公开(公告)号：WO2006104264A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：PCT/JP2006/307288

申请日：2006-03-30

Applicant: パイオニア株式会社 ,  中田 智成 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到

Inventor： 中田 智成 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L23/04 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 　組立に用いられる接着剤の半導体チップに及ぼす影響を解消する半導体装置が開示される。この半導体装置によれば、半導体装置は、基板と、基板上に接触する半導体チップと、各々の両端部が半導体チップの周縁部近傍及び周縁部近傍の基板の部分にそれぞれ固着された複数のワイヤと、を含み、ワイヤによって半導体チップが基板上に固定されている。

Abstract translation: 一种半导体器件，其中消除了由于用于组装的粘合剂而对半导体芯片的影响。 半导体器件包括：衬底，与衬底上的衬底接触的半导体芯片;以及多个电线，其两个端部牢固地结合到半导体芯片的周边部分附近，并且衬底的一部分 周边部分的附近。 半导体芯片用导线固定在基板上。

公开(公告)号：WO2007119524A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：PCT/JP2007/056375

申请日：2007-03-27

Applicant: パイオニア株式会社 ,  奥田 義行 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  中田 智成 ,  田中 亮太 ,  小笠原 清秀 ,  吉川 高正 ,  渡辺 温

Inventor： 奥田 義行 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  中田 智成 ,  田中 亮太 ,  小笠原 清秀 ,  吉川 高正 ,  渡辺 温

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J31/38

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12 ,  H01J31/38

Abstract: An electron emission element comprising a lower electrode (2), an upper electrode (7), an electron supply layer (4) arranged on the lower electrode (2) side and an insulator layer (6) arranged on the upper electrode (7) side, the both layers being laminated between the lower electrode (2) and the upper electrode (7), and an electron emitting section including an opening region (HP) defined by an edge portion touching the electron supply layer (4) on the inner wall penetrating the insulator layer (6). The electron emitting section includes a carbon area (8) containing carbon, connected to the upper electrode (7) side and touching the electron supply layer (4) in the opening region (HP), and a partially crystallized polycrystalline portion (41) at that part of the electron supply layer (4) touching the carbon area (8). Area of the lower electrode (2) is set to be not smaller than four times that of the opening region (HP), and the lower electrode (2) overlaps the polycrystalline portion (41) so as to include it through the electron supply layer (4).

Abstract translation: 一种电子发射元件，包括下电极（2），上电极（7），布置在下电极（2）侧的电子供应层（4）和布置在上电极（7）上的绝缘体层（6） 所述两个层被层压在所述下部电极（2）和所述上部电极（7）之间，并且电子发射部分包括由接触所述内部电极的所述电子供给层（4）的边缘部分限定的开口区域（HP） 壁穿过绝缘体层（6）。 电子发射部分包括连接到上电极（7）侧并接触开口区域（HP）中的电子供应层（4）的碳的碳区（8）和部分结晶的多晶部分 电子供应层（4）的部分接触碳区（8）。 下部电极（2）的面积被设定为不小于开口区域（HP）的面积的四倍，下部电极（2）与多晶部分（41）重叠，以便通过电子供给层 （4）。

公开(公告)号：WO2005093776A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/JP2005/005640

申请日：2005-03-22

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社 ,  根岸 伸安 ,  麻生 三郎 ,  埴原 甲二 ,  酒村 一到 ,  中田 智成 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

Inventor： 根岸 伸安 ,  麻生 三郎 ,  埴原 甲二 ,  酒村 一到 ,  中田 智成 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

IPC: H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022

Abstract: A method for manufacturing an electron emitting device composed of an electron emitting element wherein a lower electrode (11), an electron supplying layer (12), an insulating layer (13) and an upper electrode (15) are successively stacked on a substrate. The method includes a micro mask (MM) forming process wherein a plurality of micro masks are formed on the electron supplying layer. The micro mask is provided with a supporting part (P) protruding in a normal line direction of a substrate, and a main mask part (M) protruding from the supporting part in a direction vertical to a normal line direction of the substrate. An electron emission device having the micro mask remained is also provided. By using the micro mask having the supporting part and the main mask part, the electronic emission element arranged with finely filled arrangement and regularity, which could not have been obtained by methods employing fine particles, and an effective width of a bottom part of the supporting part and an effective width of the main mask can be independently decided. Therefore, the micro mask having higher mask effects and less destruction possibilities compared with methods using a reversely tapered blocks is provided.

Abstract translation: 一种由电子发射元件构成的电子发射器件的制造方法，其中下电极（11），电子供给层（12），绝缘层（13）和上电极（15）依次层叠在基板上。 该方法包括在电子供应层上形成多个微掩模的微掩模（MM）形成工艺。 微型掩模设置有沿基板的法线方向突出的支撑部（P）和沿着与基板的法线方向垂直的方向从支撑部突出的主掩模部（M）。 还提供了具有保留微量掩模的电子发射装置。 通过使用具有支撑部分和主掩模部分的微掩模，以精细填充的布置和规则性布置的电子发射元件，其不可能通过使用细颗粒的方法获得，并且支撑件的底部的有效宽度 可以独立地决定主面罩的一部分和有效宽度。 因此，与使用反向锥形块的方法相比，提供了具有较高掩模效应和较少破坏可能性的微掩模。

公开(公告)号：WO2007114103A1

公开(公告)日：2007-10-11

申请号：PCT/JP2007/056214

申请日：2007-03-26

Applicant: パイオニア株式会社 ,  田中 亮太 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  奥田 義行 ,  中田 智成 ,  渡辺 温 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

Inventor： 田中 亮太 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  奥田 義行 ,  中田 智成 ,  渡辺 温 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02 ,  H01J29/04 ,  H01J31/12

CPC classification number: H01J9/022 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/312 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0481 ,  H01J2329/0484

Abstract: An electron emission element in which electron emission efficiency is enhanced while protecting the element against damage. The electron emission element comprises an amorphous electron supply layer (4), an insulator layer (5) formed on the electron supply layer (4), and an upper electrode (6) formed on the insulator layer (5), and emits electrons when an electric field is applied between the electron supply layer (4) and the upper electrode (6). The electron emission element has a recess (7), which is formed by cutting the upper electrode (6) and the insulator layer (5) to expose the electron supply layer (4), and a carbon layer (8) covering the upper electrode (6) and the recess (7) excepting the inside portion (4b) of the exposed surface (4a) of the electron supply layer (4) while being in contact with the edge portion (4c) thereof.

Abstract translation: 电子发射元件，其中电子发射效率提高，同时保护元件免受损坏。 电子发射元件包括非晶电子供应层（4），形成在电子供应层（4）上的绝缘体层（5）和形成在绝缘体层（5）上的上电极（6） 在电子供给层（4）和上部电极（6）之间施加电场。 电子发射元件具有通过切割上部电极（6）和绝缘体层（5）以暴露电子供给层（4）而形成的凹部（7）和覆盖上部电极的碳层（8） （6）和与电子供给层（4）的暴露表面（4a）的内部（4b）同时与其边缘部分4c接触的凹部（7）。

公开(公告)号：WO2005096335A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：PCT/JP2005/005643

申请日：2005-03-22

Applicant: パイオニア株式会社 ,  パイオニア・マイクロ・テクノロジー 株式会社 ,  酒村 一到 ,  麻生 三郎 ,  埴原 甲二 ,  根岸 伸安 ,  中田 智成 ,  吉川 高正

Inventor： 酒村 一到 ,  麻生 三郎 ,  埴原 甲二 ,  根岸 伸安 ,  中田 智成 ,  吉川 高正

IPC: H01J1/312

CPC classification number: H01J9/022 ,  B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J31/127

Abstract: An electron emitting device is composed of a plurality of electron emitting elements. The electron emitting element is provided with a lower electrode (11) and an upper electrode (15) and emits an electron from an upper electrode side. In the electron emitting device, a space is formed between the electron emitting elements and the upper electrode extends over the space on a bridge part (15a). The space is formed by providing a through hole or a notched part (15a) on the bridge part, and etching a stacked body under the upper electrode by using the bridge part as a mask. The upper electrodes of the adjacent electron emitting elements are electrically connected by the bridge part without bringing the upper electrodes into contact with the electron emitting element side planes and a substrate. Therefore, a current path can be shortened and a possibility of disconnection can be reduced.

Abstract translation: 电子发射器件由多个电子发射元件组成。 电子发射元件设置有下电极（11）和上电极（15），并从上电极侧发射电子。 在电子发射器件中，在电子发射元件之间形成空间，并且上电极在桥接部分（15a）上的空间上延伸。 通过在桥接部上设置通孔或切口部（15a），通过使用桥接部作为掩模，在上部电极下方的层叠体上形成空间。 相邻电子发射元件的上电极通过桥接部电连接，而不会使上电极与电子发射元件侧面和基板接触。 因此，可以缩短电流路径，并且可以降低断开的可能性。

公开(公告)号：WO2006064634A1

公开(公告)日：2006-06-22

申请号：PCT/JP2005/021321

申请日：2005-11-15

Applicant: パイオニア株式会社 ,  中田 智成 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  奥田 義行 ,  麻生 三郎 ,  渡辺 温 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

Inventor： 中田 智成 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  奥田 義行 ,  麻生 三郎 ,  渡辺 温 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

IPC: H01J1/312 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J1/312 ,  H01J9/022 ,  H01J2201/3125

Abstract: An electron discharge element includes: a lower electrode (2) near to a substrate and an upper electrode (7) far from the substrate; insulation layers (5, 6) layered between the lower electrode (2) and the upper electrode (7) and an electron supply layer (4). The electron discharge element discharges electrons from the upper electrode (7) when voltage is applied across the lower electrode (2) and the upper electrode (7). The electron discharge element further includes an electron discharge unit (14) having an opening formed by a stepwise inner wall of the insulation layers (5, 6) whose film thickness is stepwise reduced; and a carbon region (8) connected to the upper electrode (7), arranged in contact with the insulation layers (5, 6) and the electron supply layer (4), and containing carbon. Thus, it is possible to create an element having the same electron discharge characteristic as an electron discharge element in which the insulation layer film thickness is gradually reduced, without using minute particles or a micro-mask.

Abstract translation: 电子放电元件包括​​：靠近基板的下电极（2）和远离基板的上电极（7）; 层叠在下电极（2）与上电极（7）之间的绝缘层（5,6）和电子供给层（4）。 当电压施加在下电极（2）和上电极（7）上时，电子放电元件从上电极（7）放电。 电子放电元件还包括电子放电单元（14），该电子放电单元具有由膜厚逐步减小的绝缘层（5,6）的逐步内壁形成的开口; 和连接到所述上电极（7）的碳区域（8），与所述绝缘层（5,6）和所述电子供给层（4）接触并且包含碳。 因此，可以不使用微小的微粒或微型掩模来形成与绝缘层膜厚度逐渐降低的电子放电特性相同的元件。

公开(公告)号：WO2006006423A1

公开(公告)日：2006-01-19

申请号：PCT/JP2005/012156

申请日：2005-06-24

Applicant: パイオニア株式会社 ,  根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

Inventor： 根岸 伸安 ,  酒村 一到 ,  吉川 高正 ,  小笠原 清秀

IPC: G09G3/22

CPC classification number: H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  G09G3/22 ,  G09G2320/043 ,  H01J29/96 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125 ,  H01J2329/0484 ,  H01J2329/96

Abstract: 　ディスプレイ、撮像素子、平面光源などに用いられ、経時変化を抑制できる電子放出装置の駆動方法を提供する。電子放出装置の駆動方法は、各々が、珪素又は珪素を主成分とする混合物若しくはその化合物からなる電子供給層、電子供給層上に形成された絶縁体層、及び絶縁体層上に形成された金属薄膜電極からなり、封着された複数の電子放出素子を有する電子放出装置の駆動方法であって、電子供給層及び金属薄膜電極間に電力を供給して電子放出素子から電子を放出せしめる駆動ステップと、駆動ステップ後に、電子供給層及び金属薄膜電極間に流れる素子電流の印加電圧に関する微分値に不連続が生じる印加電圧値以上の再活性化電圧を印加する再活性化ステップと、を含む。

Abstract translation: 用于驱动用于显示器，成像装置或平面光源的电子发射装置的驱动方法，并且能够抑制老化。 驱动方法驱动具有多个密封电子发射元件的电子发射器件，每个电子发射器件包括由硅制成的电子供应层，主要由硅或硅化合物构成的混合物，形成在电子源上的绝缘层 层和形成在绝缘层上的金属薄膜电极。 驱动方法包括在电子供给层和金属薄膜电极之间提供电力以从电子发射元件发射电子的驱动步骤，以及再生步骤，在驱动步骤之后施加这样的再生电压等于 或高于施加的电压值，这将导致在电子供应层和金属薄膜电极之间流动的元件电流相对于施加电压的微分值的不连续性。