公开(公告)号：US06657035B1

公开(公告)日：2003-12-02

申请号：US10169732

申请日：2002-07-16

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Shinji Ochi

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Shinji Ochi

IPC分类号： C08G1820

CPC分类号： C09J175/08 ,  C08G18/10 ,  C08G18/2081 ,  C08G18/242 ,  C09J175/04 ,  C08G18/7831 ,  C08G18/289 ,  C08G18/307

摘要： The present invention provides a moisture-curing one-pack urethane adhesive composition which has a good adhesive property to a painted steel. The moisture-curing one-pack urethane adhesive composition according to the present invention contains an isocyanate group-terminated urethane prepolymer as a main component, and also contains (1) a silane coupling agent as an adhesive promoter, and (2) (a) 2,2′-dimorpholinodiethyl ether and/or di(2,6-dimethylmorpholinoethyl)ether, and (b)dibutyltin diacetylacetonate, as curing catalysts. The moisture-curing one-pack urethane adhesive composition according to the present invention is particularly suitable for bonding automotive window glasses to automotive bodies.

摘要翻译： 本发明提供一种与涂漆钢具有良好粘合性的湿固化单组分聚氨酯粘合剂组合物。 根据本发明的湿固化单组分聚氨酯粘合剂组合物含有以异氰酸酯基封端的氨基甲酸酯预聚物作为主要成分，并且还含有（1）硅烷偶联剂作为粘合促进剂，和（2）（a） 2,2'-二吗啉二甲醚和/或二（2,6-二甲基吗啉代乙基）醚，和（b）二乙酰丙酮二丁基锡作为固化催化剂。 根据本发明的湿固化单组分聚氨酯粘合剂组合物特别适用于将汽车窗玻璃粘合到汽车体上。

公开(公告)号：US06348123B1

公开(公告)日：2002-02-19

申请号：US09377774

申请日：1999-08-20

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Shinji Ochi

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Shinji Ochi

IPC分类号： C09J502

CPC分类号： C08J5/124 ,  C08G18/10 ,  C08G18/6208 ,  C08J7/04 ,  C08J2323/02 ,  C08L75/04 ,  C09J5/02 ,  C09J2423/008 ,  C09J2475/00 ,  C08G18/62

摘要： A polyolefin material can be adhered to other material with good adhesion durability by 1) applying a first primer which contains i) a resin comprising a backbone of hydrocarbon chains and/or polybutadiene chains, and ii) a polyisocyanate compound or an alkoxysilane compound, to the surface of a polyolefin material, 2) applying a second primer which contains a polyisocyanate compound or an alkoxysilane compounds, onto the layer of the first primer, and 3) adhering the surface of the polyolefin material to which the first and second primers are applied to other material using a moisture-curing polyurethane adhesive.

摘要翻译： 聚烯烃材料可以通过以下方式粘合到具有良好粘合耐久性的其它材料上：1）施加第一底漆，其包含i）包含烃链和/或聚丁二烯链的主链的树脂，和ii）多异氰酸酯化合物或烷氧基硅烷化合物， 聚烯烃材料的表面，2）将含有多异氰酸酯化合物或烷氧基硅烷化合物的第二底漆施加到第一底漆的层上，以及3）将施加第一和第二底漆的聚烯烃材料的表面粘附 使用湿固化聚氨酯粘合剂的其他材料。

公开(公告)号：US08431464B2

公开(公告)日：2013-04-30

申请号：US12700215

申请日：2010-02-04

申请人： Yasushi Kobayashi ,  Kouta Yoshikawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Tadahiro Imada ,  Shirou Ozaki

发明人： Yasushi Kobayashi ,  Kouta Yoshikawa ,  Yoshihiro Nakata ,  Tadahiro Imada ,  Shirou Ozaki

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L23/53295 ,  C08G77/20 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A silicic coating of 2.4 g/cm3 or higher density, obtained by forming a silicic coating precursor with the use of at least one type of silane compound having a photosensitive functional group and thereafter irradiating the silicic coating precursor with at least one type of light. This silicic coating can be used as a novel barrier film or stopper film for semiconductor device.

摘要翻译： 通过使用至少一种具有光敏官能团的硅烷化合物形成硅涂层前体，然后用至少一种类型的光照射硅涂层前体，得到2.4g / cm 3或更高密度的硅质涂层。 这种硅涂层可用作半导体器件的新型阻挡膜或阻挡膜。

公开(公告)号：US08124239B2

公开(公告)日：2012-02-28

申请号：US12640362

申请日：2009-12-17

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： B32B9/04 ,  B32B13/04 ,  C08F2/46 ,  C08J7/18 ,  H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

摘要： The silica film forming material of the present invention comprises a silicone polymer which comprises, as part of its structure, CHx, an Si—O—Si bond, an Si—CH3 bond and an Si—CHx- bond, where x represents an integer of 0 to 2.

摘要翻译： 本发明的二氧化硅薄膜形成材料包括硅氧烷聚合物，其包含作为其结构的一部分的CH x，Si-O-Si键，Si-CH 3键和Si-CH x键，其中x表示整数 为0至2。

公开(公告)号：US08062414B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US10533302

申请日：2003-10-27

申请人： Akira Nakashima ,  Miki Egami ,  Michio Komatsu ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano ,  Katsumi Suzuki

发明人： Akira Nakashima ,  Miki Egami ,  Michio Komatsu ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano ,  Katsumi Suzuki

IPC分类号： C04B41/50 ,  D06M15/643 ,  C09D183/04

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C08G77/08 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/316

摘要： The present invention relates to a coating liquid for forming an amorphous silica-based coating film with a low dielectric constant of 2.5 or below and the Young's modulus of 6.0 GPa or more and having excellent hydrophobic property, and to a method of preparing the same. The coating liquid may contain a silicon compound obtained by hydrolyzing tetraalkyl ortho silicate (TAOS) and specific alkoxysilane (AS) in the presence of tetraalkyl ammonium hydroxide (TAAOH), or may contain a silicon compound obtained by hydrolyzing or partially hydrolyzing tetraalkyl ortho silicate (TAOS) in the presence of tetraalkyl ammonium hydroxide (TAAOH), mixing the reaction product with specific alkoxysilane or a hydrolysate or a partial hydrolysate thereof, and hydrolyzing all or a portion of the mixture according to the necessity. In addition, the coating liquid is prepared by mixing components described above at a specific ratio and under specific process conditions.

摘要翻译： 本发明涉及一种低介电常数为2.5以下，杨氏模量为6.0GPa以上，疏水性优异的无定形二氧化硅系涂膜用涂布液及其制备方法。 涂布液可以含有通过在四烷基氢氧化铵（TAAOH）的存在下水解四烷基原硅酸盐（TAOS）和特定烷氧基硅烷（AS））而获得的硅化合物，或者可以含有通过水解或部分水解原硅酸四烷基酯 TAOS）在四烷基氢氧化铵（TAAOH）的存在下，将反应产物与特定的烷氧基硅烷或其水解产物或其部分水解产物混合，并根据需要水解全部或一部分混合物。 此外，通过以特定比例和特定工艺条件混合上述组分来制备涂布液。

公开(公告)号：US20110187002A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US13019509

申请日：2011-02-02

申请人： Sadahiro Kishii ,  Tsuyoshi Kanki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Masato Tanaka ,  Akio Rokugawa

发明人： Sadahiro Kishii ,  Tsuyoshi Kanki ,  Yoshihiro Nakata ,  Yasushi Kobayashi ,  Masato Tanaka ,  Akio Rokugawa

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/488 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03

摘要： A support substrate includes a first surface and a second surface located above the level of the first surface. Chips are mounted on the first surface. A first insulating film is disposed over each chip. First conductive plugs are connected to the chip extending through each first insulating film. Filler material made of resin filling a space between chips. Wirings are disposed over the first insulating film and the filler material for interconnecting different chips. The second surface, an upper surface of the first insulating film and an upper surface of the filler material are located at the same level.

摘要翻译： 支撑基板包括位于第一表面的高度之上的第一表面和第二表面。 芯片安装在第一个表面上。 第一绝缘膜设置在每个芯片上。 第一导电插头连接到延伸穿过每个第一绝缘膜的芯片。 由树脂填充的填充材料填充芯片之间的空间。 布线布置在第一绝缘膜和用于互连不同芯片的填充材料之上。 第二表面，第一绝缘膜的上表面和填充材料的上表面位于同一水平。

公开(公告)号：US20100155121A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12640362

申请日：2009-12-17

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： H05K1/00 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

摘要： The silica film forming material of the present invention comprises a silicone polymer which comprises, as part of its structure, CHx, an Si—O—Si bond, an Si—CH3 bond and an Si—CHx- bond, where x represents an integer of 0 to 2.

摘要翻译： 本发明的二氧化硅薄膜形成材料包括硅氧烷聚合物，其包含作为其结构的一部分的CH x，Si-O-Si键，Si-CH 3键和Si-CH x键，其中x表示整数 为0至2。

公开(公告)号：US07659357B2

公开(公告)日：2010-02-09

申请号：US11274094

申请日：2005-11-16

申请人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： C08G77/00 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3122 ,  C09D183/14 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/76801 ,  Y10T428/31663

摘要： The silica film forming material of the present invention comprises a silicone polymer which comprises, as part of its structure, CHx, an Si—O—Si bond, an Si—CH3 bond and an Si—CHx- bond, where x represents an integer of 0 to 2.

摘要翻译： 本发明的二氧化硅薄膜形成材料包括硅氧烷聚合物，其包含作为其结构的一部分的CH x，Si-O-Si键，Si-CH 3键和Si-CH x键，其中x表示整数 为0至2。

公开(公告)号：US07655576B2

公开(公告)日：2010-02-02

申请号：US11842412

申请日：2007-08-21

申请人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76825

摘要： In a method for manufacturing a semiconductor device, including forming an insulator film including a material having Si—CH3 bond and Si—OH bond, and irradiating the insulator film with ultraviolet rays, the rate of decrease of C concentration by X-ray photoelectron spectroscopy is not more than 30%, and the rate of decrease of one or more bonds selected from the group consisting of C—H bond, O—H bond and Si—O bond of Si—OH is not less than 10%, as a result of ultraviolet ray irradiation. A low-dielectric-constant insulator film that has a high film strength and can prevent increase of dielectric constant due to moisture absorption, a semiconductor device that can prevent device response speed delay and reliability decrease due to parasite capacity increase, and a manufacturing method therefor are provided.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，包括形成包含具有Si-CH3键和Si-OH键的材料的绝缘膜，并用紫外线照射绝缘体膜，通过X射线光电子能谱法测定C浓度的降低速率 不大于30％，并且由Si-OH的CH键，OH键和Si-O键组成的组中的一种或多种键的降低速率不低于10％，由于紫外线 照射。 一种低介电常数绝缘膜，其具有高的膜强度并且可以防止由于吸湿引起的介电常数的增加，能够防止器件响应速度延迟和可靠性由于寄生容量增加而降低的半导体器件及其制造方法 被提供。

公开(公告)号：US07476970B2

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：US11475000

申请日：2006-06-27

申请人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

发明人： Shirou Ozaki ,  Yoshihiro Nakata ,  Ei Yano

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L21/31633 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695

摘要： A method for fabricating a semiconductor device utilizing the step of forming a first insulating film of a porous material over a substrate; the step of forming on the first insulating film a second insulating film containing a silicon compound containing Si—CH3 bonds by 30-90%, and the step of irradiating UV radiation with the second insulating film formed on the first insulating film to cure the first insulating film. Thus, UV radiation having the wavelength which eliminates CH3 groups is sufficiently absorbed by the second insulating film, whereby the first insulating film is highly strengthened with priority by the UV cure, and the first insulating film can have the film density increased without having the dielectric constant increased.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，该半导体器件利用在衬底上形成多孔材料的第一绝缘膜的步骤; 在第一绝缘膜上形成包含含有Si-CH3键的硅化合物30-90％的第二绝缘膜的步骤，以及用形成在第一绝缘膜上的第二绝缘膜照射UV辐射的步骤，以固化第一绝缘膜 绝缘膜。 因此，具有消除CH 3基团的波长的紫外线辐射被第二绝缘膜充分吸收，由此通过UV固化优先地高度强化第一绝缘膜，并且第一绝缘膜可以具有不增加电介质的膜密度 常数增加。