公开(公告)号：US20050156195A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US11079166

申请日：2005-03-14

申请人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Houtsma ,  Rose Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

发明人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Houtsma ,  Rose Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/739 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： A method for fabricating a bipolar transistor includes forming a vertical sequence of semiconductor layers, forming an implant mask on the last formed semiconductor layer, and implanting dopant ions into a portion of one or more of the semiconductor layers. The sequence of semiconductor layers includes a collector layer, a base layer that is in contact with the collector layer, and an emitter layer that is in contact with the base layer. The implanting uses a process in which the implant mask stops dopant ions from penetrating into a portion of the sequence of layers.

公开(公告)号：US20090029536A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12286239

申请日：2008-09-29

申请人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

发明人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： A method for fabricating a bipolar transistor includes forming a vertical sequence of semiconductor layers, forming an implant mask on the last formed semiconductor layer, and implanting dopant ions into a portion of one or more of the semiconductor layers. The sequence of semiconductor layers includes a collector layer, a base layer that is in contact with the collector layer, and an emitter layer that is in contact with the base layer. The implanting uses a process in which the implant mask stops dopant ions from penetrating into a portion of the sequence of layers.

公开(公告)号：US06911716B2

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US10243369

申请日：2002-09-13

申请人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

发明人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： A method for fabricating a bipolar transistor includes forming a vertical sequence of semiconductor layers, forming an implant mask on the last formed semiconductor layer, and implanting dopant ions into a portion of one or more of the semiconductor layers. The sequence of semiconductor layers includes a collector layer, a base layer that is in contact with the collector layer, and an emitter layer that is in contact with the base layer. The implanting uses a process in which the implant mask stops dopant ions from penetrating into a portion of the sequence of layers.

摘要翻译： 一种用于制造双极晶体管的方法，包括形成垂直的半导体层序列，在最后形成的半导体层上形成注入掩模，以及将掺杂离子注入到一个或多个半导体层的一部分中。 半导体层的序列包括集电极层，与集电极层接触的基极层和与基极层接触的发射极层。 植入使用其中植入掩模阻止掺杂剂离子渗入层序列的一部分的过程。

公开(公告)号：US07595249B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US12286239

申请日：2008-09-29

申请人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

发明人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： A method for fabricating a bipolar transistor includes forming a vertical sequence of semiconductor layers, forming an implant mask on the last formed semiconductor layer, and implanting dopant ions into a portion of one or more of the semiconductor layers. The sequence of semiconductor layers includes a collector layer, a base layer that is in contact with the collector layer, and an emitter layer that is in contact with the base layer. The implanting uses a process in which the implant mask stops dopant ions from penetrating into a portion of the sequence of layers.

摘要翻译： 一种用于制造双极晶体管的方法，包括形成垂直的半导体层序列，在最后形成的半导体层上形成注入掩模，以及将掺杂离子注入到一个或多个半导体层的一部分中。 半导体层的序列包括集电极层，与集电极层接触的基极层和与基极层接触的发射极层。 植入使用其中植入掩模阻止掺杂剂离子渗入层序列的一部分的过程。

公开(公告)号：US20050230784A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US10341777

申请日：2003-01-14

申请人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Lay-Lay Chua

发明人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Lay-Lay Chua

IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/26 ,  H01L29/00 ,  H01L27/102

CPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1221 ,  G02B6/26 ,  G02B2006/12038 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12069 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12176 ,  G02B2006/12197

摘要： The present invention provides a method for adhering dielectric layers to metals, in particular inert metals, using an adhesive layer comprising silicon-rich silicon nitride. Good adhesion is achieved at temperatures of less than 300° C., thereby facilitating the fabrication of semiconductor structures containing II-VI and III-V semiconductors.

摘要翻译： 本发明提供一种使用包含富硅氮化硅的粘合剂层将电介质层粘附到金属，特别是惰性金属的方法。 在低于300℃的温度下实现良好的附着力，从而有助于制造含有II-VI和III-V半导体的半导体结构。

公开(公告)号：US20050255692A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US11184232

申请日：2005-07-19

申请人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Lay-Lay Chua

发明人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Lay-Lay Chua

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/65

摘要： The present invention provides a method for adhering dielectric layers to metals, in particular inert metals, using an adhesive layer comprising silicon-rich silicon nitride. Good adhesion is achieved at temperatures of less than 300° C., thereby facilitating the fabrication of semiconductor structures containing II-VI and III-V semiconductors.

摘要翻译： 本发明提供一种使用包含富硅氮化硅的粘合剂层将电介质层粘附到金属，特别是惰性金属的方法。 在低于300℃的温度下实现良好的附着力，从而有助于制造含有II-VI和III-V半导体的半导体结构。

公开(公告)号：US06610599B1

公开(公告)日：2003-08-26

申请号：US10175459

申请日：2002-06-19

申请人： Lay-Lay Chua ,  Chun-Ting Liu ,  Yang Yang

发明人： Lay-Lay Chua ,  Chun-Ting Liu ,  Yang Yang

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/10 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814

摘要： A method for making an ICD or MEOD structure includes dry etching a structure to produce one or more via holes in an upper layer of the structure. The dry etching step stops on a metal layer that underlies the upper layer in the structure. The method also includes cleaning the dry etched structure with an aqueous solution that includes hydrogen peroxide and either an ammonium salt or an amine salt.

摘要翻译： 制造ICD或MEOD结构的方法包括干式蚀刻结构以在该结构的上层中产生一个或多个通孔。 干蚀刻步骤停止在结构中的上层下方的金属层上。 该方法还包括用包含过氧化氢和铵盐或胺盐的水溶液清洗干蚀刻结构。

公开(公告)号：US07514359B2

公开(公告)日：2009-04-07

申请号：US11184232

申请日：2005-07-19

申请人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Laylay Chua

发明人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Laylay Chua

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/65

摘要： The present invention provides a method for adhering dielectric layers to metals, in particular inert metals, using an adhesive layer comprising silicon-rich silicon nitride. Good adhesion is achieved at temperatures of less than 300° C., thereby facilitating the fabrication of semiconductor structures containing II-VI and III-V semiconductors.

摘要翻译： 本发明提供一种使用包含富硅氮化硅的粘合剂层将电介质层粘附到金属，特别是惰性金属的方法。 在低于300℃的温度下实现良好的附着力，从而有助于制造含有II-VI和III-V半导体的半导体结构。

公开(公告)号：US06989579B2

公开(公告)日：2006-01-24

申请号：US10341777

申请日：2003-01-14

申请人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Laylay Chua

发明人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Laylay Chua

IPC分类号： H01L29/00

CPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1221 ,  G02B6/26 ,  G02B2006/12038 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12069 ,  G02B2006/12097 ,  G02B2006/12176 ,  G02B2006/12197

摘要： The present invention provides a method for adhering dielectric layers to metals, in particular inert metals, using an adhesive layer comprising silicon-rich silicon nitride. Good adhesion is achieved at temperatures of less than 300° C., thereby facilitating the fabrication of semiconductor structures containing II–VI and III–V semiconductors.

公开(公告)号：US20070230886A1

公开(公告)日：2007-10-04

申请号：US11394780

申请日：2006-03-31

申请人： Young-Kai Chen ,  Andreas Leven ,  Yang Yang

发明人： Young-Kai Chen ,  Andreas Leven ,  Yang Yang

IPC分类号： G02B6/10 ,  G02B6/00

CPC分类号： G02B6/122 ,  G02B6/131 ,  G02B6/136 ,  G02B2006/12097

摘要： Apparatus including: a substrate layer having a substantially planar top surface; an optically conductive peak located and elongated on, and spanning a first thickness measured in a direction generally away from, the top surface; the optically conductive peak having first and second lateral walls each including distal and proximal lateral wall portions, the proximal lateral wall portions intersecting the top surface; and first and second sidewall layers located on the distal lateral wall portions, the sidewall layers not intersecting the top surface and spanning a second thickness that is less than the first thickness measured in the same direction.

摘要翻译： 设备包括：具有基本平坦的顶表面的基底层; 位于并延伸并且跨越在大致远离顶表面的方向测量的第一厚度的光导体峰; 所述光导体峰具有第一和第二侧壁，每个侧壁包括远侧和近侧壁部分，所述近侧壁部分与所述顶表面相交; 以及位于所述远侧壁部分上的第一和第二侧壁层，所述侧壁层不与所述顶表面相交并跨越在相同方向上测量的小于所述第一厚度的第二厚度。