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    Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures
    3.
    发明授权
    Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures 有权
    形成金红石型二氧化钛的方法和形成半导体结构的相关方法

    公开(公告)号：US08609553B2

    公开(公告)日：2013-12-17

    申请号：US13021895

    申请日：2011-02-07

    申请人： Tsai-Yu Huang ,  Vishwanath Bhat ,  Vassil Antonov ,  Chris Carlson

    发明人： Tsai-Yu Huang ,  Vishwanath Bhat ,  Vassil Antonov ,  Chris Carlson

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/321 ,  H01L28/40

    摘要： Methods of forming rutile titanium dioxide. The method comprises exposing a transition metal (such as V, Cr, W, Mn, Ru, Os, Rh, Ir, Pt, Ge, Sn, or Pb) to oxygen gas (O2) to oxidize the transition metal. Rutile titanium dioxide is formed over the oxidized transition metal. The rutile titanium dioxide is formed by atomic layer deposition by introducing a gaseous titanium halide precursor and water to the oxidized transition metal. Methods of forming semiconductor structures having rutile titanium dioxide are also disclosed.

    摘要翻译： 形成金红石二氧化钛的方法。 该方法包括将过渡金属（例如V，Cr，W，Mn，Ru，Os，Rh，Ir，Pt，Ge，Sn或Pb）暴露于氧气（O 2）以氧化过渡金属。 在氧化过渡金属上形成金红石二氧化钛。 金红石型二氧化钛是通过将氧化钛前体和水引入到氧化过渡金属中而通过原子层沉积形成的。 还公开了形成具有金红石型二氧化钛的半导体结构的方法。

    Capacitors including a rutile titanium dioxide material and semiconductor devices incorporating same
    5.
    发明授权
    Capacitors including a rutile titanium dioxide material and semiconductor devices incorporating same 有权
    包括金红石型二氧化钛材料的电容器和结合其的半导体器件

    公开(公告)号：US08564095B2

    公开(公告)日：2013-10-22

    申请号：US13021910

    申请日：2011-02-07

    申请人： Tsai-Yu Huang ,  Vishwanath Bhat ,  Vassil Antonov ,  Chun-I Hsieh ,  Chris Carlson

    发明人： Tsai-Yu Huang ,  Vishwanath Bhat ,  Vassil Antonov ,  Chun-I Hsieh ,  Chris Carlson

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L27/10855 ,  H01G4/20 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02244 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/90

    摘要： Methods of forming a capacitor including forming at least one aperture in a support material, forming a titanium nitride material within the at least one aperture, forming a ruthenium material within the at least one aperture over the titanium nitride material, and forming a first conductive material over the ruthenium material within the at least one aperture. The support material may then be removed and the titanium nitride material may be oxidized to form a titanium dioxide material. A second conductive material may then be formed over an outer surface of the titanium dioxide material. Capacitors, semiconductor devices and methods of forming a semiconductor device including the capacitors are also disclosed.

    摘要翻译： 形成电容器的方法包括在支撑材料中形成至少一个孔，在所述至少一个孔内形成氮化钛材料，在所述氮化钛材料的所述至少一个孔内形成钌材料，以及形成第一导电材料 在该至少一个孔内的钌材料上。 然后可以移除支撑材料，并且氮化钛材料可被氧化以形成二氧化钛材料。 然后可以在二氧化钛材料的外表面上形成第二导电材料。 还公开了电容器，半导体器件和形成包括电容器的半导体器件的方法。

    CAPACITOR STRUCTURE WITH METAL BILAYER AND METHOD FOR USING THE SAME
    8.
    发明申请
    CAPACITOR STRUCTURE WITH METAL BILAYER AND METHOD FOR USING THE SAME 有权
    金属双层电容器结构及其使用方法

    公开(公告)号：US20120267757A1

    公开(公告)日：2012-10-25

    申请号：US13090277

    申请日：2011-04-20

    申请人： Vassil Antonov ,  Vishwanath Bhat ,  Chris Carlson

    发明人： Vassil Antonov ,  Vishwanath Bhat ,  Chris Carlson

    IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L21/04

    CPC分类号： H01L28/75 ,  H01L27/10844 ,  H01L28/65

    摘要： A method for using a metal bilayer is disclosed. First, a bottom electrode is provided. Second, a dielectric layer which is disposed on and is in direct contact with the lower electrode is provided. Then, a metal bilayer which serves as a top electrode in a capacitor is provided. The metal bilayer is disposed on and is in direct contact with the dielectric layer. The metal bilayer consists of a noble metal in direct contact with the dielectric layer and a metal nitride in direct contact with the noble metal.

    摘要翻译： 公开了一种使用金属双层的方法。 首先，设置底部电极。 第二，提供了设置在下电极上并与下电极直接接触的电介质层。 然后，提供用作电容器中的顶部电极的金属双层。 金属双层配置在电介质层上并与电介质层直接接触。 金属双层由与电介质层直接接触的贵金属和与贵金属直接接触的金属氮化物组成。

    Capacitors
    9.
    发明授权
    Capacitors 有权
    电容器

    公开(公告)号：US08107218B2

    公开(公告)日：2012-01-31

    申请号：US12476948

    申请日：2009-06-02

    申请人： Vassil Antonov ,  Vishwanath Bhat ,  Chris Carlson

    发明人： Vassil Antonov ,  Vishwanath Bhat ,  Chris Carlson

    IPC分类号： H01G4/06

    CPC分类号： H01G4/1272 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33

    摘要： Some embodiments include methods of forming capacitors. A metal oxide mixture may be formed over a first capacitor electrode. The metal oxide mixture may have a continuous concentration gradient of a second component relative to a first component. The continuous concentration gradient may correspond to a decreasing concentration of the second component as a distance from the first capacitor electrode increases. The first component may be selected from the group consisting of zirconium oxide, hafnium oxide and mixtures thereof; and the second component may be selected from the group consisting of niobium oxide, titanium oxide, strontium oxide and mixtures thereof. A second capacitor electrode may be formed over the first capacitor electrode. Some embodiments include capacitors that contain at least one metal oxide mixture having a continuous concentration gradient of the above-described second component relative to the above-described first component.

    摘要翻译： 一些实施例包括形成电容器的方法。 可以在第一电容器电极上形成金属氧化物混合物。 金属氧化物混合物可以具有相对于第一组分的第二组分的连续浓度梯度。 连续浓度梯度可以对应于与第一电容器电极的距离增加时第二组分的浓度降低。 第一组分可以选自氧化锆，氧化铪及其混合物; 并且第二组分可以选自氧化铌，氧化钛，氧化锶及其混合物。 可以在第一电容器电极上形成第二电容器电极。 一些实施方案包括相对于上述第一组分含有至少一种具有上述第二组分的连续浓度梯度的金属氧化物混合物的电容器。

    Capacitors, And Methods Of Forming Capacitors
    10.
    发明申请
    Capacitors, And Methods Of Forming Capacitors 有权
    电容器和形成电容器的方法

    公开(公告)号：US20100302705A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：US12476948

    申请日：2009-06-02

    申请人： Vassil Antonov ,  Vishwanath Bhat ,  Chris Carlson

    发明人： Vassil Antonov ,  Vishwanath Bhat ,  Chris Carlson

    IPC分类号： H01G4/10 ,  B05D5/12

    CPC分类号： H01G4/1272 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1245 ,  H01G4/1254 ,  H01G4/33

    摘要： Some embodiments include methods of forming capacitors. A metal oxide mixture may be formed over a first capacitor electrode. The metal oxide mixture may have a continuous concentration gradient of a second component relative to a first component. The continuous concentration gradient may correspond to a decreasing concentration of the second component as a distance from the first capacitor electrode increases. The first component may be selected from the group consisting of zirconium oxide, hafnium oxide and mixtures thereof; and the second component may be selected from the group consisting of niobium oxide, titanium oxide, strontium oxide and mixtures thereof. A second capacitor electrode may be formed over the first capacitor electrode. Some embodiments include capacitors that contain at least one metal oxide mixture having a continuous concentration gradient of the above-described second component relative to the above-described first component.

    摘要翻译： 一些实施例包括形成电容器的方法。 可以在第一电容器电极上形成金属氧化物混合物。 金属氧化物混合物可以具有相对于第一组分的第二组分的连续浓度梯度。 连续浓度梯度可以对应于与第一电容器电极的距离增加时第二组分的浓度降低。 第一组分可以选自氧化锆，氧化铪及其混合物; 并且第二组分可以选自氧化铌，氧化钛，氧化锶及其混合物。 可以在第一电容器电极上形成第二电容器电极。 一些实施方案包括相对于上述第一组分含有至少一种具有上述第二组分的连续浓度梯度的金属氧化物混合物的电容器。