公开(公告)号：WO98039802A1

公开(公告)日：1998-09-11

申请号：PCT/JP1998/000892

申请日：1998-03-04

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/469 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/31662 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31658 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/518 ,  Y10S148/023 ,  Y10S148/116 ,  Y10S438/935

Abstract: A method for manufacturing semiconductor integrated circuit device, wherein a thin oxide film which has a thickness not larger than 5 nm and essentially becomes the gate insulating film of a MOS transistor is formed on the main surface of a semiconductor wafer, at such an oxide film growing speed that the reproducibility of the formation of the oxide film and the uniformity of the thickness of the oxide film can be secured, by supplying an oxidizing speed containing water generated from hydrogen and oxygen through a catalytic action at a low concentration to the main surface of the semiconductor wafer or its vicinity.

Abstract translation: 一种制造半导体集成电路器件的方法，其中在半导体晶片的主表面上形成厚度不大于5nm的薄氧化膜，并且基本上成为MOS晶体管的栅极绝缘膜，在这种氧化膜 通过以低浓度的催化作用将含有由氢和氧产生的水的氧化速度提供给主表面，可以确保氧化膜形成的再现性和氧化膜厚度的均匀性的生长速度 的半导体晶片或其附近。

公开(公告)号：WO2017023583A1

公开(公告)日：2017-02-09

申请号：PCT/US2016/043648

申请日：2016-07-22

Applicant: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC.

Inventor： HUSEINOVIC, Armin ,  FERRARA, Joseph ,  TERRY, Brian

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/18 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/185 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/26593 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/6831

Abstract: An ion implantation system (100) for implanting ions into a workpiece (118) within a process chamber (122) further comprises a load lock chamber (136), and an isolation chamber (146) coupled to the process chamber with a pre-implant cooling environment defined therein. An isolation gate valve (150) selectively isolates the pre-implant environment from the process environment wherein the isolation chamber comprises a workpiece support (152) for supporting and cooling the workpiece. The isolation gate valve is the only access path for the workpiece to enter and exit the isolation chamber. A pressurized gas source (159) selectively pressurizes the pre-implant cooling environment to a pre-implant cooling pressure that is greater than the process pressure for expeditious cooling of the workpiece. A workpiece transfer arm (164) transfers the workpiece between the various chambers. A controller (166) controls the workpiece transfer arm and selectively cools the workpiece to a pre-implant cooling temperature in the isolation chamber at the pre-implant cooling pressure via a control of the isolation gate valve, pre-implant cooling workpiece support, and pressurized gas source.

Abstract translation: 用于将离子注入到处理室（122）内的工件（118）中的离子注入系统（100）还包括负载锁定室（136）和隔离室（146），其与预植入物联接到处理室 其中定义的冷却环境。 隔离闸阀（150）选择性地将植入前环境与过程环境隔离，其中隔离室包括用于支撑和冷却工件的工件支撑件（152）。 隔离闸阀是工件进出隔离室的唯一进入路径。 加压气体源（159）选择性地将植入物前冷却环境加压到大于工件压力的预植入物冷却压力，以便于快速冷却工件。 工件传送臂（164）在各个室之间传送工件。 控制器（166）控制工件传送臂，并且通过隔离闸阀的控制，植入物前冷却工件支撑件，以植入物前冷却压力选择性地将工件冷却到隔离室中的植入前冷却温度，以及 加压气源。

公开(公告)号：WO2016056275A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：PCT/JP2015/067908

申请日：2015-06-22

Applicant: キヤノンアネルバ株式会社

Inventor： 野沢　直之 ,  松木　信雄 ,  坂本　怜士 ,  石原　雅仁

IPC: C23C14/50 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/50 ,  C23C14/022 ,  C23C14/04 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/541 ,  C23C14/566 ,  C23C14/568 ,  H01J37/3411 ,  H01J37/3488 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/6776

Abstract: 成膜装置は、チャンバーと、前記チャンバーの中で基板を保持する保持部と、前記基板が前記チャンバーの中の成膜領域を通過するように前記基板を保持した前記保持部を移動させる駆動部と、前記成膜領域に成膜物質を供給することによって前記成膜領域を通過している前記基板に膜を形成する成膜部と、前記保持部を冷却する冷却部とを備える。

Abstract translation: 根据本发明的成膜装置设置有腔室，用于将衬底保持在腔室中的保持部件，用于移动保持部件的驱动部件，其中保持衬底，使得衬底通过成膜区域 在该腔室内形成用于向成膜区域供给成膜材料并由此在穿过成膜区域的基底上形成膜的成膜部件和用于冷却保持部件的冷却部件。

公开(公告)号：WO2013122088A1

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：PCT/JP2013/053367

申请日：2013-02-13

Applicant: 日新イオン機器 株式会社 ,  株式会社 アルバック

Inventor： 山本　良明 ,  金　永杜 ,  帯施　與司徳 ,  岡山　智彦

IPC: H01J37/317 ,  B65G49/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/20 ,  H01J37/30 ,  H01J37/317 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/20292 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/6776

Abstract: 　イオンビーム照射装置（１０）は、基板（Ｓ）を保持する搬送トレイ（Ｔ）が収容される真空槽（１４）と、真空槽（１４）内にて搬送トレイ（Ｔ）を搬送方向に搬送する搬送部と、真空槽（１４）内の所定の照射位置にイオンビームを照射するイオンビーム照射部（２１Ｌ，２１Ｕ）と搬送トレイ（Ｔ）の位置を検出する位置検出部（２３Ａ～２３Ｄ）とを備えている。位置検出部（２３Ａ～２３Ｄ）は、搬送トレイ（Ｔ）における部位を示し搬送方向に配列された互いに異なる複数の指標の各々を搬送トレイ（Ｔ）の搬送を通じて所定の撮像位置で撮像し、該撮像された指標に基づいて撮像位置に対する搬送トレイ（Ｔ）の位置を検出する。

Abstract translation: 该离子束照射装置（10）设置有容纳有基板（S）的输送托盘（T）的真空室（14），用于在真空室内输送输送托盘（T）的输送单元 14），在真空室（14）中以规定的照射位置照射离子束的离子束照射单元（21L，21U）和检测输送托盘的位置的位置检测单元（23A〜23D） （T）。 当传送托盘（T）被传送时，位置检测单元（23A-23D）在规定的成像位置处映射指示传送托盘（T）的部分并且沿传送方向排列的各个不同的指示器，并且检测 基于成像的指示器相对于成像位置的传送托盘（T）的位置。

公开(公告)号：WO2012110465A3

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：PCT/EP2012052431

申请日：2012-02-13

Applicant: MAPPER LITHOGRAPHY IP BV ,  ROSENTHAL ALON

Inventor： ROSENTHAL ALON

IPC: G03F7/20 ,  H01J37/147 ,  H01J37/317 ,  H01L21/67

CPC classification number: G03F7/70858 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/708 ,  H01J37/09 ,  H01J37/1475 ,  H01J37/3174 ,  H01J37/3177 ,  H01J2237/0264 ,  H01J2237/31754 ,  H01J2237/31774 ,  H01J2237/31793 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67213

Abstract: The invention relates to a system (100) for magnetically shielding a charged particle lithography apparatus. The system comprises a first chamber, a second chamber (102) and a set of two coils (120a; 120b). The first chamber has walls comprising a magnetic shielding material, and, at least partially, encloses the charged particle lithography apparatus. The second chamber also has walls comprising a magnetic shielding material, and encloses the first chamber. The set of two coils is disposed in the second chamber on opposing sides of the first chamber. The two coils have a common axis.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于磁屏蔽带电粒子光刻设备的系统（100）。 该系统包括第一室，第二室（102）和一组两个线圈（120a; 120b）。 第一腔室具有包括磁屏蔽材料的壁，并且至少部分地包围带电粒子光刻设备。 第二腔室还具有包含磁屏蔽材料的壁，并包围第一腔室。 该组两个线圈设置在第一室的相对侧上的第二室中。 两个线圈有一个公共轴。

公开(公告)号：WO2010147997A3

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：PCT/US2010038687

申请日：2010-06-15

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ,  RIORDON BENJAMIN B ,  DANIELS KEVIN M ,  WEAVER WILLIAM T ,  CARLSON CHARLES

Inventor： RIORDON BENJAMIN B ,  DANIELS KEVIN M ,  WEAVER WILLIAM T ,  CARLSON CHARLES

IPC: H01L21/00 ,  H01J37/317 ,  H01L21/266 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/67213 ,  C23C14/48 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/20292 ,  H01J2237/204 ,  H01J2237/31711 ,  H01L21/266 ,  H01L21/67769 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: A workpiece handling system (100) includes a process chamber (114) configured to support a workpiece for ion implantation, a first mask (172, 174, 176) stored outside the process chamber (114) in a mask station (170), and a robot system (106) configured to retrieve the first mask (172, 174, 176) from the mask station (170), and position the first mask upstream of the workpiece so the workpiece receives a first selective implant through the first mask. A method includes storing a first mask (172, 174, 176) outside a process chamber (114) in a mask station (170), retrieving the first mask from the mask station (170), position ing the first mask upstream of a workpiece positioned in the process chamber (114) for ion implantation, and performing a first selective implant through the first mask.

Abstract translation: 工件处理系统（100）包括被配置为支撑用于离子注入的工件的处理室（114），在掩模站（170）中存储在处理室（114）外部的第一掩模（172,174,176），以及 机器人系统（106），其被配置为从所述掩模站（170）取回所述第一掩模（172,174,176），并且将所述第一掩模定位在所述工件的上游，使得所述工件通过所述第一掩模接收第一选择性注入。 一种方法包括将处理室（114）外部的第一掩模（172,174,176）存储在掩模站（170）中，从掩模站（170）取回第一掩模，将第一掩模定位在工件的上游 定位在处理室（114）中用于离子注入，并且通过第一掩模执行第一选择性注入。

公开(公告)号：WO2011077122A1

公开(公告)日：2011-06-30

申请号：PCT/GB2010/052140

申请日：2010-12-17

Applicant: NANOBEAM LIMITED ,  ZHANG, Tao

Inventor： ZHANG, Tao

IPC: H01J37/02 ,  H01L21/677 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/185 ,  B25J21/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/184 ,  H01J2237/2007 ,  H01J2237/204 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67745 ,  H01L21/67748

Abstract: A charged particle beam system includes a main chamber, an exchange chamber, an x-y positioning stage housed in the main chamber, a substrate-supporting structure (13') supported by or provided by said stage and moveable in first and second perpendicular directions of travel between limits which define a field of travel; and a substrate handling device (141) housed inside the main chamber for loading and unloading a substrate into and out of the main chamber, the device comprising a bar (17) and a side member (18'), the substrate handling device configured to translate the bar along its longitudinal axis parallel to the first direction of travel and the side member extending laterally from the bar, parallel to the second direction, for supporting the substrate to one side of the bar. The substrate - supporting structure has a loading/unloading position (27) at a limit of travel along the first direction and a limit of travel along the second direction, wherein the substrate-supporting structure and the substrate handling device are positioned so that the substrate can be lifted up from and set down on the substrate-supporting structure when the substrate-supporting structure is in the loading/unloading position and when the side member is in a loading/unloading position. The substrate - supporting structure and/or a substrate supported by the substrate - supporting structure has a part which is closest to the limit of travel in the second direction and which defines a line (35') extending along the second direction which is the limit of extent of the part towards the limit of travel in the first direction, wherein the side member is shaped so that, when it is in its loading/unloading position lies, it does not cross the line, whereby the substrate- supporting structure is free to move in the second direction without the side member interfering with the substrate - supporting structure and/or a substrate.

Abstract translation: 带电粒子束系统包括主室，交换室，容纳在主室中的xy定位台，由所述载物台支撑或由所述载物台支撑并由所述载物台提供的基板支撑结构（13'），并可在第一和第二垂直行进方向上移动 在限定旅行领域的限制之间; 以及容纳在所述主室内部的用于将基板装入和卸出所述主室的基板处理装置（141），所述装置包括杆（17）和侧构件（18'），所述基板处理装置被配置为 平行于第一行进方向沿着其纵向轴线平移杆，并且侧部件从杆平行于第二方向横向延伸，用于将基板支撑到杆的一侧。 衬底支撑结构具有沿着第一方向的行进极限和沿着第二方向的行进极限的装载/卸载位置（27），其中衬底支撑结构和衬底处理装置被定位成使得衬底 当基板支撑结构处于装载/卸载位置以及当侧部件处于装载/卸载位置时，可以从基板支撑结构上升起并放下基板支撑结构。 由基板支撑结构支撑的基板支撑结构和/或基板具有最靠近第二方向的行进极限的部分，并且限定沿第二方向延伸的线（35'），该线（35'）是极限 所述部件朝向所述第一方向的行进限制的范围，其中所述侧部构件成形为使得当其处于其装载/卸载位置时，所述侧构件不穿过所述线，由此所述衬底支撑结构是自由的 在第二方向上移动，而侧构件不影响衬底支撑结构和/或衬底。

公开(公告)号：WO2010039689A2

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：PCT/US2009/058744

申请日：2009-09-29

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES ,  FISH, Roger, B. ,  MITCHELL, Robert, J.

Inventor： FISH, Roger, B. ,  MITCHELL, Robert, J.

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/67213 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/0216 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67109 ,  Y10T279/23

Abstract: The fluid delivery mechanism of the present disclosure provides a solution for use in a single axis of motion that allows the connection of one or more fluid flow paths over a wide range of temperatures into a vacuum environment. The mechanism does not employ flexible tubing that is prone to fatigue, especially at very low temperatures. In one embodiment, a tube is axially moved within a sealed piston to allow for fluid delivery. In a second embodiment, bellows are used to provide the required functionality. In another embodiment, it is possible to achieve movement in two or more axis of motion by utilizing two or more appropriateiy configured mechanisms.

Abstract translation: 本公开的流体输送机构提供了用于单一运动轴线的解决方案，该解决方案允许在宽范围的温度下将一个或多个流体流动路径连接到真空环境中。 该机制不采用容易疲劳的柔性管，特别是在非常低的温度下。 在一个实施例中，管在密封活塞内轴向移动以允许流体输送。 在第二实施例中，波纹管用于提供所需的功能。 在另一个实施例中，可以通过利用两个或更多个适当配置的机构来实现在两个或更多个运动轴线上的运动。

公开(公告)号：WO2008054240A1

公开(公告)日：2008-05-08

申请号：PCT/RU2007/000087

申请日：2007-02-22

Applicant: ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «НАУЧНОЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ» ,  АЛЕКСЕЕВ Алексей Николаевич ,  БАРАНОВ Дмитрий Аркадьевич ,  ВАСИЛЬЕВ Владислав Алексеевич

Inventor： АЛЕКСЕЕВ Алексей Николаевич ,  БАРАНОВ Дмитрий Аркадьевич ,  ВАСИЛЬЕВ Владислав Алексеевич

IPC: C30B23/08 ,  H01L21/26 ,  C23C14/28

CPC classification number: C30B23/02 ,  C23C14/50 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C30B25/12 ,  C30B35/005 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785

Abstract: Ростовой манипулятор вакуумной камеры предназначен для выращивания тонких пленок полупроводников методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Манипулятор размещен в вакуумной камере, которая содержит корпус (1) и крышку (2). Манипулятор содержит штангу (3) с нагревателем (4) на нижнем конце, полый трубчатый элемент (5) и держатель (6) подложки (7). Штанга установлена внутри трубчатого элемента. Держатель подложки установлен с возможностью его захвата и освобождения в захватном механизме, включающем L-образные консоли (8). Горизонтальные элементы консолей выполнены с возможностью размещения на них держателя подложки. Вертикальные элементы консолей прикреплены верхними концами к диску (9) с центральным отверстием (10). Полый трубчатый элемент пропущен через центральное отверстие диска, к которому по контуру центрального отверстия прикреплена каретка (11), снабженная роликами (12), поджатыми к наружной поверхности трубчатого элемента. На внутренней поверхности крышки выполнены регулируемые по высоте упоры (13), а на наружной поверхности трубчатого элемента - переставные по высоте упоры (14). К нижнему концу трубчатого элемента прикреплен диск (15) с центральным отверстием (16) и отверстиями (17), выполненными по периферии. В центральное отверстие (16) пропущена штанга, а в отверстия (17) - вертикальные элементы консолей. Между диском (9) и диском (15) размещены упругие элементы (18). Манипулятор может быть использован в вакуумных камерах различных размеров.

Abstract translation: 真空室的本发明生长操纵器用于通过分子束外延生长半导体薄膜。 将本发明的机械手放置在由主体（1）和盖（2）组成的真空室中。 操纵器包括设置有安装在其下端的加热器（4）的杆（3），管状中空元件（5）和半导体衬底（7）的保持器（6）。 棒放置在管状元件内。 半导体衬底保持器以这样一种方式安装，使其可以在设置有L形悬臂（8）的抓握机构中被抓住并释放。 所述悬臂的水平元件以这样的方式实现，使得衬底保持器可以放置在其上。 悬臂的垂直元件由其顶端紧固到具有中心开口（10）的盘（9）上。 中空管状元件穿过盘中心开口，其周边连接有设置有压靠在管状元件的外表面上的辊（12）的托架（11）。 高度可调的避雷器（13）体现在盖的内表面上，并且高度可移动的避雷器（14）被实施在管状元件的外表面上。 设置有中心开口（16）和周边开口（17）的盘（15）固定到管状元件的下端。 杆穿过中心开口（16），悬臂的垂直元件穿过开口（17）。 弹性元件（18）设置在盘（9）和（15）之间。 本发明的机械手可用于不同尺寸的真空室。

公开(公告)号：WO2008020955A2

公开(公告)日：2008-02-21

申请号：PCT/US2007/016460

申请日：2007-07-20

Applicant: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. ,  ENGLAND, Jonathan, Gerald ,  MUKA, Richard, S. ,  AREVALO, Edwin, A. ,  FANG, Ziwei ,  SINGH, Vikram

Inventor： ENGLAND, Jonathan, Gerald ,  MUKA, Richard, S. ,  AREVALO, Edwin, A. ,  FANG, Ziwei ,  SINGH, Vikram

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01J2237/336 ,  H01L21/67063 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67213 ,  H01L21/6831

Abstract: Techniques for temperature-controlled ion implantation are disclosed. In one particular exemplary embodiment, the techniques may be realized as an apparatus for temperature- controlled ion implantation. The apparatus may comprise a platen to hold a wafer in a single-wafer process chamber during ion implantation, the platen including: a wafer clamping mechanism to secure the wafer onto the platen and ' to provide a predetermined thermal contact between the wafer and the platen, and one or more heating elements to pre-heat and maintain the platen in a predetermined temperature range above room temperature. The apparatus may also comprise a post- cooling station to cool down the wafer after ion implantation. The apparatus may further comprise a wafer handling assembly to load the wafer onto the pre -heated platen and to remove the wafer from the platen to the post -cooling station.

Abstract translation: 公开了用于温度控制离子注入的技术。 在一个特定的示例性实施例中，技术可以被实现为用于温度控制的离子注入的装置。 该设备可以包括在离子注入期间将晶片保持在单晶片处理室中的压板，压板包括：晶片夹紧机构，用于将晶片固定到压板上并且在晶片和压板之间提供预定的热接触 以及一个或多个加热元件以预热并将压板保持在高于室温的预定温度范围内。 该设备还可以包括后冷却站，以在离子注入之后冷却晶片。 该装置还可以包括晶片处理组件，以将晶片装载到预加热的压板上并将晶片从压板移除到后冷却站。