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    FLOWABLE LOW-K DIELECTRIC GAPFILL TREATMENT
    11.
    发明申请
    FLOWABLE LOW-K DIELECTRIC GAPFILL TREATMENT 审中-公开
    可流动的低K电介质GAPFILL治疗

    公开(公告)号：WO2016053619A1

    公开(公告)日：2016-04-07

    申请号：PCT/US2015/050242

    申请日：2015-09-15

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC

    Inventor： THADANI, Kiran V. ,  MALLICK, Adhijit Basu ,  KAMATH, Sanjay

    IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

    CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76837

    Abstract: Methods are described for forming a flowable low-k dielectric film on a patterned substrate. The film may be a silicon-carbon-oxygen (Si-C-O) layer in which the silicon and carbon constituents come from a silicon and carbon containing precursor while the oxygen may come from an oxygen-containing precursor activated in a remote plasma region. Shortly after deposition, the silicon-carbon-oxygen layer is treated by exposure to a hydrogen-and-nitrogen-containing precursor such as ammonia prior to curing. The treatment may remove residual moisture from the silicon-carbon-oxygen layer and may make the lattice more resilient during curing and subsequent processing. The treatment may reduce shrinkage of the silicon-carbon-oxygen layer during subsequent processing.

    Abstract translation: 描述了在图案化衬底上形成可流动的低k电介质膜的方法。 该膜可以是硅 - 碳 - 氧（Si-C-O）层，其中硅和碳成分来自含硅和碳的前体，而氧可以来自在远程等离子体区域中活化的含氧前体。 在沉积后不久，在固化之前通过暴露于含氢和氮的前体例如氨来处理硅 - 碳 - 氧层。 处理可以从硅 - 碳 - 氧层去除残留的水分，并且可以使晶格在固化和随后的加工过程中更有弹性。 该处理可以在随后的处理期间减少硅 - 碳 - 氧层的收缩。

    METHODS FOR FORMING PASSIVATION PROTECTION FOR AN INTERCONNECTION STRUCTURE
    12.
    发明申请
    METHODS FOR FORMING PASSIVATION PROTECTION FOR AN INTERCONNECTION STRUCTURE 审中-公开
    用于形成互连结构的钝化保护的方法

    公开(公告)号：WO2015134118A1

    公开(公告)日：2015-09-11

    申请号：PCT/US2015/011453

    申请日：2015-01-14

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： REN, He ,  NAIK, Mehul, B. ,  CAO, Yong ,  KESAPRAGADA, Sree Rangasai, V. ,  SHEK, Mei-yee ,  CHENG, Yana

    IPC: H01L21/768

    CPC classification number: H01L21/76841 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/321 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849

    Abstract: Methods for forming a passivation protection structure on a metal line layer formed in an insulating material in an interconnection structure are provided. In one embodiment, a method for forming passivation protection on a metal line in an interconnection structure for semiconductor devices includes selectively forming a metal capping layer on a metal line bounded by a dielectric bulk insulating layer in an interconnection structure formed on a substrate in a processing chamber incorporated in a multi-chamber processing system, in-situ forming a barrier layer on the substrate in the processing chamber; wherein the barrier layer is a metal dielectric layer, and forming a dielectric capping layer on the barrier layer in the multi-chamber processing system.

    Abstract translation: 提供了在形成在互连结构中的绝缘材料中的金属线层上形成钝化保护结构的方法。 在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属线上形成钝化保护的方法包括在处理中形成在基板上的互连结构中的介电体绝缘层界定的金属线上选择性地形成金属覆盖层 结合在多腔室处理系统中，在处理室中的基底上原位形成阻挡层; 其中所述阻挡层是金属介电层，并且在所述多室处理系统中的阻挡层上形成电介质覆盖层。

    アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、及び表示装置
    13.
    发明申请
    アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、及び表示装置 审中-公开
    主动矩阵基板制造方法，主动矩阵基板和显示装置

    公开(公告)号：WO2015104806A1

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：PCT/JP2014/050166

    申请日：2014-01-08

    Applicant: 堺ディスプレイプロダクト株式会社

    Inventor： 加藤　真裕 ,  宇津木　覚

    IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

    CPC classification number: H01L27/1262 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/311 ,  H01L21/31127 ,  H01L22/20 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

    Abstract: 　基板表面が削られたり、異常放電が生じたりする虞がなく、層間絶縁膜に調整孔を設けることができ、形成する膜の位置を最下層の膜の位置に合わせて容易に補正することができ、良好な重ね合わせ精度を有するアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、及び該アクティブマトリクス基板を備える表示装置を提供する。　アクティブマトリクス基板の層間絶縁膜１４は、感光性を有するＳＯＧ材料を用い、基板１０及び層間絶縁膜１４の上側に形成するゲート絶縁膜１５、第１半導体膜１６、第２半導体膜１７、及びソースメタルのパターンを調整するための調整孔１４ｂを有するように形成される。各膜の位置は、調整孔１４ｂからゲート配線１１の縁部を視認して調整する。

    Abstract translation: 本发明提供一种有源矩阵基板的制造方法，其中不存在基板表面被刮擦或发生异常放电的可能性，通过该方法可以在层间绝缘膜中设置调整孔，形成膜的位置 可以通过将这样的位置与最下层的膜的位置匹配来容易地校正，并且具有良好的重叠精度; 有源矩阵基板; 以及具有有源矩阵基板的显示装置。 有源矩阵基板的层间绝缘膜（14）使用具有光敏性的SOG材料，并且形成为包括形成在基板（10）和层间绝缘膜（14）上方的栅极绝缘膜（15）， 第一半导体膜（16），第二半导体膜（17）和用于调整源极金属图案的调整孔（14b）。 通过从调节孔（14b）观察栅极布线（11）的边缘来调整每个层的位置。

    UV CURING PROCESS TO IMPROVE MECHANICAL STRENGTH AND THROUGHPUT ON LOW-K DIELECTRIC FILMS
    14.
    发明申请
    UV CURING PROCESS TO IMPROVE MECHANICAL STRENGTH AND THROUGHPUT ON LOW-K DIELECTRIC FILMS 审中-公开
    UV固化方法提高机械强度和低K电介质膜的穿透性

    公开(公告)号：WO2014158408A1

    公开(公告)日：2014-10-02

    申请号：PCT/US2014/016187

    申请日：2014-02-13

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： YIM, Kang Sub ,  CHHABRA, Mahendra ,  DEMOS, Alexandros T.

    IPC: H01L21/324

    CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/324

    Abstract: A low k porous dielectric film with improved mechanical strength and methods for making the same are disclosed herein. A method of forming a dielectric layer can include positioning a substrate in a processing chamber, delivering a deposition gas to the processing chamber, depositing a dense organosilicon layer using the deposition gas on the surface of the substrate, the dense organosilicon layer comprising a porogenic carbon, forming a pore-forming plasma from a reactant gas, exposing the dense organosilicon layer to the pore-forming plasma to create a porous organosilicon layer, wherein the pore-forming plasma removes at least a portion of the porogenic carbon and exposing the porous organosilicon layer to ultraviolet (UV) radiation.

    Abstract translation: 本文公开了具有改进的机械强度的低k多孔介电膜及其制造方法。 形成电介质层的方法可以包括将衬底定位在处理室中，将沉积气体输送到处理室中，使用沉积气体在衬底的表面上沉积致密的有机硅层，致密有机硅层包含致孔碳 ，从反应气体形成成孔等离子体，将致密的有机硅层暴露于成孔等离子体以产生多孔有机硅层，其中造孔等离子体去除至少一部分致孔碳并暴露多孔有机硅 层到紫外（UV）辐射。

    POST TREATMENT FOR CONSTANT REDUCTION WITH PORE GENERATION ON LOW-K DIELECTRIC FILMS
    15.
    发明申请
    POST TREATMENT FOR CONSTANT REDUCTION WITH PORE GENERATION ON LOW-K DIELECTRIC FILMS 审中-公开
    用于在低K电介质膜上进行孔生成的持续减少的后处理

    公开(公告)号：WO2014158351A1

    公开(公告)日：2014-10-02

    申请号：PCT/US2014/014678

    申请日：2014-02-04

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： YIM, Kang Sub ,  ARDALAN, Pendar ,  NGO, Sure ,  DEMOS, Alexandros T.

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/31058 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/3105

    Abstract: A method and apparatus for depositing a low K dielectric film with one or more features is disclosed herein. A method of forming a dielectric layer can include positioning a substrate in a processing chamber, delivering a deposition gas to the processing chamber, depositing a dense organosilicon layer using the deposition gas on the surface of the substrate, the dense organosilicon layer comprising a porogenic carbon, transferring a pattern into the dense organosilicon layer, forming a pore-forming plasma from a reactant gas, exposing the dense organosilicon layer to the pore-forming plasma to create a porous organosilicon layer, wherein the pore-forming plasma removes at least a portion of the porogenic carbon and exposing the porous organosilicon layer to a desiccating post treatment.

    Abstract translation: 本文公开了一种用于沉积具有一个或多个特征的低K电介质膜的方法和装置。 形成电介质层的方法可以包括将衬底定位在处理室中，将沉积气体输送到处理室中，使用沉积气体在衬底的表面上沉积致密的有机硅层，致密有机硅层包含致孔碳 将图案转移到致密的有机硅层中，从反应气体形成成孔等离子体，将致密的有机硅层暴露于成孔等离子体以产生多孔有机硅层，其中成孔等离子体去除至少一部分 的造孔碳，并将多孔有机硅层暴露于干燥后处理。

    DEPOSITION OF FILMS USING DISILOXANE PRECURSORS
    16.
    发明申请
    DEPOSITION OF FILMS USING DISILOXANE PRECURSORS 审中-公开
    使用甲基纤维素前体沉积膜

    公开(公告)号：WO2014152826A1

    公开(公告)日：2014-09-25

    申请号：PCT/US2014/027899

    申请日：2014-03-14

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  THOMPSON, David ,  SALY, Mark

    Inventor： THOMPSON, David ,  SALY, Mark

    IPC: H01L21/205

    CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274

    Abstract: Provided are methods of for deposition of various silicon-containing films using disiloxane or disiloxane derivative. Certain methods relate to deposition of Si x O y using an oxygen-containing compound, plasma or halosilane. Certain other methods relate to deposition of metal oxides using a metal halide and disiloxane. Yet other methods pertain to deposition of SiOC films using disiloxane or carbon-containing disiloxane derivatives, possibly with organic hydroxides.

    Abstract translation: 提供了使用二硅氧烷或二硅氧烷衍生物沉积各种含硅膜的方法。 某些方法涉及使用含氧化合物，等离子体或卤代硅烷沉积SixOy。 某些其它方法涉及使用金属卤化物和二硅氧烷沉积金属氧化物。 还有其它方法涉及使用二硅氧烷或含碳的二硅氧烷衍生物（可能是有机氢氧化物）沉积SiOC膜。

    METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM
    19.
    发明申请
    METHOD OF PATTERNING A LOW-K DIELECTRIC FILM 审中-公开
    绘制低K电介质膜的方法

    公开(公告)号：WO2014070619A1

    公开(公告)日：2014-05-08

    申请号：PCT/US2013/066953

    申请日：2013-10-25

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： NEMANI, Srinivas, D. ,  PENDER, Jeremiah, T. ,  ZHOU, Qingjun ,  LUBOMIRSKY, Dmitry ,  BELOSTOTSKIY, Sergey, G.

    IPC: H01L21/31 ,  H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32009 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

    Abstract: Methods of patterning low-k dielectric films are described. In an example, a method of patterning a low-k dielectric film involves forming and patterning a mask layer above a low-k dielectric layer, the low-k dielectric layer disposed above a substrate. The method also involves modifying exposed portions of the low-k dielectric layer with a nitrogen-free plasma process. The method also involves removing, with a remote plasma process, the modified portions of the low-k dielectric layer selective to the mask layer and unmodified portions of the low-k dielectric layer.

    Abstract translation: 描述了低k介电膜图案的方法。 在一个实例中，图案化低k电介质膜的方法包括在低k电介质层之上形成和图案化掩模层，低k电介质层设置在衬底之上。 该方法还涉及用无氮等离子体工艺来修饰低k电介质层的暴露部分。 该方法还涉及通过远程等离子体处理去除低k电介质层的修改部分对掩模层和低k电介质层的未修改部分有选择性。

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