公开(公告)号：WO2016010707A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/US2015/037685

申请日：2015-06-25

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： VADHAVKAR, Sameer, S. ,  LI, Xiao ,  GROOTHUIS, Steven, K. ,  LI, Jian ,  GANDHI, Jaspreet, S. ,  DEDDERIAN, James, M. ,  HEMBREE, David, R.

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/4882 ,  H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/04 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/167 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589

摘要： A semiconductor die assembly having high efficiency thermal paths. In one embodiment, the semiconductor die assembly comprises a package support substrate, a first semiconductor die having a peripheral region and a stacking region, and a second semiconductor die attached to the stacking region of the first die such that the peripheral region is lateral of the second die. The assembly further includes a thermal transfer unit having a base attached to the peripheral region of the first die, a cover attached to the base by an adhesive, and a cavity defined by at least cover, wherein the second die is within the cavity. The assembly also includes an underfill in the cavity, wherein a fillet portion of the underfill extends a distance up along a portion of the footing and upward along at least a portion of the base.

摘要翻译： 具有高效率热路径的半导体管芯组件。 在一个实施例中，半导体管芯组件包括封装支撑衬底，具有周边区域和堆叠区域的第一半导体管芯，以及附接到第一管芯的堆叠区域的第二半导体管芯，使得外围区域是 第二次死亡 组件还包括热传递单元，其具有附接到第一模具的周边区域的基座，通过粘合剂附接到基座的盖子以及至少由盖子限定的空腔，其中第二模具在空腔内。 组件还包括在腔中的底部填充物，其中底部填充物的圆角部分沿着基脚的一部分向上延伸一段距离，并沿基部的至少一部分向上延伸。

公开(公告)号：WO2016010702A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/US2015/037621

申请日：2015-06-25

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： VADHAVKAR, Sameer, S. ,  LI, Xiao ,  GROOTHUIS, Steven, K. ,  LI, Jian ,  GANDHI, Jaspreet, S. ,  DERDERIAN, James, M. ,  HEMBREE, David, R.

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/50 ,  H01L21/563 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/44 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1703 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/17519 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/156 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00

摘要： Method for packaging a semiconductor die assemblies. In one embodiment, a method is directed to packaging a semiconductor die assembly having a first die and a plurality of second dies arranged in a stack over the first die, wherein the first die has a peripheral region extending laterally outward from the stack of second dies. The method can comprise coupling a thermal transfer structure to the peripheral region of the first die and flowing an underfill material between the second dies. The underfill material is flowed after coupling the thermal transfer structure to the peripheral region of the first die such that the thermal transfer structure limits lateral flow of the underfill material.

摘要翻译： 封装半导体管芯组件的方法。 在一个实施例中，一种方法涉及将具有第一管芯和多个第二管芯的半导体管芯组件封装在第一管芯上，其中第一管芯具有从第二管芯的堆叠体横向向外延伸的周边区域 。 该方法可以包括将热传递结构耦合到第一模具的周边区域并且在第二模具之间流动底部填充材料。 在将热传递结构连接到第一模具的周边区域之后，底部填充材料流动，使得热转印结构限制底部填充材料的横向流动。

公开(公告)号：WO2015153664A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/US2015/023677

申请日：2015-03-31

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： LI, Jian ,  GROOTHUIS, Steven, K.

IPC分类号： H01L23/12

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G11C7/04 ,  G11C2207/107 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1659 ,  H01L2924/16747 ,  H01L2924/16787 ,  H01L2924/01047

摘要： Stacked semiconductor die assemblies having memory dies stacked between partitioned logic dies and associated systems and methods are disclosed herein. In one embodiment, a semiconductor die assembly can include a first logic die, a second logic die, and a thermally conductive casing defining an enclosure. The stack of memory dies can be disposed within the enclosure and between the first and second logic dies.

摘要翻译： 本文公开了具有堆叠在分区逻辑管芯之间的存储器管芯和相关联的系统和方法的堆叠的半导体管芯组件。 在一个实施例中，半导体管芯组件可以包括第一逻辑管芯，第二逻辑管芯和限定外壳的导热壳体。 存储器管芯的堆叠可以设置在外壳内并且在第一和第二逻辑管芯之间。

公开(公告)号：WO2013074454A2

公开(公告)日：2013-05-23

申请号：PCT/US2012/064672

申请日：2012-11-12

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： GROOTHUIS, Steven, K. ,  LI, Jian ,  ZHANG, Haojun ,  SILVESTRI, Paul, A. ,  LI, Xiao ,  LUO, Shijian ,  ENGLAND, Luke, G. ,  KEETH, Brent ,  GANDHI, Jaspreet, S.

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/42 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/15311

摘要： Stacked semiconductor die assemblies with multiple thermal paths and associated systems and methods are disclosed herein. In one embodiment, a semiconductor die assembly can include a plurality of first semiconductor dies arranged in a stack and a second semiconductor die carrying the first semiconductor dies. The second semiconductor die can include a peripheral portion that extends laterally outward beyond at least one side of the first semiconductor dies. The semiconductor die assembly can further include a thermal transfer feature at the peripheral portion of the second semiconductor die. The first semiconductor dies can define a first thermal path, and the thermal transfer feature can define a second thermal path separate from the first semiconductor dies.

摘要翻译： 本文公开了具有多个热路径以及相关系统和方法的堆叠半导体管芯组件。 在一个实施例中，半导体管芯组件可以包括布置成堆叠的多个第一半导体管芯以及承载第一半导体管芯的第二半导体管芯。 第二半导体管芯可以包括横向向外延伸超过第一半导体管芯的至少一侧的外围部分。 半导体管芯组件还可以包括在第二半导体管芯的外围部分处的热传递特征。 第一半导体管芯可以限定第一热路径，并且热传递特征可以限定与第一半导体管芯分离的第二热路径。