公开(公告)号：US20100307579A1

公开(公告)日：2010-12-09

申请号：US12730665

申请日：2010-03-24

申请人： Xing Sheng ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Anuradha M. Agarwal ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Xing Sheng ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Anuradha M. Agarwal ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/056 ,  Y02E10/52

摘要： A method of manufacturing a photovoltaic cell includes providing an active absorption layer, forming a pseudo-periodic grating adjacent to the active absorption layer, and forming a reflector adjacent to the pseudo-periodic grating. A photovoltaic cell includes an active absorption layer, a pseudo-periodic grating adjacent to the active absorption layer, and a reflector adjacent to the pseudo-periodic grating.

摘要翻译： 制造太阳能电池的方法包括提供活性吸收层，形成与有源吸收层相邻的伪周期性栅格，以及形成邻近伪周期光栅的反射器。 光伏电池包括有源吸收层，与有源吸收层相邻的伪周期性栅格，以及与伪周期光栅相邻的反射器。

公开(公告)号：US07596158B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US11553141

申请日：2006-10-26

申请人： Jifeng Liu ,  Dong Pan ,  Lionel C. Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Sajan Saini

发明人： Jifeng Liu ,  Dong Pan ,  Lionel C. Kimerling ,  Jurgen Michel ,  Sajan Saini

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/3223 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/021 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3215 ,  H01S5/3427

摘要： A laser structure includes at least one active layer having doped Ge so as to produce light emissions at approximately 1550 nm from the direct band gap of Ge. A first confinement structure is positioned on a top region of the at least one active layer. A second confinement structure is positioned on a bottom region the at least one active layer.

摘要翻译： 激光结构包括具有掺杂Ge的至少一个有源层，以便从Ge的直接带隙产生大约1550nm的光发射。 第一限制结构位于至少一个活性层的顶部区域上。 第二限制结构位于至少一个活性层的底部区域上。

公开(公告)号：US07266263B2

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：US11269354

申请日：2005-11-08

申请人： Donghwan Ahn ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Donghwan Ahn ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/1228 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/305 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/105 ,  H01L31/125 ,  Y02E10/547

摘要： High-speed optoelectronic devices having a waveguide densely integrated with and efficiently coupled to a photodetector are fabricated utilizing methods generally compatible with CMOS processing techniques. In various implementations, the waveguide consists essentially of single-crystal silicon and the photodetector contains, or consists essentially of, epitaxially grown germanium or a silicon-germanium alloy having a germanium concentration exceeding about 90%.

摘要翻译： 具有与CMOS处理技术通用兼容的方法制造具有与光电检测器密集地集成并有效耦合的光波导的高速光电子器件。 在各种实施方案中，波导基本上由单晶硅组成，并且光电检测器包含或基本上由外延生长的锗或锗浓度超过约90％的硅 - 锗合金构成。

公开(公告)号：US08160404B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US11561474

申请日：2006-11-20

申请人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02F1/035 ,  G02B6/12 ,  G02B6/10

CPC分类号： G02F1/025 ,  G02B2006/12142 ,  G02F2001/0157 ,  G02F2201/04 ,  G02F2201/16 ,  G02F2202/105 ,  H01L27/1443 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1055 ,  H01L31/1812 ,  Y02E10/50

摘要： An optoelectronic device includes an input waveguide structure that receives an input optical signal. A GeSi/Si waveguide structure receives from the input waveguide the input optical signal and performs selective optoelectronic operations on the input optical signal. The GeSi/Si waveguide structure outputs an optical or electrical output signal associated with the selective optoelectronic operations performed on the input optical signal. An output waveguide structure receives the output optical signal from the GeSi/Si waveguide structure and provides the optical output signal for further processing.

摘要翻译： 光电子器件包括接收输入光信号的输入波导结构。 GeSi / Si波导结构从输入波导接收输入光信号，并对输入光信号进行选择性光电子操作。 GeSi / Si波导结构输出与在输入光信号上执行的选择性光电子操作相关联的光或电输出信号。 输出波导结构接收来自GeSi / Si波导结构的输出光信号，并提供光输出信号用于进一步处理。

公开(公告)号：US08242480B2

公开(公告)日：2012-08-14

申请号：US12821643

申请日：2010-06-23

申请人： Lionel C. Kimerling ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel

发明人： Lionel C. Kimerling ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel

IPC分类号： H01L29/12

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34333

摘要： A light emitting device is provided that includes at least one first semiconductor material layers and at least one second semiconductor material layers. At least one near-direct band gap material layers are positioned between the at least one first semiconductor layers and the at least one second semiconductor material layers. The at least one first semiconductor layers and the at least one second material layers have a larger band gap than the at least one near-direct band gap material layers. The at least one near-direct band gap material layers have an energy difference between the direct and indirect band gaps of less than 0.5 eV.

摘要翻译： 提供一种发光器件，其包括至少一个第一半导体材料层和至少一个第二半导体材料层。 至少一个近直接带隙材料层位于至少一个第一半导体层和至少一个第二半导体材料层之间。 所述至少一个第一半导体层和所述至少一个第二材料层具有比所述至少一个近直接带隙材料层更大的带隙。 所述至少一个近直接带隙材料层具有小于0.5eV的直接和间接带隙之间的能量差。

公开(公告)号：US20120025195A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US13191682

申请日：2011-07-27

申请人： Kevin Andrew McComber ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Kevin Andrew McComber ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： H01L29/161 ,  C30B19/00 ,  H01L21/203 ,  C30B23/04 ,  H01L21/208 ,  B05C11/00 ,  C30B25/04

CPC分类号： C30B25/18 ,  C23C16/04 ,  C23C16/06 ,  C30B23/04 ,  C30B25/04 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78684

摘要： In a structure for crystalline material growth, there is provided a lower growth confinement layer and an upper growth confinement layer that is disposed above and vertically separated from the lower growth confinement layer. A lateral growth channel is provided between the upper and lower growth confinement layers, and is characterized by a height that is defined by the vertical separation between the upper and lower growth confinement layers. A growth seed is disposed at a site in the lateral growth channel for initiating crystalline material growth in the channel. A growth channel outlet is included for providing formed crystalline material from the growth channel. With this growth confinement structure, crystalline material can be grown from the growth seed to the lateral growth channel outlet.

摘要翻译： 在结晶材料生长的结构中，提供了较低的生长限制层和上部生长约束层，其设置在下部生长限制层的上方并与之垂直分离。 在上部和下部生长限制层之间提供横向生长通道，其特征在于由上部和下部生长限制层之间的垂直分隔限定的高度。 将生长种子设置在横向生长通道中的位置以引发通道中的结晶材料生长。 包括生长通道出口用于从生长通道提供形成的结晶材料。 利用这种生长限制结构，可以将结晶物质从生长种子生长到侧生长通道出口。

公开(公告)号：US20110316018A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12821643

申请日：2010-06-23

申请人： Lionel C. Kimerling ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel

发明人： Lionel C. Kimerling ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel

IPC分类号： H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/30 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3403 ,  H01S5/34333

摘要： A light emitting device is provided that includes at least one first semiconductor material layers and at least one second semiconductor material layers. At least one near-direct band gap material layers are positioned between the at least one first semiconductor layers and the at least one second semiconductor material layers. The at least one first semiconductor layers and the at least one second material layers have a larger band gap than the at least one near-direct band gap material layers. The at least one near-direct band gap material layers have an energy difference between the direct and indirect band gaps of less than 0.5 eV.

摘要翻译： 提供一种发光器件，其包括至少一个第一半导体材料层和至少一个第二半导体材料层。 至少一个近直接带隙材料层位于至少一个第一半导体层和至少一个第二半导体材料层之间。 所述至少一个第一半导体层和所述至少一个第二材料层具有比所述至少一个近直接带隙材料层更大的带隙。 所述至少一个近直接带隙材料层具有小于0.5eV的直接和间接带隙之间的能量差。

公开(公告)号：US07305157B2

公开(公告)日：2007-12-04

申请号：US11269355

申请日：2005-11-08

申请人： Donghwan Ahn ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Donghwan Ahn ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/12

CPC分类号： G02B6/12004 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/4201 ,  G02B2006/12061

摘要： High-speed optoelectronic devices having a waveguide densely integrated with and efficiently coupled to a photodetector are fabricated utilizing methods generally compatible with CMOS processing techniques. In various implementations, the waveguide consists essentially of single-crystal silicon and the photodetector contains, or consists essentially of, epitaxially grown germanium or a silicon-germanium alloy having a germanium concentration exceeding about 90%.

摘要翻译： 具有与CMOS处理技术通用兼容的方法制造具有与光电检测器密集地集成并有效耦合的光波导的高速光电子器件。 在各种实施方案中，波导基本上由单晶硅组成，并且光电检测器包含或基本上由外延生长的锗或锗浓度超过约90％的硅 - 锗合金构成。

公开(公告)号：US07801406B2

公开(公告)日：2010-09-21

申请号：US11194805

申请日：2005-08-01

申请人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  John Yasaitis ,  Lionel C. Kimerling

发明人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Jurgen Michel ,  John Yasaitis ,  Lionel C. Kimerling

IPC分类号： G02B6/10

CPC分类号： G02B6/1225 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1223 ,  G02B6/131 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12169

摘要： A method of forming a low loss crystal quality waveguide is provided. The method includes providing a substrate and forming a dielectric layer on the substrate. A channel is formed by etching a portion of the dielectric layer. A selective growth of a Si Ge, or SiGe layer is performed in the area that defines the channel. Furthermore, the method includes thermally annealing the waveguide at a defined temperature range.

摘要翻译： 提供了形成低损耗晶体质量波导的方法。 该方法包括提供衬底并在衬底上形成电介质层。 通过蚀刻介电层的一部分形成通道。 在限定通道的区域中执行Si Ge或SiGe层的选择性生长。 此外，该方法包括在限定的温度范围内对波导进行热退火。

公开(公告)号：US20080199123A1

公开(公告)日：2008-08-21

申请号：US11624357

申请日：2007-01-18

申请人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Lionel C. Kimerling ,  James F. McMillan ,  Michael D. Sockin ,  Chee Wei Wong

发明人： Dong Pan ,  Jifeng Liu ,  Lionel C. Kimerling ,  James F. McMillan ,  Michael D. Sockin ,  Chee Wei Wong

IPC分类号： G02F1/035

CPC分类号： G02F1/3132 ,  G02B6/12007 ,  G02F1/3136

摘要： An optical modulator structure includes at least two waveguide structures for inputting and outputting an optical signal. At least one ring resonator structure provides coupling between the at least two waveguide structures. The at least one ring resonator structure includes Ge or SiGe.

摘要翻译： 光调制器结构包括用于输入和输出光信号的至少两个波导结构。 至少一个环形谐振器结构提供了至少两个波导结构之间的耦合。 所述至少一个环形谐振器结构包括Ge或SiGe。