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公开(公告)号:WO2017056666A1
公开(公告)日:2017-04-06
申请号:PCT/JP2016/072026
申请日:2016-07-27
申请人: 株式会社東芝 , 東芝マテリアル株式会社
CPC分类号: C04B35/584 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2235/9607 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/49861 , H05K1/02 , H05K1/0306 , H05K3/0011 , H05K3/0061
摘要: 3点曲げ強度が500MPa以上である窒化珪素基板の両面に金属板を接合した窒化珪素回路基板において、表面側の金属板の厚さをt1、裏面側の金属板の厚さをt2としたとき、厚さt1またはt2の少なくとも一方は0.6mm以上、0.10≦|t1-t2|≦0.30mmを満たし、窒化珪素基板は長辺方向および短辺方向共に反り量が0.1~0.5mmの範囲内であることを特徴とする窒化珪素回路基板である。上記構成によれば、表裏の金属板の厚さが大きい窒化珪素回路基板において、TCT特性を向上させることができる。
摘要翻译: 该氮化硅电路板,其特征在于,金属板与具有等于或高于500MPa的三点弯曲强度的氮化硅衬底的两个表面结合,其特征在于:厚度t1和/或t2等于 或大于0.6mm,并且公式0.10≤| t1-t2 |≤0.30mm,其中t1表示前表面侧的金属板的厚度,t2表示金属板的背面侧的厚度 ; 并且氮化硅衬底的长边方向和短边方向上的翘曲量都在0.1-0.5mm的范围内。 利用上述结构,能够提高前后金属板的厚度大的氮化硅电路基板的TCT特性。
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公开(公告)号:WO2016183208A1
公开(公告)日:2016-11-17
申请号:PCT/US2016/031873
申请日:2016-05-11
发明人: SHIBUYA, Makoto , YOSHINO, Makoto
IPC分类号: H01L23/495 , H01L27/00 , H01L21/60
CPC分类号: H01L21/78 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L23/492 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485
摘要: A circuit includes a conductive clip (502) coupled to at least one component in the circuit. At least one lead portion (552) is located on an end of the clip. The circuit further includes a first lead frame having at least one opening sized (444) to receive the at least one lead portion (552). The at least one lead portion (552) is received in the at least one opening (444), and the at least one lead portion (552) is an external conductor of the circuit.
摘要翻译: 电路包括耦合到电路中的至少一个部件的导电夹(502)。 至少一个引线部分(552)位于夹子的端部上。 电路还包括具有至少一个开口(444)的第一引线框架,以便接收至少一个引线部分(552)。 所述至少一个引线部分(552)被容纳在所述至少一个开口(444)中,并且所述至少一个引线部分(552)是所述电路的外部导体。
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公开(公告)号:WO2016166835A1
公开(公告)日:2016-10-20
申请号:PCT/JP2015/061574
申请日:2015-04-15
申请人: 三菱電機株式会社
CPC分类号: H01L23/4334 , H01L21/565 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/36 , H01L23/49524 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49589 , H01L23/49861 , H01L25/07 , H01L25/165 , H01L25/18 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要: 半導体装置(100)において、リードフレーム(2)の放熱面(2b)の全体を覆う薄肉成形部(8b)とダイパッド間充填部(8c、8d)を、第二のモールド樹脂(8)により一体的に成形するようにしたので、ダイパッド間充填部(8c、8d)がリードフレーム(2)の側面に密着することにより、薄肉成形部(8b)とリードフレーム(2)の密着性が向上する。また、ダイパッド間充填部(8c、8d)により薄肉成形部(8b)が部分的に厚くなるため、薄肉成形部(8b)の強度が向上し、欠けや割れが発生しにくくなる。
摘要翻译: 一种半导体器件(100),其中覆盖引线框架(2)的整个散热表面(2b)的层间填充部分(8c,8d)和薄壁部分(8b)是一体的 由第二模塑树脂(8)形成,使得间隔板间填充部分(8c,8d)与引线框架(2)的侧表面紧密接触,从而提高薄壁部分(8b) )和引线框架(2)。 另外,薄壁部分(8b)通过夹层间填充部分(8c,8d)部分变厚,从而提高了薄壁部分(8b)的强度,提高了抗碎裂性能 开裂。
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公开(公告)号:WO2016132853A1
公开(公告)日:2016-08-25
申请号:PCT/JP2016/052577
申请日:2016-01-29
申请人: 株式会社オートネットワーク技術研究所 , 住友電装株式会社 , 住友電気工業株式会社
CPC分类号: H05K1/0203 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L23/49861 , H05K1/02 , H05K1/183 , H05K7/205 , H05K7/20509
摘要: 放熱能力に優れる基板ユニットを提供すること。 一方の面10aに導電パターンが形成されるとともに、開口11が形成された基板10と、本体部21が基板10の他方の面10bに固定された部材であって、基板10に形成された開口11を通じて電子部品30の一部の端子が電気的に接続される導電部材20と、導電部材20の本体部21から延びた延設部22が接触する放熱部材40と、を備える基板ユニット1とする。
摘要翻译: 提供具有优异的散热性能的基板单元。 该基板单元1设置有:在一个表面10a上形成导电图案并形成开口11的基板10; 导电构件20,其具有固定到基板10的另一表面10b的主体部分21,并且电气部件30的端子的一部分通过形成在基板10中的开口11电连接到该导体部件20; 以及从导电部件20的主体部21延伸的延伸部22与该散热部件40接触的散热部件40。
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公开(公告)号:WO2016084180A1
公开(公告)日:2016-06-02
申请号:PCT/JP2014/081315
申请日:2014-11-27
申请人: 三菱電機株式会社
CPC分类号: H01L23/49568 , H01L23/28 , H01L23/3672 , H01L23/4334 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49537 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L23/49861 , H01L23/50 , H01L23/5283 , H01L23/5286 , H01L25/072 , H01L2224/0603 , H01L2224/37147 , H01L2224/40137 , H01L2224/40245 , H01L2224/48247 , H01L2924/0002 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 半導体装置を構成する半導体モジュール(41)は、スイッチング素子(11、17)が上面側に実装され、下面側が放熱面(38)となるリードフレーム(31)、このリードフレーム(31)上に配設され、複数のスイッチング素子(11、17)相互間を接続するバスバー(32)を備えている。リードフレーム(31)の放熱面(38)は一平面内に配置され、また、バスバー(32)の平面部(320)の上面も一平面内に配置される構造であるため、放熱面(38)または平面部(320)の上面におけるレイアウト性が良く、放熱構造等を作り込みが容易となる。
摘要翻译: 1.一种构成半导体装置的半导体模块(41),具备:引线框架(31),其上表面安装有开关元件(11,17),其下表面作为散热面 (38); 以及设置在该引线框架(31)上并将多个开关元件(11,17)彼此连接的汇流条(32)。 该结构使得引线框架(31)的散热表面(38)布置在单个平面中,并且汇流条(32)的平面部分(320)的上表面也布置在 因此散热面(38)和平面部(320)的上表面具有良好的布置性能,并且可以容易地制造散热结构等。
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公开(公告)号:WO2015178296A1
公开(公告)日:2015-11-26
申请号:PCT/JP2015/063993
申请日:2015-05-15
申请人: 三菱電機株式会社
CPC分类号: H01L23/49861 , H01L23/28 , H01L23/3121 , H01L23/3735 , H01L23/48 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/49866 , H01L23/49894 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/05553 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40139 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45624 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48175 , H01L2224/48472 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2224/92247 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/17747 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/2076 , H01L2924/01005
摘要: セラミック基板2と、一面に電極(例えば、3a、3e)が形成され、他面がセラミック基板2に接合された電力用半導体素子3と、一端側が電極に接合され、他端側が外部と電気接続されるリード端子62と、リード端子62の電極に接合された部分とともに電力用半導体素子3を封止する封止体7と、を備え、リード端子62の一端側の端部62eに、端部62eに向かうにつれセラミック基板2から遠ざかる傾斜面62tが形成されている。
摘要翻译: 一种用于电力的半导体器件设置有:陶瓷基板(2); 用于电力的半导体元件(3),其中在一个表面上形成电极(例如3a,3e),而另一个表面接合到陶瓷基板(2)上; 引线端子(62),其一端侧与电极接合,另一端侧与外部电连接; 以及密封体(7),用于与连接到电极的引线端子(62)的部分密封用于电力的半导体元件(3)。 在引线端子(62)的一端侧的端部(62e)上形成有与陶瓷基板(2)一起向远端部(62e)倾斜的面(62t)。
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公开(公告)号:WO2015165800A1
公开(公告)日:2015-11-05
申请号:PCT/EP2015/058819
申请日:2015-04-23
发明人: POLA, Olivier
IPC分类号: H01L23/44 , H01L23/473 , H01L23/495 , H01L23/31 , H05K7/20 , H01L25/07
CPC分类号: H01L23/473 , H01L23/04 , H01L23/467 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2924/014
摘要: Offenbart wird eine Schaltungsanordnung (SA), umfassend: - ein Trägerteil (GD), - ein Leistungsbauelement (LB1, LB2, LB3), - einen Kühlkanal (KK) zum Durchleiten eines Kühlmittels, - eine Stromschiene (SS1, SS2) zum Leiten eines Stromes zu dem Leistungsbauelement (LB1, LB2, LB3), die auf dem Trägerteil (GD) angeordnet ist und einen Bereich (B12, B22) aufweist, der mit einer ersten Oberfläche (OF11, OF21) und einer zweiten, der ersten Oberfläche (OF11, OF21) entgegengesetzten Oberfläche (OF12, OF22) von dem Trägerteil (GD) weg in den Kühlkanal (KK) ragt,- wobei das Leistungsbauelement (LB1, LB2, LB3) auf der ersten Oberfläche (OF11, OF21) des Bereichs (B12, B22) angeordnet und mit dem Bereich (B12, B22) elektrisch leitend und mechanisch verbunden ist. Bei einer derartigen Schaltungsanordnung (SA) kann die Abwärme von dem Leistungsbauelement effizienter abgeführt werden.
摘要翻译: 本发明公开了一种电路装置(SA),包括: - 支撑部件(GD), - 功率器件(LB1,LB2,LB3), - 用于冷却剂的通道的冷却通道(KK), - 用于引导一个汇流条(SS1,SS2) 电流提供给功率器件(LB1,LB2,LB3),则(GD)被布置在支撑构件上,并具有连接到第一表面(OF11,OF21)和第二部分(B12,B22)(第一表面OF11 ,OF21)相反的表面(OF12,OF22)在冷却通道突出远(KK(的载波部分GD)), - 其中,所述功率装置(LB1,LB2,LB3)(在第一表面上(OF11,OF21)的区域B12, 是B22),并且连接到为导电和机械部分(B12,B22)。 在这样的电路装置(SA),所述废热可以被有效地从功率器件耗散。
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公开(公告)号:WO2015136984A1
公开(公告)日:2015-09-17
申请号:PCT/JP2015/051227
申请日:2015-01-19
CPC分类号: H01R13/035 , C23C18/1653 , C23C18/32 , C25D3/12 , H01L23/295 , H01L23/3114 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/49582 , H01L23/49861 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2924/0002 , H01R12/7076 , H01R12/716 , H01R12/777 , H01R13/03 , H01R13/113 , H01L2924/00
摘要: 端子接続構造は、雄端子と、ばね性を有し、前記雄端子を両側から挟むように前記雄端子と嵌合する雌端子とを備え、前記雄端子は、母材と、前記母材に被覆される第1下地層と、前記第1下地層に被覆される第2下地層と、前記第2下地層に被覆される最表層とを含み、前記第1下地層と前記第2下地層とは硬度が異なる。
摘要翻译: 在本发明中,端子连接结构设置有阳性端子和阴性端子,该阳性端子和阴性端子具有弹性并且与阳性端子配合以便从两侧夹持阳端子。 公端子包括:基材; 由基材覆盖的第一接地层; 由第一接地层覆盖的第二接地层; 以及由第二接地层覆盖的最外层。 第一接地层和第二接地层各自具有不同的硬度。
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公开(公告)号:WO2015050247A1
公开(公告)日:2015-04-09
申请号:PCT/JP2014/076551
申请日:2014-10-03
申请人: 株式会社フジクラ
CPC分类号: G01L9/0042 , G01L9/0051 , G01L9/025 , G01L19/0069 , G01L19/0092 , G01L19/04 , G01L19/0654 , G01L19/145 , H01L23/053 , H01L23/16 , H01L23/4952 , H01L23/49558 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/00014 , H01L2924/152 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
摘要: 本発明の半導体圧力センサは、第1面及び第2面を有するリードフレーム(4)と、前記リードフレーム(4)を支持する樹脂製の支持体(5)とを有する基体部(1)と、前記リードフレーム(4)の前記第1面に設けられた圧力センサチップ(2)と、前記リードフレーム(4)の前記第2面に設けられ、前記支持体(5)に埋設され、複数の面を有する形状で形成され、前記複数の面のうち少なくとも一面に形成されかつ前記支持体(5)よりも低いヤング率を有する応力緩和層(32、33、34、35、36)を含み、前記圧力センサチップ(2)から出力されたセンサ信号を受けて圧力検出信号を出力する制御部(3)と、を備え、前記圧力センサチップ(2)と前記制御部(3)とは、平面視において少なくとも一部が重なる。
摘要翻译: 该半导体压力传感器设置有:基部单元(1),其包括具有第一表面和第二表面的引线框架(4)和支撑引线框架(4)的树脂支撑体(5); 设置在引线框架(4)的第一表面上的压力传感器芯片(2); 以及控制单元(3),其设置在所述引线框架(4)的第二表面上以嵌入所述支撑体(5)中并且形成为具有多个表面的形状,并且包括应力松弛 层(32,33,34,35,36),其形成在所述多个表面中的至少一个表面上并且具有比所述支撑体(5)更低的杨氏模量。 控制单元(3)接收从压力传感器芯片(2)输出的传感器信号并输出压力检测信号。 当在平面图中观察时,压力传感器芯片(2)和控制单元(3)至少部分地彼此重叠。
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公开(公告)号:WO2014109208A1
公开(公告)日:2014-07-17
申请号:PCT/JP2013/084203
申请日:2013-12-20
申请人: 三菱電機株式会社
CPC分类号: H01L23/3737 , H01L23/08 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/482 , H01L23/495 , H01L23/49558 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/564 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/2929 , H01L2224/32245 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
摘要: 放熱性が向上し、かつ絶縁性が向上する半導体装置を得る。半導体素子(2)と、半導体素子(2)が一方の面に接合されたリードフレーム(4)と、リードフレーム(4)の他方の面に配置された第1の絶縁層(5)と、リードフレーム(4)が前記第1の絶縁層(5)を介して接続された金属ベース板(6)とを備えた半導体装置であって、前記第1の絶縁層の外周部は、前記金属ベース板の外周部より内部にあり、リードフレーム(4)の外周部の電界集中箇所を含む前記第1の絶縁層(5)の外周部は、前記第1の絶縁層(5)より高耐湿性と高絶縁性を有する第2の絶縁層(7)で覆われている。
摘要翻译: 获得具有改善的散热性能和改进的绝缘性能的半导体器件。 一种半导体器件,其具备:半导体元件(2); 引线框架(4),其半导体元件(2)的一个表面被结合; 布置在引线框架(4)的另一个表面上的第一绝缘层(5); 和引导框架(4)与第一绝缘层(5)连接的金属基板(6)。 所述第一绝缘层的外周部位于所述金属基板的外周部的内侧,所述第一绝缘层(5)的外周部包括所述引线框架的外周部的电场集中部 (4)覆盖有比第一绝缘层(5)具有更高的耐湿性和更高绝缘性能的第二绝缘层(7)。
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