公开(公告)号：US20070231741A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11730427

申请日：2007-04-02

申请人： Tsunehiro Nishi ,  Motohide Yamazaki ,  Junji Tsuchiya ,  Takeru Watanabe

发明人： Tsunehiro Nishi ,  Motohide Yamazaki ,  Junji Tsuchiya ,  Takeru Watanabe

IPC分类号： G03C1/00

CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/2041

摘要： A positive resist composition comprising a resin component having a solubility in an alkaline developer that increases under the action of an acid, a compound capable of generating an acid in response to actinic radiation, and an acidic organic compound having a molecular weight of at least 150 exhibits a high resolution and is effective in minimizing defects when processed by the photolithography. The composition is thus quite effective for precise micropatterning.

摘要翻译： 一种正型抗蚀剂组合物，其包含在酸性作用下在碱性显影剂中具有溶解度的树脂组分，能够响应于光化辐射产生酸的化合物和分子量至少为150的酸性有机化合物 表现出高分辨率，并且在通过光刻处理时有效地最小化缺陷。 因此，组合物对于精确的微图案非常有效。

公开(公告)号：US20050031989A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10911676

申请日：2004-08-05

申请人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Junji Tsuchiya ,  Kenji Funatsu ,  Koji Hasegawa

发明人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Junji Tsuchiya ,  Kenji Funatsu ,  Koji Hasegawa

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  C08F220/28 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027 ,  G03C1/76

CPC分类号： C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111

摘要： A polymer comprising recurring units of formulae (1), (2), (3) and (4) increases a dissolution rate in an alkali developer under the action of an acid. R1, R2, R3 and R6 are H or CH3, R4 and R5 are H or OH, X is a tertiary exo-alkyl group having a bicyclo[2.2.1]heptane framework, represented by any of formulae (X-1) to (X-4): wherein R7 is C1-C10 alkyl, and Y is a tertiary alkyl group having an adamantane structure. A resist composition comprising the inventive polymer has a sensitivity to high-energy radiation, improved resolution and minimized proximity bias and lends itself to micropatterning with electron beams or deep UV for VLSI fabrication.

摘要翻译： 包含式（1），（2），（3）和（4）的重复单元的聚合物在酸的作用下增加碱显影剂中的溶解速率。 R 1，R 2，R 3和R 6是H或CH 3，R 4和R 5是H或OH，X是具有双环[ 2.2.1]庚烷骨架，由式（X-1）至（X-4）中的任一个表示：其中R 7为C 1 -C 10烷基，Y为具有金刚烷结构的叔烷基。 包含本发明聚合物的抗蚀剂组合物对高能量辐射具有敏感性，改进的分辨率和最小化的接近偏压，并且借助于用于VLSI制造的电子束或深UV的微图案化。

公开(公告)号：US07135270B2

公开(公告)日：2006-11-14

申请号：US10911676

申请日：2004-08-05

申请人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Junji Tsuchiya ,  Kenji Funatsu ,  Koji Hasegawa

发明人： Takeru Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Junji Tsuchiya ,  Kenji Funatsu ,  Koji Hasegawa

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30 ,  C08F124/00

CPC分类号： C08F220/18 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111

摘要： A polymer comprising recurring units of formulae (1), (2), (3) and (4) increases a dissolution rate in an alkali developer under the action of an acid. R1, R2, R3 and R6 are H or CH3, R4 and R5 are H or OH, X is a tertiary exo-alkyl group having a bicyclo[2.2.1]heptane framework, represented by any of formulae (X-1) to (X-4): wherein R7 is C1–C10 alkyl, and Y is a tertiary alkyl group having an adamantane structure. A resist composition comprising the inventive polymer has a sensitivity to high-energy radiation, improved resolution and minimized proximity bias and lends itself to micropatterning with electron beams or deep UV for VLSI fabrication.

摘要翻译： 包含式（1），（2），（3）和（4）的重复单元的聚合物在酸的作用下增加碱显影剂中的溶解速率。 R 1，R 2，R 3和R 6是H或CH 3 N >，R 4和R 5是H或OH，X是具有双环[2.2.1]庚烷骨架的叔外烷基，由式 （X-1）至（X-4）：其中R 7为C 1 -C 10烷基，Y为叔烷基 具有金刚烷结构的组。 包含本发明聚合物的抗蚀剂组合物对高能量辐射具有敏感性，改进的分辨率和最小化的接近偏压，并且借助于用于VLSI制造的电子束或深UV的微图案化。

公开(公告)号：US5691396A

公开(公告)日：1997-11-25

申请号：US719011

申请日：1996-09-24

申请人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Osamu Watanabe ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Osamu Watanabe ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： G03F7/004 ,  C08G77/14 ,  C08G77/22 ,  C08G77/38 ,  C09D5/25 ,  C09D183/06 ,  G03F7/029 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027 ,  C08J3/28

CPC分类号： G03F7/075 ,  C08G77/38 ,  C09D183/06

摘要： The invention provides a novel polysiloxane compound, typically polyhydroxybenzylsilsesquioxane, having some hydroxyl groups replaced by acetal groups and optionally acid labile groups. The polysiloxane compound is useful as an alkali soluble polymer for positive resist material.

摘要翻译： 本发明提供了一种新的聚硅氧烷化合物，典型的是多羟基苄基倍半硅氧烷，其中一些羟基被缩醛基团和任选的酸不稳定基团取代。 聚硅氧烷化合物可用作正性抗蚀剂材料的碱溶性聚合物。

公开(公告)号：US08734067B2

公开(公告)日：2014-05-27

申请号：US12720314

申请日：2010-03-09

申请人： Manabu Saito ,  Tatsuo Nakahata ,  Hideharu Takahashi ,  Junji Tsuchiya ,  Eiji Hashimoto ,  Hirofumi Higashiwaki

发明人： Manabu Saito ,  Tatsuo Nakahata ,  Hideharu Takahashi ,  Junji Tsuchiya ,  Eiji Hashimoto ,  Hirofumi Higashiwaki

IPC分类号： B23B51/02

CPC分类号： B23B51/00 ,  B23B2220/24 ,  B23B2220/44 ,  B23B2251/14 ,  B23B2251/204 ,  B23B2251/282 ,  Y10T408/906 ,  Y10T408/909 ,  Y10T408/9095

摘要： A drill includes a pair of main cutting edges extending from a distal portion of the drill to a position close to a proximal end of the drill to entirely define a two-edge configuration, and a pair of auxiliary cutting edges extending between positions at the distal and proximal sides of a maximum diameter position to partly define a four-edge configuration. A ridgeline of each auxiliary cutting edge is located within an angle smaller than 90° from a ridgeline of the corresponding main cutting edge toward the rear in a rotation direction of the drill. The point angle of the auxiliary cutting edges increases at a higher rate than the point angle of the main cutting edges in a predetermined range from the maximum diameter position toward a distal end of the drill.

摘要翻译： 钻头包括从钻头的远端部分延伸到靠近钻头的近端的位置的一对主切削刃，以完全限定两边缘构型，以及一对在远端的位置之间延伸的辅助切削刃 和最大直径位置的近侧部分地限定四边缘构造。 每个辅助切削刃的棱线位于与钻头的旋转方向相对应的主切削刃的脊线向后方小于90°的角度。 在从钻头的最大直径位置向远端的预定范围内，辅助切削刃的点角以比主切削刃的点角高的速度增加。

公开(公告)号：US06916591B2

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：US10393006

申请日：2003-03-21

申请人： Youichi Ohsawa ,  Katsuhiro Kobayashi ,  Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Kazunori Maeda

发明人： Youichi Ohsawa ,  Katsuhiro Kobayashi ,  Katsuya Takemura ,  Junji Tsuchiya ,  Kazunori Maeda

IPC分类号： C07C309/75 ,  C07D333/36 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0382 ,  C07C309/75 ,  C07D333/36 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： Photoacid generators are provided by O-arylsulfonyl-oxime compounds having formula (1) wherein R is H, F, Cl, NO2, alkyl or alkoxy, n is 0 or 1, m is 1 or 2, r is 0 to 4, r′ is 0 to 5, k is 0 to 4, and G′ and G″ are S or —CH═CH—. Chemically amplified resist compositions comprising the photoacid generators have many advantages including improved resolution, improved focus latitude, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, and improved pattern profile after development. Because of high resolution, the compositions are suited for microfabrication, especially by deep UV lithography.

摘要翻译： 光生酸发生剂由具有式（1）的O-芳基磺酰基 - 肟化合物提供，其中R是H，F，Cl，NO 2，烷基或烷氧基，n是0或1，m是1或2 r为0〜4，r'为0〜5，k为0〜4，G'，G“为S或-CH-CH-。 包含光酸产生剂的化学放大抗蚀剂组合物具有许多优点，包括改进的分辨率，改善的聚焦纬度，最小化的线宽变化或即使在长期PED下的形状退化，以及显影后的改进的图案分布。 由于高分辨率，组合物适用于微细加工，特别是通过深紫外光刻。

公开(公告)号：US5882844A

公开(公告)日：1999-03-16

申请号：US831301

申请日：1997-04-01

申请人： Junji Tsuchiya ,  Toshinobu Ishihara ,  Shigehiro Nagura ,  Katsuya Takemura ,  Tsuguo Yamaoka

发明人： Junji Tsuchiya ,  Toshinobu Ishihara ,  Shigehiro Nagura ,  Katsuya Takemura ,  Tsuguo Yamaoka

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027 ,  G03F7/029 ,  G03F7/032

CPC分类号： G03F7/0757

摘要： A chemically amplified positive resist composition contains (A) an organic solvent, (B) a base resin in the form of a polysiloxane having phenolic hydroxyl groups some of which are protected with alkoxyalkyl groups and having a weight average molecular weight of 2,000-50,000, (C) a photoacid generator, and (D) a vinyl ether group-containing compound. The composition has high sensitivity to actinic radiation, is developable with aqueous base to form a resist pattern, and lends itself to fine patterning.

摘要翻译： 化学放大正性抗蚀剂组合物包含（A）有机溶剂，（B）具有酚羟基的聚硅氧烷形式的基础树脂，其中一些被烷氧基烷基保护并具有2,000-50,000的重均分子量， （C）光致酸产生剂，和（D）含乙烯基醚基的化合物。 该组合物对光化辐射具有高灵敏度，可用碱水溶液显影以形成抗蚀剂图案，并使其自身精细图案化。

公开(公告)号：US20100232899A1

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：US12720314

申请日：2010-03-09

申请人： Manabu Saito ,  Tatsuo Nakahata ,  Hideharu Takahashi ,  Junji Tsuchiya ,  Eiji Hashimoto ,  Hirofumi Higashiwaki

发明人： Manabu Saito ,  Tatsuo Nakahata ,  Hideharu Takahashi ,  Junji Tsuchiya ,  Eiji Hashimoto ,  Hirofumi Higashiwaki

IPC分类号： B23B51/02

CPC分类号： B23B51/00 ,  B23B2220/24 ,  B23B2220/44 ,  B23B2251/14 ,  B23B2251/204 ,  B23B2251/282 ,  Y10T408/906 ,  Y10T408/909 ,  Y10T408/9095

摘要： A drill includes a pair of main cutting edges extending from a distal portion of the drill to a position close to a proximal end of the drill to entirely define a two-edge configuration, and a pair of auxiliary cutting edges extending between positions at the distal and proximal sides of a maximum diameter position to partly define a four-edge configuration. A ridgeline of each auxiliary cutting edge is located within an angle smaller than 90° from a ridgeline of the corresponding main cutting edge toward the rear in a rotation direction of the drill. The point angle of the auxiliary cutting edges increases at a higher rate than the point angle of the main cutting edges in a predetermined range from the maximum diameter position toward a distal end of the drill.

摘要翻译： 钻头包括从钻头的远端部分延伸到靠近钻头的近端的位置的一对主切削刃，以完全限定两边缘构型，以及一对在远端的位置之间延伸的辅助切削刃 和最大直径位置的近侧部分地限定四边缘构造。 每个辅助切削刃的棱线位于与钻头的旋转方向相对应的主切削刃的脊线向后方小于90°的角度。 在从钻头的最大直径位置向远端的预定范围内，辅助切削刃的点角以比主切削刃的点角高的速度增加。

公开(公告)号：US5972560A

公开(公告)日：1999-10-26

申请号：US16448

申请日：1998-01-30

申请人： Ichiro Kaneko ,  Mutsuo Nakashima ,  Toshinobu Ishihara ,  Junji Tsuchiya ,  Jun Hatakeyama ,  Shigehiro Nagura

发明人： Ichiro Kaneko ,  Mutsuo Nakashima ,  Toshinobu Ishihara ,  Junji Tsuchiya ,  Jun Hatakeyama ,  Shigehiro Nagura

IPC分类号： C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075 ,  C08G77/04

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/0757

摘要： The invention provides a high molecular weight silicone compound comprising recurring units of the general formula (1) and having a weight average molecular weight of 1,000-50,000. ##STR1## Z is a di- to hexavalent, monocyclic or polycyclic hydrocarbon group or bridged cyclic hydrocarbon group of 5-12 carbon atoms, R.sup.1 is a substituted or unsubstituted alkyl or alkenyl group of 1-8 carbon atoms, R.sup.2 is an acid labile group, m is 0 or an integer, n is an integer, satisfying m+n.ltoreq.5, x is an integer, p1 and p2 are positive numbers, q is 0 or a positive number, satisfying 0

摘要翻译： 本发明提供了包含通式（1）的重复单元并具有1,000-50,000的重均分子量的高分子量硅氧烷化合物。 Z是5至12个碳原子的二至六价单环或多环烃基或桥环状烃基，R1是取代或未取代的1-8个碳原子的烷基或链烯基，R2是酸不稳定基团，m 是0或整数，n是整数，满足m + n <5，x是整数，p1和p2是正数，q是0或正数，满足0

公开(公告)号：US5580936A

公开(公告)日：1996-12-03

申请号：US536119

申请日：1995-09-29

申请人： Junji Tsuchiya ,  Katsuya Takemura ,  Osamu Watanabe ,  Yoshihumi Takeda ,  Toshinobu Ishihara

发明人： Junji Tsuchiya ,  Katsuya Takemura ,  Osamu Watanabe ,  Yoshihumi Takeda ,  Toshinobu Ishihara

IPC分类号： C08F8/00 ,  C08F8/14 ,  C08F12/00 ,  C08F212/14 ,  G03F7/027

CPC分类号： C08F8/12 ,  C08F2800/20

摘要： A partially tert-butoxylated poly(p-hydroxystyrene) is prepared by subjecting poly(p-tert-butoxystyrene) to reaction of eliminating some of the tert-butoxy groups in an organic solvent at a temperature of 30.degree.-100.degree. C. in the presence of an acid catalyst at a molar ratio of acid catalyst/t-BuO group of from 0.050 to 2.0. During the elimination reaction, a change of solubility of the resulting partially tert-butoxylated poly(p-hydroxystyrene) is determined to calculate a degree of elimination of tert-butoxy groups. The reaction is terminated when a desired degree of elimination is reached. Through a simple process, partially tert-butoxylated poly(p-hydroxystyrene) having a well controlled t-BuO content is produced in high yields.

摘要翻译： 通过使聚（对叔丁氧基苯乙烯）在有机溶剂中在30℃-100℃的温度下除去一些叔丁氧基进行反应来制备部分叔丁氧基化的聚（对羟基苯乙烯） 酸催化剂/ t-BuO基团的摩尔比为0.050至2.0的酸催化剂的存在。 在消除反应期间，测定所得部分叔丁氧基化聚（对羟基苯乙烯）的溶解度的变化，以计算叔丁氧基的消除程度。 当达到所需的消除程度时，终止反应。 通过简单的方法，产生具有良好控制的t-BuO含量的部分叔丁氧基化聚（对羟基苯乙烯），产率高。