公开(公告)号：WO2009051120A1

公开(公告)日：2009-04-23

申请号：PCT/JP2008/068609

申请日：2008-10-15

申请人： 住友ベークライト株式会社 ,  杉野 光生 ,  原 英貴 ,  和布浦 徹

发明人： 杉野 光生 ,  原 英貴 ,  和布浦 徹

IPC分类号： H05K3/46 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/3735 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5389 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/284 ,  H05K2203/1322 ,  H01L2924/00

摘要： 　半導体素子搭載基板１０は、コア基板１と、コア基板１の一方の面に搭載された半導体素子２と、半導体素子２を埋め込む第１の層３と、コア基板１の第１の層３とは反対側に設けられ、第１の層３と材料およびその組成比率が同じである第２の層４と、第１の層３上および第２の層４上に設けられた少なくとも１層の表層５とを有し、表層５は、第１の層３および第２の層４よりも硬いことを特徴とする。表層５の２５°Cにおけるヤング率をＸ［ＧＰａ］、第１の層３の２５°Cにおけるヤング率をＹ［ＧＰａ］としたとき、０．５≦Ｘ－Ｙ≦１３の関係を満足するのが好ましい。

摘要翻译： 安装有半导体元件的基板（10）设置有芯基板（1）; 安装在所述芯基板（1）的一个表面上的半导体元件（2）; 其中所述半导体元件（2）被嵌入的第一层（3） 第二层（4），其与核心基板（1）上的第一层（3）的相对侧布置，并且具有与第一层（3）相同的材料和材料组成比; 以及布置在第一层（3）和第二层（4）上的至少一个前层（5）。 前层（5）比第一层（3）和第二层（4）更硬。 优选地，满足0.5 = XY = 13的不等式，其中X [GPa]是在25℃下前表面（5）的杨氏模量，Y [GPa]是第二层（3）在25℃时的杨氏模量 C。

公开(公告)号：WO2008126448A1

公开(公告)日：2008-10-23

申请号：PCT/JP2008/051199

申请日：2008-01-28

申请人： 住友ベークライト株式会社 ,  豊田通商株式会社 ,  トヨタ自動車株式会社 ,  村田 崇 ,  中村 好志 ,  高橋 泉 ,  荘 肇博 ,  清水 一基 ,  新居 良英 ,  伊藤 真一郎 ,  川口 均 ,  杉野 光生

发明人： 村田 崇 ,  中村 好志 ,  高橋 泉 ,  荘 肇博 ,  清水 一基 ,  新居 良英 ,  伊藤 真一郎 ,  川口 均 ,  杉野 光生

IPC分类号： H01L23/36 ,  C09K5/08 ,  H01L23/373 ,  H05K7/20

CPC分类号： F28F3/02 ,  B23P15/26 ,  C09K5/14 ,  F28F2013/006 ,  H01L23/34 ,  H01L23/3733 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/433 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T29/49352 ,  H01L2924/00

摘要： 　本発明の伝熱シートは、第１の部分と、平面視にて第１の部分と異なる位置に設けられ、温度変化に応じて厚さ方向に第１の部分よりも大きな伸縮率で伸縮する第２の部分とを備えた伝熱層を有し、使用状態にて、伝熱層の温度が所定温度以下であるときに、第２の部分と相手体との間に空隙を生じさせて、放熱対象物と相手体との間の熱伝導性を低下させ、一方、伝熱層の温度が所定温度以上である場合、空隙を実質的に無くして、放熱対象物と相手体との間の熱伝導性を向上させるように構成されている。

摘要翻译： 一种传热片，其包括具有第一区域的传热层，并且设置在与所述第一区域不同的平面视图中的第二区域中，所述第二区域能够沿着所述厚度方向以大于所述第一区域的比率膨胀和收缩 根据温度变化，其中在使用条件下，当传热层的温度为给定值或更低时，在第二部分和对方之间形成间隙，从而降低散热器物体与相对的热传导之间的热传导 而当传热层的温度不低于给定值时，在它们之间基本上没有间隙，从而增加散热器物体和对方之间的热传导。

公开(公告)号：WO2008136352A1

公开(公告)日：2008-11-13

申请号：PCT/JP2008/057934

申请日：2008-04-24

申请人： 住友ベークライト株式会社 ,  前島 研三 ,  桂山 悟 ,  杉野 光生

发明人： 前島 研三 ,  桂山 悟 ,  杉野 光生

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/02 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 　本発明の半導体ウエハーの接合方法では、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０との間に、フラックス活性を有する硬化剤と、熱硬化性樹脂とを含む接合層６０を介在させて、半導体ウエハー２１０、２２０が積層された半導体ウエハー積層体２３０を得た後に、半導体ウエハー積層体２３０を、加熱しつつ、その厚さ方向に加圧することにより、半田バンプ２２４を溶融・固化するとともに、前記熱硬化性樹脂を硬化して、半導体ウエハー２１０と半導体ウエハー２２０とが固着することにより、接続部（半田バンプの固化物）２２５で、接続部２１２と接続部２２２とが電気的に接続された半導体ウエハー接合体２４０を得る。

摘要翻译： 公开了一种用于接合半导体晶片的方法，其中将包含具有助焊剂活性的固化剂和热固性树脂的接合层（60）插入在半导体晶片（210）和半导体晶片（220）之间，从而获得半导体晶片 在半导体晶片（210,220）的层叠体（230）上，在加热时向厚度方向施加压力，使焊料凸块（224）熔融/固化，并固化该热固性树脂， 从而将半导体晶片（210）和半导体晶片（220）彼此结合。 因此，获得半导体晶片组件240，其中连接部分212和连接部分222通过连接部分（固化的焊料凸点）225相互电连接。

公开(公告)号：WO2009150985A1

公开(公告)日：2009-12-17

申请号：PCT/JP2009/060194

申请日：2009-06-03

申请人： 住友ベークライト株式会社 ,  杉野 光生 ,  原 英貴 ,  和布浦 徹

发明人： 杉野　光生 ,  原　英貴 ,  和布浦　徹

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/284 ,  H05K3/305 ,  H05K2201/068 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/1322 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

摘要： 　半導体素子搭載基板１０は、コア基板１と、コア基板１の一方の面側に搭載された半導体素子２と、コア基板１と半導体素子２とを接合する接着フィルム３と、半導体素子２を埋め込む第１の層４と、コア基板１の第１の層４とは反対側に設けられ、第１の層４と材料およびその組成比率が同じである第２の層５と、第１の層４上および第２の層５上に設けられた少なくとも１層の表層６とを有し、接着フィルム３の２５℃における貯蔵弾性率が、５～１０００ＭＰａであり、表層６の、２０℃以上、ＪＩＳ　Ｃ　６４８１に準拠して測定される前記表層のガラス転移点Ｔｇ ａ ［℃］以下でのＪＩＳ　Ｃ　６４８１に準拠して測定される面方向の熱膨張係数が、４０ｐｐｍ／℃以下である。

摘要翻译： 公开了一种半导体器件安装基板（10），其包括芯基板（1），安装在芯基板（1）一侧的半导体器件（2），用于接合芯基板（1）的粘合膜（3） 与半导体器件（2）一起嵌入其中嵌入有半导体器件（2）的第一层（4），由与第一层（4）相同组成比的相同材料构成的第二层（5） 并且相对于第一层（4）布置在芯基板（1）的相反侧，以及分别布置在第一层（4）和第二层（5）上的至少一个表面层（6）。 粘合膜（3）在25℃下的储能模量为5-1000MPa。 表面层（6）的平面方向的热膨胀系数根据JIS C 6481在不低于20℃但不大于表面层的玻璃化转变点Tga（℃）的温度下测定为 根据JIS C 6481测定的值不超过40ppm /℃。

公开(公告)号：WO2006098219A1

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：PCT/JP2006/304610

申请日：2006-03-09

申请人： 住友ベークライト株式会社 ,  杉野 光生 ,  八月朔日 猛 ,  坂本 有史

发明人： 杉野 光生 ,  八月朔日 猛 ,  坂本 有史

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/563 ,  H01L23/14 ,  H01L23/5222 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00

摘要： 　半導体装置１００は、ＢＧＡ基板１１０、半導体チップ１０１、バンプ１０６およびバンプ１０６の周囲に充填されたアンダーフィル１０８とを備えている。半導体チップ１０１の層間絶縁膜１０４は低誘電率膜により構成されている。バンプ１０６は鉛フリーはんだからなる。アンダーフィル１０８は、弾性率が１５０ＭＰａ以上８００ＭＰａ以下の樹脂材料により構成され、ＢＧＡ基板１１０の基板面内方向の線膨張率は１４ｐｐｍ／°C未満となっている。

摘要翻译： 半导体器件（100）设置有施加在凸块（106）周围的BGA基板（110），半导体芯片（101），凸块（106）和底部填充物（108）。 半导体芯片（101）的层间绝缘膜（104）由低介电常数膜构成。 凸块（106）由无铅焊料构成。 底部填充材料（108）由弹性模量为150MPa以上但不高于800MPa的树脂材料构成，BGA基板（110）的基板平面方向的线膨胀系数小于14ppm /℃。