公开(公告)号：US5976260A

公开(公告)日：1999-11-02

申请号：US612445

申请日：1996-03-07

申请人： Yoshimi Kinoshita ,  Tomoyuki Kanda ,  Katsuhisa Kitano ,  Kazuo Yoshida ,  Hiroshi Ohnishi ,  Kenichiro Yamanishi ,  Shigeo Sasaki ,  Hideki Komori ,  Taizo Eshima ,  Kouichirou Tsutahara ,  Toshihiko Noguchi ,  Toru Takahama ,  Yoshihiko Kusakabe ,  Takeshi Iwamoto ,  Nobuyuki Kosaka

发明人： Yoshimi Kinoshita ,  Tomoyuki Kanda ,  Katsuhisa Kitano ,  Kazuo Yoshida ,  Hiroshi Ohnishi ,  Kenichiro Yamanishi ,  Shigeo Sasaki ,  Hideki Komori ,  Taizo Eshima ,  Kouichirou Tsutahara ,  Toshihiko Noguchi ,  Toru Takahama ,  Yoshihiko Kusakabe ,  Takeshi Iwamoto ,  Nobuyuki Kosaka

IPC分类号： B23Q3/08 ,  B25B11/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  H01L21/683 ,  C23C16/00

CPC分类号： C23C16/34 ,  B25B11/005 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481 ,  H01L21/6838 ,  Y10T279/11

摘要： It is an object of the present invention to obtain a vacuum chucking which can vacuum suck a wafer even if dusts attach thereon. The main body of vacuum chuck (101) has a plurality of block grooves (125) on the surface on which the wafer (1) is sucked and fixed, in which vacuum evacuation paths (105) each for vacuum evacuating each block groove (125) are provided for each block groove (125). When the wafer (1) is sucked and fixed under low pressure, even if the degree of vacuum in one of the block grooves (125) decreases due to attachment of dusts on part of the suction surface, or the like, the wafer (1) can surely be sucked and held.

摘要翻译： 本发明的目的是获得即使在其上附着有灰尘也能真空吸附晶片的真空吸盘。 真空吸盘（101）的主体在其上吸引和固定晶片（1）的表面上具有多个块状凹槽（125），其中各真空抽空路径（105）用于真空抽吸每个块状凹槽（125） ）被设置用于每个块槽（125）。 当晶片（1）在低压下被吸入和固定时，即使一个块状槽（125）中的一个真空度由于吸附表面的一部分上的灰尘等的附着而降低，晶片（1） ）肯定被吸住了。

公开(公告)号：US5534073A

公开(公告)日：1996-07-09

申请号：US116968

申请日：1993-09-07

申请人： Yoshimi Kinoshita ,  Tomoyuki Kanda ,  Katsuhisa Kitano ,  Kazuo Yoshida ,  Hiroshi Ohnishi ,  Kenichiro Yamanishi ,  Shigeo Sasaki ,  Hideki Komori ,  Taizo Eshima ,  Kouichirou Tsutahara ,  Toshihiko Noguchi ,  Toru Takahama ,  Yoshihiko Kusakabe ,  Takeshi Iwamoto ,  Nobuyuki Kosaka

发明人： Yoshimi Kinoshita ,  Tomoyuki Kanda ,  Katsuhisa Kitano ,  Kazuo Yoshida ,  Hiroshi Ohnishi ,  Kenichiro Yamanishi ,  Shigeo Sasaki ,  Hideki Komori ,  Taizo Eshima ,  Kouichirou Tsutahara ,  Toshihiko Noguchi ,  Toru Takahama ,  Yoshihiko Kusakabe ,  Takeshi Iwamoto ,  Nobuyuki Kosaka

IPC分类号： B23Q3/08 ,  B25B11/00 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/48 ,  H01L21/683 ,  C23C16/00 ,  B23B5/22 ,  B23B31/30

CPC分类号： C23C16/34 ,  B25B11/005 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/481 ,  H01L21/6838 ,  Y10T279/11

摘要： It is an object of the present invention to obtain a vacuum chucking which can vacuum suck a wafer even if dusts attach thereon. The main body of vacuum chuck (101) has a plurality of block grooves (125) on the surface on which the wafer (1) is sucked and fixed, in which vacuum evacuation paths (105) each for vacuum evacuating each block groove (125) are provided for each block groove (125). When the wafer(1) is sucked and fixed under low pressure, even if the degree of vacuum in one of the block grooves (125) decreases due to attachment of dusts on part of the suction surface, or the like, the wafer (1) can surely be sucked and held.

摘要翻译： 本发明的目的是获得即使在其上附着有灰尘也能真空吸附晶片的真空吸盘。 真空吸盘（101）的主体在其上吸引和固定晶片（1）的表面上具有多个块状凹槽（125），其中各真空抽空路径（105）用于真空抽吸每个块状凹槽（125） ）被设置用于每个块槽（125）。 当晶片（1）在低压下被吸入和固定时，即使一个块状槽（125）中的一个真空度由于吸附表面的一部分上的灰尘等的附着而降低，晶片（1） ）肯定被吸住了。

公开(公告)号：US5803938A

公开(公告)日：1998-09-08

申请号：US856575

申请日：1997-05-15

申请人： Tooru Yamaguchi ,  Kouichirou Tsutahara ,  Takayuki Suenaga

发明人： Tooru Yamaguchi ,  Kouichirou Tsutahara ,  Takayuki Suenaga

IPC分类号： H01L21/205 ,  B01D1/00 ,  B01D1/14 ,  B01D1/26 ,  B01D3/34 ,  B01J7/02 ,  C23C16/448 ,  G06F1/26 ,  G11C7/00 ,  G11C11/407 ,  G11C29/00 ,  G11C29/06 ,  H01L21/31 ,  B01F3/04

CPC分类号： B01D1/0076 ,  B01D1/0082 ,  B01D1/14 ,  B01D1/26 ,  B01D3/343 ,  B01D3/346

摘要： A liquid vaporizing apparatus includes a container for holding a liquid at a constant temperature with a temperature adjustment unit and a gas that does not react with the liquid is bubbled through the liquid in the container to vaporize the liquid. The container for holding the liquid has an internal space above the liquid and a second temperature adjustment unit for controlling the temperature of the internal space separately from the temperature of the liquid in the container. Since the internal space is maintained at a constant temperature, higher than the temperature of the liquid, the quantity of the vaporized liquid produced is stable.

摘要翻译： 液体蒸发装置包括用温度调节单元保持恒定温度的液体的容器，并且不与液体反应的气体鼓泡通过容器中的液体以蒸发液体。 用于保持液体的容器具有在液体上方的内部空间和用于独立于容器中的液体的温度来控制内部空间的温度的第二温度调节单元。 由于内部空间维持在比液体温度高的恒定温度下，所生成的气化液体的量是稳定的。

公开(公告)号：US5076207A

公开(公告)日：1991-12-31

申请号：US376877

申请日：1989-07-07

申请人： Akihiro Washitani ,  Masashi Ohmori ,  Kouichirou Tsutahara ,  Toru Yamaguchi

发明人： Akihiro Washitani ,  Masashi Ohmori ,  Kouichirou Tsutahara ,  Toru Yamaguchi

IPC分类号： H01L21/316 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/4584

摘要： An atmospheric CVD apparatus includes a gas head for ejecting reaction gases consisting of SiH.sub.4 gas and O.sub.2 gas, and a stage which is arranged at a position above the gas head and which is rotated while a semiconductor wafer retained on the bottom of the stage is heated to a temperature in the range of 380.degree. C. to 440.degree. C., the distance between the surface of the semiconductor wafer and the gas supply head being set in the range of 8 mm to 25 mm. The flow ratio between the reaction gases is so adjusted that when the flow rate of the O.sub.2 gas is represented as 1.0, that of the SiH.sub.4 gas is represented as 0.07 to 0.10. The apparatus deposits a reaction product film which excels in film thickness uniformity with a satisfactory level of reproducibility. Furthermore, the apparatus involves very little generation of foreign matter, including reaction products in the form of particles sticking to the surface of the semiconductor wafer, thereby making it possible to produce high-quality semiconductor devices.

摘要翻译： 大气CVD装置包括用于喷射由SiH 4气体和O 2气体组成的反应气体的气体头，以及设置在气体头部上方并在保持在载物台底部的半导体晶片被加热的同时旋转的台阶 在380℃至440℃的范围内的温度下，半导体晶片的表面与气体供给头之间的距离设定在8mm至25mm的范围内。 调整反应气体之间的流量比，使得当O 2气体的流量为1.0时，SiH 4气体的流量比为0.07〜0.10。 该装置以令人满意的再现性水平沉积膜厚均匀性优异的反应产物膜。 此外，该装置涉及非常少的异物产生，包括以粘附于半导体晶片的表面的颗粒形式的反应产物，从而可制造高品质的半导体器件。

公开(公告)号：US5025133A

公开(公告)日：1991-06-18

申请号：US374824

申请日：1989-07-03

申请人： Kouichirou Tsutahara ,  Hiroshi Tanaka

发明人： Kouichirou Tsutahara ,  Hiroshi Tanaka

IPC分类号： H01L21/205 ,  B01F13/08 ,  H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324 ,  H01L23/34 ,  H02K44/06 ,  H05B3/22 ,  H05B6/34

CPC分类号： H01L21/67109 ,  B01F13/0809 ,  H01L23/345 ,  H02K44/06 ,  H05B3/22 ,  H05B6/34 ,  H01L2924/0002 ,  H05B2213/02

摘要： A semiconductor wafer heating device includes a hollow heating stage. A semiconductor wafer is disposed over one surface of the heating stage and a heater is provided over the other surface thereof. A fluid having an excellent heat conductivity which is filled in the hollow space of the heating stage is stirred uniformly. In consequence, the surface temperature of the heating stage can be made uniform without employing a thick heating stage, and an excellent temperature control of the heating stage can be ensured.

摘要翻译： 半导体晶片加热装置包括中空加热台。 半导体晶片设置在加热台的一个表面上，并且加热器设置在其另一表面上。 将填充在加热台的中空空间中的具有优异导热性的流体均匀地搅拌。 因此，可以使加热台的表面温度均匀，而不需要采用厚的加热阶段，并且可以确保加热阶段的优异的温度控制。

公开(公告)号：US5520858A

公开(公告)日：1996-05-28

申请号：US244265

申请日：1994-07-25

申请人： Tooru Yamaguchi ,  Kouichirou Tsutahara ,  Takayuki Suenaga

发明人： Tooru Yamaguchi ,  Kouichirou Tsutahara ,  Takayuki Suenaga

IPC分类号： H01L21/205 ,  B01D1/00 ,  B01D1/14 ,  B01D1/26 ,  B01D3/34 ,  B01J7/02 ,  C23C16/448 ,  G06F1/26 ,  G11C7/00 ,  G11C11/407 ,  G11C29/00 ,  G11C29/06 ,  H01L21/31 ,  B01F3/04

CPC分类号： B01D1/0076 ,  B01D1/0082 ,  B01D1/14 ,  B01D1/26 ,  B01D3/343 ,  B01D3/346

摘要： A liquid vaporizing apparatus includes a container for holding a liquid at a constant temperature with a temperature adjustment unit and a gas that does not react with the liquid is bubbled through the liquid in the container to vaporize the liquid. The container for holding the liquid has an internal space above the liquid and a second temperature adjustment unit for controlling the temperature of the internal space separately from the temperature of the liquid in the container. Since the internal space is maintained at a constant temperature, higher than the temperature of the liquid, the quantity of the vaporized liquid produced is stable.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP93 / 01353 Sec。 371日期：1994年7月25日 102（e）日期1994年7月25日PCT提交1993年9月21日PCT公布。 出版物WO94 / 06529 日期：1994年3月3日。液体蒸发装置包括用温度调节单元保持恒定温度的液体的容器，并且不与液体反应的气体鼓泡通过容器中的液体以蒸发液体。 用于保持液体的容器具有在液体上方的内部空间和用于独立于容器中的液体的温度来控制内部空间的温度的第二温度调节单元。 由于内部空间维持在比液体温度高的恒定温度下，所生成的气化液体的量是稳定的。

公开(公告)号：US06568996B2

公开(公告)日：2003-05-27

申请号：US09837323

申请日：2001-04-19

申请人： Toshio Kobayashi ,  Toshiyuki Toyoshima ,  Suguru Nagae ,  Masanobu Iwasaki ,  Kouichirou Tsutahara ,  Shin Hasegawa

发明人： Toshio Kobayashi ,  Toshiyuki Toyoshima ,  Suguru Nagae ,  Masanobu Iwasaki ,  Kouichirou Tsutahara ,  Shin Hasegawa

IPC分类号： C09K314

CPC分类号： H01L21/3212 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31053

摘要： The object of the present invention is to provide a polishing agent for processing semiconductor, which can control coagulation and sedimentation and has stable and re-productive polishing properties under a proper dispersing condition to prevent generation of polishing flaw. The polishing agent for processing semiconductor comprises a compound having glucose structure, polishing particles and water.

公开(公告)号：US5785902A

公开(公告)日：1998-07-28

申请号：US851500

申请日：1997-05-05

申请人： Tooru Yamaguchi ,  Kouichirou Tsutahara ,  Takayuki Suenaga

发明人： Tooru Yamaguchi ,  Kouichirou Tsutahara ,  Takayuki Suenaga

IPC分类号： H01L21/205 ,  B01D1/00 ,  B01D1/14 ,  B01D1/26 ,  B01D3/34 ,  B01J7/02 ,  C23C16/448 ,  G06F1/26 ,  G11C7/00 ,  G11C11/407 ,  G11C29/00 ,  G11C29/06 ,  H01L21/31 ,  B01F3/04

CPC分类号： B01D1/0076 ,  B01D1/0082 ,  B01D1/14 ,  B01D1/26 ,  B01D3/343 ,  B01D3/346

摘要： A liquid vaporizing apparatus includes a container for holding a liquid at a constant temperature with a temperature adjustment unit and a gas that does not react with the liquid is bubbled through the liquid in the container to vaporize the liquid. The container for holding the liquid has an internal space above the liquid and a second temperature adjustment unit for controlling the temperature of the internal space separately from the temperature of the liquid in the container. Since the internal space is maintained at a constant temperature, higher than the temperature of the liquid, the quantity of the vaporized liquid produced is stable.

公开(公告)号：US5662838A

公开(公告)日：1997-09-02

申请号：US592449

申请日：1996-01-26

申请人： Tooru Yamaguchi ,  Kouichirou Tsutahara ,  Takayuki Suenaga

发明人： Tooru Yamaguchi ,  Kouichirou Tsutahara ,  Takayuki Suenaga

IPC分类号： H01L21/205 ,  B01D1/00 ,  B01D1/14 ,  B01D1/26 ,  B01D3/34 ,  B01J7/02 ,  C23C16/448 ,  G06F1/26 ,  G11C7/00 ,  G11C11/407 ,  G11C29/00 ,  G11C29/06 ,  H01L21/31 ,  B01F3/04

CPC分类号： B01D1/0076 ,  B01D1/0082 ,  B01D1/14 ,  B01D1/26 ,  B01D3/343 ,  B01D3/346

摘要： A liquid vaporizing apparatus includes a container for holding a liquid at a constant temperature with a temperature adjustment unit and a gas that does not react with the liquid is bubbled through the liquid in the container to vaporize the liquid. The container for holding the liquid has an internal space above the liquid and a second temperature adjustment unit for controlling the temperature of the internal space separately from the temperature of the liquid in the container. Since the internal space is maintained at a constant temperature, higher than the temperature of the liquid, the quantity of the vaporized liquid produced is stable.

摘要翻译： 液体蒸发装置包括用温度调节单元保持恒定温度的液体的容器，并且不与液体反应的气体鼓泡通过容器中的液体以蒸发液体。 用于保持液体的容器具有在液体上方的内部空间和用于独立于容器中液体的温度来控制内部空间的温度的第二温度调节单元。 由于内部空间维持在比液体温度高的恒定温度下，所生成的气化液体的量是稳定的。