiichi Miyazawa ,  Toshitami Hara ,  Hidetoshi Nojiri ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Mitsutoshi Hasegawa ,  Sotomitsu Ikeda

发明人： Seiichi Miyazawa ,  Toshitami Hara ,  Hidetoshi Nojiri ,  Yoshinobu Sekiguchi ,  Mitsutoshi Hasegawa ,  Sotomitsu Ikeda

IPC分类号： G11B7/125 ,  G11B7/14 ,  H01S5/10 ,  H01S5/40 ,  H01S3/19

CPC分类号： G11B7/127 ,  H01S5/10 ,  H01S5/4031 ,  G11B7/14 ,  H01S5/4056

摘要： A semiconductor laser array includes plural semiconductor laser elements each emitting light from two end faces constituting resonant planes and monolithically formed on a semiconductor substrate, in which the mutual angle of the beams emerging from one end of semiconductor lasers is different from that from the other end and in which the beam angle is selected as a non-zero finite value at least one end.

摘要翻译： 半导体激光器阵列包括多个半导体激光元件，每个半导体激光元件从构成谐振平面的两个端面发射光并且单片地形成在半导体衬底上，其中从半导体激光器的一端出射的光束的相互角度与另一端的相互角度不同 并且其中束角被选择为至少一端的非零有限值。

公开(公告)号：US4706254A

公开(公告)日：1987-11-10

申请号：US608510

申请日：1984-05-09

申请人： Hidetoshi Nojiri ,  Seiichi Miyazawa ,  Isao Hakamada ,  Yoshioki Hajimoto

发明人： Hidetoshi Nojiri ,  Seiichi Miyazawa ,  Isao Hakamada ,  Yoshioki Hajimoto

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/223 ,  H01S5/227 ,  H01S5/323 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01S5/2232 ,  H01S5/227 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/2209 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2234 ,  H01S5/2235 ,  H01S5/2237 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/32308

摘要： A semiconductor device is constructed with a monocrystalline semiconductor layer laminated in a strip-pattern on a substrate, and amorphous or polycrystalline semiconductor layer formed on the substrate in a manner to encompass the monocrystalline semiconductor layers. The monocrystalline semiconductor layer comprises a plurality of layers including a laser active layer.

摘要翻译： 半导体器件由在衬底上以条状图案层叠的单晶半导体层和以包围单晶半导体层的方式形成在衬底上的非晶或多晶半导体层构成。 单晶半导体层包括包括激光活性层的多个层。

公开(公告)号：US08334497B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12539322

申请日：2009-08-11

申请人： Yousuke Takubo ,  Seiichi Miyazawa

发明人： Yousuke Takubo ,  Seiichi Miyazawa

IPC分类号： G02B27/10

CPC分类号： H01L27/14632 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629

摘要： An image sensor includes a pixel array with a plurality of pixels, wherein each of the plurality of pixels includes: a photoelectric conversion unit; and a waveguide structure in which a side face of a substance that has a higher refractive index than a refractive index of a plurality of insulation films is surrounded by the plurality of insulation films so that light is guided to the photoelectric conversion unit, and wherein an insulation film that surrounds a region where the light is concentrated of the side face of the substance has the lowest refractive index among the plurality of insulation films.

摘要翻译： 图像传感器包括具有多个像素的像素阵列，其中多个像素中的每一个包括：光电转换单元; 以及波导结构，其中具有比多个绝缘膜的折射率高的折射率的物质的侧面被所述多个绝缘膜包围，使得光被引导到所述光电转换单元，并且其中 围绕物质的侧面的光集中的区域的绝缘膜在多个绝缘膜中具有最低的折射率。

公开(公告)号：US06288410B1

公开(公告)日：2001-09-11

申请号：US08944586

申请日：1997-10-06

申请人： Seiichi Miyazawa

发明人： Seiichi Miyazawa

IPC分类号： H01L3300

CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/06236 ,  H01S5/0625 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/4043 ,  H01S2301/14

摘要： An optical semiconductor device includes a substrate and an active region formed on the substrate. The active region includes a plurality of quantum well layers containing at least one tensile-strained well layer, and the plurality of quantum well layers include a plurality of quantum well layers whose band gaps are different from each other. Such an active region makes it possible to expand a wavelength range over which TE-mode and TM-mode gains balance with each other or are approximately equal to each other.

摘要翻译： 光学半导体器件包括衬底和形成在衬底上的有源区。 活性区域包括含有至少一个拉伸应变阱层的多个量子阱层，并且多个量子阱层包括其带隙彼此不同的多个量子阱层。 这样的有源区域使得可以扩展TE模和TM模增益彼此平衡的波长范围或者彼此大致相等的波长范围。

公开(公告)号：US5663592A

公开(公告)日：1997-09-02

申请号：US504487

申请日：1995-07-20

申请人： Seiichi Miyazawa ,  Mitsuru Ohtsuka ,  Natsuhiko Mizutani

发明人： Seiichi Miyazawa ,  Mitsuru Ohtsuka ,  Natsuhiko Mizutani

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/775 ,  H01L33/16 ,  H01S5/02 ,  H01S5/10 ,  H01S5/12 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/30 ,  H01S5/32 ,  H01S5/34 ,  H01L29/04 ,  H01S3/19

CPC分类号： H01L33/16 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  H01L29/125 ,  H01L29/775 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/341 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/1003 ,  H01S5/1215 ,  H01S5/1218 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/183 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3081 ,  H01S5/3203

摘要： A semiconductor device has a substrate composed of a semiconductor which has one of sphalerite and diamond crystal structures. The substrate has a plane orientation inclined at 0.5.degree. to 15.degree. with respect to one of {111} and {110} planes indicated by Miller indices. A first semiconductor layer is formed on the substrate. The first semiconductor layer has a sawtooth-shaped first periodic structure consisting of one of the {111} and {110} planes indicated by the Miller indices and at least one plane indicated by another index. A second semiconductor layer is formed on the first semiconductor layer. The second semiconductor layer has a second periodic structure having a phase shifted from a phase of the first periodic structure.

摘要翻译： 半导体器件具有由具有闪锌矿和金刚石晶体结构之一的半导体构成的衬底。 相对于由米勒指数表示的{111}和{110}平面之一，基板具有倾斜0.5°至15°的平面取向。 在基板上形成第一半导体层。 第一半导体层具有锯齿形的第一周期性结构，其包括由米勒指数表示的{111}和{110}平面之一以及由另一个指标指示的至少一个平面。 在第一半导体层上形成第二半导体层。 第二半导体层具有从第一周期性结构的相位偏移的第二周期性结构。