公开(公告)号：CN101630669A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200810135819.3

申请日：2008-07-14

申请人： MK电子株式会社

发明人： 曹宗秀 ,  文晶琸

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L23/49

CPC分类号： H01L2224/05554 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供了一种半导体封装，所述半导体封装利用可相对贵重金属保持优良的可靠性的Ag或Ag合金引线，并降低其制造成本。该半导体封装包括半导体衬底。半导体芯片连接到封装衬底，并具有包括贵重金属的一个或多个垫。并且一条或多条引线结合，以便使包括Ag或Ag合金的一个或多个垫与封装衬底电连接。

公开(公告)号：CN105745339A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201480048613.0

申请日：2014-09-04

申请人： MK电子株式会社

发明人： 金相烨 ,  许永一 ,  李钟哲 ,  金承贤 ,  文晶琸

IPC分类号： C22C5/06 ,  H01L21/301

CPC分类号： C22C5/06 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01049

摘要： 含有银(Ag)作为主要组分并且含有钯(Pd)和金(Au)的银合金接合线，其中钯(Pd)含量是约0.1重量％至约4.0重量％，并且金(Au)与钯(Pd)的重量含量比是约0.25至约1.0。银合金接合线的使用改善了接合球形状和在线尖端上形成的球的球形均匀性，并且提供了优异的可靠性、焊环线性度和接合强度。

公开(公告)号：CN105429469A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510578852.3

申请日：2015-09-11

申请人： MK电子株式会社

发明人： 李钟哲 ,  金相烨 ,  郑都铉 ,  洪性在 ,  金承贤 ,  许永一 ,  文晶琸

IPC分类号： H02M3/335 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L2224/45139 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005

摘要： 一种银合金接合线，包括银(Ag)作为主成分并且包括钯(Pd)和金(Au)，其中在中央部分具有3以上宽高比的晶粒的比例在约10％到约40％。一种制造银合金接合线的方法包括：制造包括银(Ag)作为主成分并且包括钯(Pd)和金(Au)的合金块；以及对所述合金块进行拉伸并退火；其中对所述合金块进行拉伸和退火包括：在通过拉伸所述合金块所获得细线的横截面减小率超过90％前，对所述合金块进行；以及其中在银合金接合线的延伸率在5％到20％的范围中对所述合金块进行退火。

公开(公告)号：CN102130069A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110032775.3

申请日：2008-07-14

申请人： MK电子株式会社

发明人： 曹宗秀 ,  文晶琸

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/49 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08

CPC分类号： H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种用于半导体封装的Ag基合金引线，其具有较高的可靠性并具有较低的制作成本。Ag基合金引线包括0.05～5wt％的由铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、锇(Os)、金(Au)、以及镍(Ni)组成的组中选取的第一添加成分的至少一种。

公开(公告)号：CN101630670A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200810135820.6

申请日：2008-07-14

申请人： MK电子株式会社

发明人： 曹宗秀 ,  文晶琸

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明公开了一种用于半导体封装的Ag基合金引线，其具有较高的可靠性并具有较低的制作成本。Ag基合金引线包括0.05～5wt％的由铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、锇(Os)、金(Au)、以及镍(Ni)组成的组中选取的第一添加成分的至少一种。

公开(公告)号：CN105392594B

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201480022154.9

申请日：2014-01-10

申请人： MK电子株式会社

发明人： 洪性在 ,  许永一 ,  金载善 ,  李钟哲 ,  文晶琸

IPC分类号： B23K35/30 ,  B23K35/18

摘要： 本发明构思涉及一种以银作为主组分的银合金接合线，且更具体地，涉及一种银合金接合线，其包含约1重量％至约4重量％的钯，并且“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”在约0.3至约3的范围内。本发明构思提供了具有出色的焊接特性焊球成形性和凸点上针脚(SOB)焊接性能且成本低廉的接合线。

公开(公告)号：CN105122435A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201480011968.2

申请日：2014-01-03

申请人： MK电子株式会社

发明人： 洪性在 ,  许永一 ,  金载善 ,  李钟哲 ,  文晶琸

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/45 ,  B23K20/004 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/3006 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/08 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005

摘要： 本发明公开了一种银(Ag)合金接合线，并且更具体地，一种银合金接合线包含银(Ag)作为主要成分、约0.5重量％至约4重量％的钯(Pd)和约2重量％至约8重量％的金(Au)，其中关于所述银合金接合线长度方向上的垂直截面，外侧部分的平均晶粒尺寸a与中心部分的尺寸b的比值a/b为约0.3至约3。根据本发明的银合金接合线具有高热冲击强度、优良的SOB接合和在氮气气氛中的优异接合。

公开(公告)号：CN103958120A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280003149.4

申请日：2012-11-07

申请人： MK电子株式会社

发明人： 李在洪 ,  金逸镐 ,  洪性在 ,  文晶琸

IPC分类号： B23K35/26 ,  H05K3/34 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K35/262 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/26 ,  B23K2101/40 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/13 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/3463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01028 ,  H05K3/3457

摘要： 本发明提供了一种具有适用于电子产品的特性的锡(Sn)基焊球，以及包含所述锡基焊球的半导体封装。该锡基焊球包含：约0.3至3.0重量％的银(Ag)，约0.4至0.8重量％的铜(Cu)，约0.01至0.09重量％的镍(Ni)，约0.1％至0.5重量％的铋(Bi)，以及余量的锡(Sn)和不可避免的杂质。

公开(公告)号：CN105810652A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610031012.X

申请日：2016-01-18

申请人： MK电子株式会社

发明人： 朴钟珉 ,  许永一 ,  金承贤 ,  洪性在 ,  文晶琸

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L2224/45 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45644

摘要： 本发明涉及一种接合线，其包含：线芯，其含有作为主要组分的银(Ag)和至少一种选自铂(Pt)、钯(Pd)、铑(Rh)、锇(Os)、金(Au)和镍(Ni)中的元素，和在线芯的外表面上形成的金(Au)材料的涂层。

公开(公告)号：CN105392594A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201480022154.9

申请日：2014-01-10

申请人： MK电子株式会社

发明人： 洪性在 ,  许永一 ,  金载善 ,  李钟哲 ,  文晶琸

IPC分类号： B23K35/30 ,  B23K35/18

CPC分类号： B23K35/30 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/3006 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/4554

摘要： 本发明构思涉及一种以银作为主组分的银合金接合线，且更具体地，涉及一种银合金接合线，其包含约1重量％至约4重量％的钯，并且“a”/“b”的比率，即外侧部分的平均晶粒尺寸“a”比中心部分的平均晶粒尺寸“b”在约0.3至约3的范围内。本发明构思提供了具有出色的焊接特性焊球成形性和凸点上针脚(SOB)焊接性能且成本低廉的接合线。