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    炭化珪素半導体装置およびその製造方法
    41.
    发明申请
    炭化珪素半導体装置およびその製造方法 审中-公开
    硅碳化硅半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：WO2015068475A1

    公开(公告)日：2015-05-14

    申请号：PCT/JP2014/074710

    申请日：2014-09-18

    Applicant: 住友電気工業株式会社 ,  ルネサスエレクトロニクス株式会社

    Inventor： 久保田　良輔 ,  山田　俊介 ,  堀井　拓 ,  増田　健良 ,  濱島　大輔 ,  田中　聡 ,  木村　真二 ,  小林　正幸

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/66 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/1608 ,  G01R31/2621 ,  G01R31/2856 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28 ,  H01L21/321 ,  H01L21/324 ,  H01L21/326 ,  H01L22/14 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827

    Abstract: 　炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板（１０）と、ゲート絶縁膜（１５）と、ゲート電極（２７）とを備える。炭化珪素基板（１０）は、第１の主面（１０ａ）と、第１の主面（１０ａ）と反対側の第２の主面（１０ｂ）とを有する。ゲート絶縁膜（１５）は、炭化珪素基板（１０）の第１の主面（１０ａ）に接して設けられている。ゲート電極（２７）は、炭化珪素基板（１０）との間にゲート絶縁膜（１５）を挟むようにゲート絶縁膜（１５）上に設けられている。１７５℃の温度下において、ゲート電極（２７）に対して－５Ｖのゲート電圧を１００時間印加する第１のストレス試験を行う場合に、第１のストレス試験を行う前の閾値電圧を第１の閾値電圧とし、第１のストレス試験を行った後の閾値電圧を第２の閾値電圧とした場合、第１の閾値電圧と第２の閾値電圧との差の絶対値は、０．５Ｖ以下である。これにより、閾値電圧の変動を低減可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。

    Abstract translation: 一种设置有碳化硅衬底（10），栅极绝缘膜（15）和栅电极（27）的碳化硅半导体器件。 碳化硅衬底（10）在与第一主表面（10a）相对的一侧上具有第一主表面（10a）和第二主表面（10b）。 栅极绝缘膜（15）设置成与碳化硅基板（10）的第一主表面（10a）接触。栅极绝缘膜（15）设置在栅极绝缘膜（15）上， 栅极绝缘膜（15）插入在栅电极（27）和碳化硅衬底（10）之间。 关于在175℃的温度下对栅电极（27）施加-5V的栅极电压的第一应力试验，当进行第一次应力试验前的阈值电压为 将第一阈值电压和执行第一应力测试之后的阈值电压作为第二阈值电压，第一阈值电压与第二阈值电压之差的绝对值等于或小于0.5V。碳化硅半导体 从而可以提供阈值电压的波动可以减小的装置和制造碳化硅半导体器件的方法。

    LASER ANNEALING METHODS FOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs)
    43.
    发明申请
    LASER ANNEALING METHODS FOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs) 审中-公开
    集成电路（IC）的激光退火方法

    公开(公告)号：WO2015061087A1

    公开(公告)日：2015-04-30

    申请号：PCT/US2014/060575

    申请日：2014-10-15

    Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

    Inventor： LEE, Yong, Ju ,  DU, Yang

    IPC: H01L21/268 ,  H01L27/06

    CPC classification number: H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8221 ,  H01L27/0688

    Abstract: Laser annealing methods for integrated circuits (IC) are disclosed. In particular, an upper surface of an integrated circuit is annealed with a laser using a brief burst of light from the laser. In an exemplary embodiment, the brief burst of light from the laser lasts approximately fifty (50) to five hundred (500) microseconds. This brief burst will raise the temperature of the surface to approximately 1200C.

    Abstract translation: 公开了集成电路（IC）的激光退火方法。 特别地，使用来自激光器的短暂的光源，使用激光器对集成电路的上表面进行退火。 在示例性实施例中，来自激光器的短暂的光脉冲持续大约五十（50）至五百（500）微秒。 这种短暂的爆发会使表面的温度升高到大约1200℃。

    半導体装置の製造方法および半導体装置
    46.
    发明申请
    半導体装置の製造方法および半導体装置 审中-公开
    半导体器件制造方法和半导体器件

    公开(公告)号：WO2015029578A1

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：PCT/JP2014/067226

    申请日：2014-06-27

    Applicant: 富士電機株式会社

    Inventor： 田中　亮 ,  高島　信也 ,  上野　勝典 ,  江戸　雅晴

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/26553 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802

    Abstract: 　ｎ－ＧａＮ基板１１上に、ＭＯＣＶＤ法により、ｎ－Ａｌ x Ｇａ 1-x Ｎ層１２、Ａｌ y Ｇａ 1-y Ｎからなる第１キャップ層２ａ、およびＡｌ z Ｇａ 1-z Ｎからなる第２キャップ層２ｂを順次形成して、被処理基板２を形成する。その後、第２キャップ層２ｂ、第１キャップ層２ａ、およびｎ－Ａｌ x Ｇａ 1-x Ｎ層１２に不純物をイオン注入する。イオン注入後に、被処理基板２に対して高温で活性化アニールを行うことによって、ｎ－Ａｌ x Ｇａ 1-x Ｎ層１２からの窒素抜けを抑制しつつ、イオン注入した不純物を活性化させる。活性化アニール後、第２キャップ層２ｂを塩素系ドライエッチング法により除去し、第１キャップ層２ａをＫＯＨ水溶液によるウェットエッチング法により除去する。

    Abstract translation: 使用MOCVD法在n-GaN衬底（11）上依次形成n-Al x Ga 1-x N层（12），包括Al y Ga 1-y N的第一覆盖层（2a）和包含AlzGa1-zN的第二覆盖层（2b） ，形成待处理的基板（2）。 此后，进行离子注入以将杂质注入到第二盖层（2b），第一覆盖层（2a）和n-AlxGa1-xN层（12）中。 在离子注入后，对被处理基板（2）进行高温活化退火，从而在抑制从n-Al x Ga 1-x N层（12）的氮解离的同时激活注入离子注入的杂质。 在激活退火之后，通过氯基干蚀刻除去第二盖层（2b），并通过用KOH水溶液湿法蚀刻除去第一盖层（2a）。

    炭化珪素半導体装置の製造方法
    47.
    发明申请
    炭化珪素半導体装置の製造方法 审中-公开
    硅碳化硅半导体器件的制造方法

    公开(公告)号：WO2015025632A1

    公开(公告)日：2015-02-26

    申请号：PCT/JP2014/068286

    申请日：2014-07-09

    Applicant: 住友電気工業株式会社

    Inventor： 和田　圭司 ,  増田　健良 ,  酒井　光彦

    IPC: H01L21/301 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324 ,  H01L21/78 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861

    Abstract: 　炭化珪素半導体装置（１）の製造方法は以下の工程を備えている。第１の主面（１０ａ）と、第１の主面（１０ａ）と反対の第２の主面（１０ｂ）とを有する炭化珪素基板（１０）が準備される。炭化珪素基板（１０）の第１の主面（１０ａ）に溝部（ＴＲ１）が形成される。溝部（ＴＲ１）において炭化珪素基板（１０）が切断される。溝部（ＴＲ１）を形成する工程は、塩素を用いて炭化珪素基板（１０）を熱エッチングする工程を含む。これにより、チップに対する損傷を抑制可能な炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。

    Abstract translation: 碳化硅半导体器件（1）的制造方法具有以下步骤。 制备在第一主表面（10a）相对的第一主表面（10a）和第二主表面（10b）上的碳化硅衬底（10）。 在碳化硅基板（10）的第一主表面（10a）上形成有槽部（TR1）。 在沟槽部分（TR1），切割碳化硅衬底（10）。 形成槽部（TR1）的台阶包括使用氯进行碳化硅基板（10）的热蚀刻的工序。 结果，提供了可以抑制对芯片的损坏的碳化硅半导体器件的制造方法。

    半導体装置の製造方法
    48.
    发明申请
    半導体装置の製造方法 审中-公开
    半导体器件制造方法

    公开(公告)号：WO2015025628A1

    公开(公告)日：2015-02-26

    申请号：PCT/JP2014/068134

    申请日：2014-07-08

    Applicant: 住友電気工業株式会社

    Inventor： 久保田　良輔 ,  田中　聡

    IPC: H01L21/265 ,  H01L21/683

    CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/046 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833

    Abstract: 　この発明に従った半導体装置の製造方法は、半導体基板を準備する工程と、静電チャック上に半導体基板を載置する工程と、静電チャックを第１の温度に昇温した後、半導体基板をチャッキングする工程と、半導体基板をチャッキングした状態で、静電チャックを上記第１の温度より高い第２の温度に昇温する工程と、静電チャックを上記第２の温度に昇温した状態で、半導体基板に対する処理を実行する工程とを備える。

    Abstract translation: 根据本发明，该半导体器件的制造方法具有：制备半导体衬底的步骤; 将半导体衬底放置在静电吸盘上的步骤; 在将静电卡盘的温度升高到第一温度之后夹持半导体衬底的步骤; 在半导体衬底被夹持的状态下将静电吸盘的温度升高到第二温度的步骤，所述第二温度高于第一温度; 以及在静电卡盘的温度升高到第二温度的状态下处理半导体基板的工序。

    SUPPORT CYLINDER FOR THERMAL PROCESSING CHAMBER
    49.
    发明申请
    SUPPORT CYLINDER FOR THERMAL PROCESSING CHAMBER 审中-公开
    用于热处理室的支撑气缸

    公开(公告)号：WO2015023352A1

    公开(公告)日：2015-02-19

    申请号：PCT/US2014/042025

    申请日：2014-06-12

    Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

    Inventor： BEHDJAT, Mehran ,  HUNTER, Aaron Muir ,  RANISH, Joseph M. ,  TAM, Norman L. ,  TOBIN, Jeffrey ,  LI, Jiping ,  TRAN, Martin

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

    CPC classification number: H01L21/68735 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68757

    Abstract: Embodiments of the disclosure generally relate to a support cylinder used in a thermal process chamber. In one embodiment, the support cylinder comprises a ring body having an inner peripheral surface and an outer peripheral surface, wherein the ring body comprises an opaque quartz glass material and wherein the ring body is coated with an optical transparent layer. The optical transparent layer has a coefficient of thermal expansion that is substantially matched or similar to the opaque quartz glass material to reduce thermal expansion mismatch that may cause thermal stress under high thermal loads. In one example, the opaque quartz glass material is synthetic black quartz and the optical transparent layer comprises a clear fused quartz material.

    Abstract translation: 本公开的实施例一般涉及在热处理室中使用的支撑筒。 在一个实施例中，支撑筒包括具有内周表面和外周表面的环体，其中环体包括不透明的石英玻璃材料，并且其中环体涂覆有光学透明层。 光学透明层的热膨胀系数基本上与不透明的石英玻璃材料匹配或类似，以减少在高热负荷下可能引起热应力的热膨胀失配。 在一个实例中，不透明石英玻璃材料是合成黑色石英，光学透明层包括透明的熔融石英材料。

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