窒化珪素回路基板およびそれを用いた半導体モジュール
    1.
    发明申请
    窒化珪素回路基板およびそれを用いた半導体モジュール 审中-公开
    硅氮化硅电路板和使用相同的半导体模块

    公开(公告)号:WO2017056666A1

    公开(公告)日:2017-04-06

    申请号:PCT/JP2016/072026

    申请日:2016-07-27

    摘要: 3点曲げ強度が500MPa以上である窒化珪素基板の両面に金属板を接合した窒化珪素回路基板において、表面側の金属板の厚さをt1、裏面側の金属板の厚さをt2としたとき、厚さt1またはt2の少なくとも一方は0.6mm以上、0.10≦|t1-t2|≦0.30mmを満たし、窒化珪素基板は長辺方向および短辺方向共に反り量が0.1~0.5mmの範囲内であることを特徴とする窒化珪素回路基板である。上記構成によれば、表裏の金属板の厚さが大きい窒化珪素回路基板において、TCT特性を向上させることができる。

    摘要翻译: 该氮化硅电路板,其特征在于,金属板与具有等于或高于500MPa的三点弯曲强度的氮化硅衬底的两个表面结合,其特征在于:厚度t1和/或t2等于 或大于0.6mm,并且公式0.10≤| t1-t2 |≤0.30mm,其中t1表示前表面侧的金属板的厚度,t2表示金属板的背面侧的厚度 ; 并且氮化硅衬底的长边方向和短边方向上的翘曲量都在0.1-0.5mm的范围内。 利用上述结构,能够提高前后金属板的厚度大的氮化硅电路基板的TCT特性。

    SCHALTUNGSANORDNUNG, STROMWANDLER MIT EINER SCHALTUNGSANORDNUNG
    7.
    发明申请
    SCHALTUNGSANORDNUNG, STROMWANDLER MIT EINER SCHALTUNGSANORDNUNG 审中-公开
    电路与电路功率转换器

    公开(公告)号:WO2015165800A1

    公开(公告)日:2015-11-05

    申请号:PCT/EP2015/058819

    申请日:2015-04-23

    发明人: POLA, Olivier

    摘要: Offenbart wird eine Schaltungsanordnung (SA), umfassend: - ein Trägerteil (GD), - ein Leistungsbauelement (LB1, LB2, LB3), - einen Kühlkanal (KK) zum Durchleiten eines Kühlmittels, - eine Stromschiene (SS1, SS2) zum Leiten eines Stromes zu dem Leistungsbauelement (LB1, LB2, LB3), die auf dem Trägerteil (GD) angeordnet ist und einen Bereich (B12, B22) aufweist, der mit einer ersten Oberfläche (OF11, OF21) und einer zweiten, der ersten Oberfläche (OF11, OF21) entgegengesetzten Oberfläche (OF12, OF22) von dem Trägerteil (GD) weg in den Kühlkanal (KK) ragt,- wobei das Leistungsbauelement (LB1, LB2, LB3) auf der ersten Oberfläche (OF11, OF21) des Bereichs (B12, B22) angeordnet und mit dem Bereich (B12, B22) elektrisch leitend und mechanisch verbunden ist. Bei einer derartigen Schaltungsanordnung (SA) kann die Abwärme von dem Leistungsbauelement effizienter abgeführt werden.

    摘要翻译: 本发明公开了一种电路装置(SA),包括: - 支撑部件(GD), - 功率器件(LB1,LB2,LB3), - 用于冷却剂的通道的冷却通道(KK), - 用于引导一个汇流条(SS1,SS2) 电流提供给功率器件(LB1,LB2,LB3),则(GD)被布置在支撑构件上,并具有连接到第一表面(OF11,OF21)和第二部分(B12,B22)(第一表面OF11 ,OF21)相反的表面(OF12,OF22)在冷却通道突出远(KK(的载波部分GD)), - 其中,所述功率装置(LB1,LB2,LB3)(在第一表面上(OF11,OF21)的区域B12, 是B22),并且连接到为导电和机械部分(B12,B22)。 在这样的电路装置(SA),所述废热可以被有效地从功率器件耗散。

    半導体装置
    10.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号:WO2014109208A1

    公开(公告)日:2014-07-17

    申请号:PCT/JP2013/084203

    申请日:2013-12-20

    IPC分类号: H01L23/12 H01L23/36

    摘要:  放熱性が向上し、かつ絶縁性が向上する半導体装置を得る。半導体素子(2)と、半導体素子(2)が一方の面に接合されたリードフレーム(4)と、リードフレーム(4)の他方の面に配置された第1の絶縁層(5)と、リードフレーム(4)が前記第1の絶縁層(5)を介して接続された金属ベース板(6)とを備えた半導体装置であって、前記第1の絶縁層の外周部は、前記金属ベース板の外周部より内部にあり、リードフレーム(4)の外周部の電界集中箇所を含む前記第1の絶縁層(5)の外周部は、前記第1の絶縁層(5)より高耐湿性と高絶縁性を有する第2の絶縁層(7)で覆われている。

    摘要翻译: 获得具有改善的散热性能和改进的绝缘性能的半导体器件。 一种半导体器件,其具备:半导体元件(2); 引线框架(4),其半导体元件(2)的一个表面被结合; 布置在引线框架(4)的另一个表面上的第一绝缘层(5); 和引导框架(4)与第一绝缘层(5)连接的金属基板(6)。 所述第一绝缘层的外周部位于所述金属基板的外周部的内侧,所述第一绝缘层(5)的外周部包括所述引线框架的外周部的电场集中部 (4)覆盖有比第一绝缘层(5)具有更高的耐湿性和更高绝缘性能的第二绝缘层(7)。