公开(公告)号：CN104752329A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310746414.4

申请日：2013-12-30

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 何其暘 ,  张城龙

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/2257 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/76805

摘要： 一种互连结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有第一区域和第二区域，第一区域和第二区域具有重合的第三区域；在第三区域的层间介质层表面形成具有叠层结构的掩膜层；以掩膜层为掩膜，采用第一刻蚀工艺，在第一区域的层间介质层内形成第一接触通孔；在第一接触通孔底部和侧壁形成金属层；在第一接触通孔底部形成第一金属硅化物层；采用第二刻蚀工艺，去除部分厚度的掩膜层；以掩膜层为掩膜，采用第三刻蚀工艺，在第二区域的层间介质层内形成第二接触通孔；形成填充满第一接触通孔和第二接触通孔的导电层。本发明中形成第一接触通孔的掩膜层部分被用于形成第二接触通孔的掩膜层，减少了形成掩膜层的工艺步骤，优化了互连结构的形成工艺。

公开(公告)号：CN104701378A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410738332.X

申请日：2014-12-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林育樟 ,  卢文泰 ,  王立廷 ,  聂俊峰 ,  陈豪育 ,  张惠政

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2252 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L23/485 ,  H01L27/092 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了一种半导体结构。该半导体结构包括第一半导体器件。第一半导体器件包括第一有源区域，第一有源区域具有第一掺杂区域和位于第一掺杂区域的上方的第二掺杂区域。第二掺杂区域包括第一底部和第一侧壁。第一底部包括第一底部内表面、第一底部外表面、第一底部高度和第一底部宽度。第一侧壁包括第一侧壁内表面、第一侧壁外表面、第一侧壁高度和第一侧壁宽度，第一侧壁高度大于第一底部高度。还提供了一种制造半导体器件的方法。本发明还提供共形掺杂的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN104465502A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410710234.5

申请日：2014-11-28

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 李程 ,  杨渝书 ,  黄海辉 ,  秦伟 ,  高慧慧

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76805 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

摘要： 本发明涉及一种采用三明治结构的半导体接触孔的刻蚀方法。包括提供一基底，基底上形成有多个导电结构；于基底上形成一覆盖基底和导电结构的第一SiN层；于第一SiN层上方形成SiO2层；于SiO2层上方形成第二SiN层；于第二SiN层上方沉积形成一SiO2的ILD层；平坦化ILD层，并于ILD层表面形成ILD cap层；ILD cap层从上而下依次包括有光刻胶层和抗反射涂层，于光刻胶层中刻蚀形成接触孔图案；八、利用接触孔图案进行刻蚀，以将各导电结构及位于导电结构两侧的源/漏极予以外露。本发明的优点是：避免采用采用的单一介质的SiN或者双层介质，使得基底表面的硅氧化物和STI层损耗数量减少。

公开(公告)号：CN104425453A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310687197.6

申请日：2013-12-13

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周世培 ,  徐鸿文 ,  苏庆忠 ,  曹钧涵 ,  林佳洁 ,  蔡纾婷 ,  卢玠甫 ,  刘世昌 ,  杜友伦 ,  蔡嘉雄

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/14634 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种互连装置及其形成方法。将两个衬底（诸如晶圆、管芯、或晶圆和管芯）接合在一起。使用第一掩模形成部分地延伸至形成在第一晶圆上的互连件的第一开口。形成介电衬层，然后使用相同的掩模实施另一个蚀刻工艺。继续蚀刻工艺以暴露出形成在第一衬底和第二衬底上的互连件。用导电材料填充开口以形成导电插塞。本发明还公开了3DIC互连装置和方法。

公开(公告)号：CN104183562A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201410226036.1

申请日：2014-05-26

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 石井泰之 ,  茶木原启

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/792 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 改善半导体器件的性能。一种半导体器件具有彼此远离地形成在半导体衬底之上的第一电极和虚设电极、形成在第一电极和虚设电极之间、第一电极的周缘侧表面处以及虚设电极的周缘侧表面处的第二电极、以及形成在第一电极和第二电极之间的电容性绝缘膜。第一电极、第二电极和电容性绝缘膜形成电容性元件。此外，半导体器件具有第一插塞和第二插塞，第一插塞穿透层间绝缘膜并与第一电极电耦合，第二插塞穿透层间绝缘膜并与形成在与第一电极侧相对的虚设电极的侧表面处的第二电极的部分电耦合。

公开(公告)号：CN104103689A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410143763.1

申请日：2014-04-10

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全灿熙 ,  权银景 ,  金一龙 ,  金汉求 ,  徐宇镇 ,  李起泰

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823814 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

摘要： 本发明提供了半导体器件及其制造方法。在一个实施方式中，半导体器件包括：至少一个有源鳍，从衬底突出；第一栅电极，交叉有源鳍；第一杂质区，形成在位于第一栅电极的第一侧的有源鳍上。第一杂质区的至少一部分形成在有源鳍上的第一外延层部分中。第二杂质区形成在位于第一栅电极的第二侧的有源鳍上。第二杂质区具有不形成在外延层中的至少一部分。

公开(公告)号：CN104103626A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410127366.5

申请日：2014-03-31

申请人： 英特尔公司

发明人： H-J·巴斯

IPC分类号： H01L23/532

CPC分类号： H01L51/0048 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/768 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/147 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49872 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/645 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L29/1606 ,  H01L2221/1094 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了混合碳－金属互连结构。本公开的实施例涉及一种用于集成电路组件中的混合碳－金属互连结构的技术和构造。在一个实施例中，装置包括衬底、金属互连层和石墨烯层，该金属互连层设置在衬底上并且配置成作为石墨烯层的生长起始层，其中石墨烯层在金属互连层上直接形成，金属互连层和石墨烯层被配置成路由电信号。可描述和/或要求保护其它的实施例。

公开(公告)号：CN104011835A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201180075764.1

申请日：2011-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： O·戈隆茨卡 ,  S·希瓦库马 ,  C·H·华莱士 ,  T·加尼

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/76897 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/32 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66545

摘要： 描述了栅极对准接触部和形成栅极对准接触部的方法。例如，制造半导体结构的方法包括在形成于衬底之上的有源区之上形成多个栅极结构。栅极结构每个均包括栅极电介质层、栅极电极和侧壁间隔体。多个接触插塞被形成，每个接触插塞直接在多个栅极结构中的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部被形成，每个接触部直接在多个栅极结构的两个相邻栅极结构的侧壁间隔体之间形成。多个接触部和多个栅极结构在形成所述多个接触插塞之后形成。

公开(公告)号：CN103887231A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410131113.5

申请日：2014-04-02

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 薛恺 ,  张文奇

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76819 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/101 ,  H01L2223/54426

摘要： 本发明提供一种用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺，包括下述步骤：提供已经完成TSV盲孔结构制造的衬底；对衬底进行背面减薄，并利用刻蚀工艺使得TSV背面端头突出于衬底背部表面；在衬底背面涂覆一层背面介质层，覆盖衬底背面和突出衬底背部表面的TSV背面端头；利用CMP工艺对背面介质层进行平坦化处理并使TSV露出；利用刻蚀工艺处理露出的TSV，形成TSV和背面介质层的台阶；在衬底背面淀积粘附层和种子层；利用TSV和介质层的台阶进行微凸点或RDL光刻对准，完成制作微凸点或RDL工艺。本发明可避免金属对硅衬底的沾污，能够保证制作微凸点或RDL时的光刻精度。

公开(公告)号：CN103365014A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310291727.5

申请日：2013-07-11

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 李凡

IPC分类号： G02F1/1362 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02B5/20 ,  G02B5/201 ,  G02F1/1345 ,  H01L21/76805 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4908 ,  H01L51/5215

摘要： 本发明公开了一种显示面板制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示领域。所述显示面板中，阵列基板的栅线和栅极连接线隔层正交设置；阵列基板的源极或漏极的靠近彩膜基板一侧形成有钝化层，钝化层上设置有第一过孔；彩膜基板包括第一基板，第一基板靠近阵列基板一侧形成有与栅极连接线平行的数据线，数据线靠近阵列基板一侧依次形成有保护层、黑矩阵和公共电极，保护层、黑矩阵和公共电极在对应所述数据线的区域设置有第二过孔，导电隔垫物的第二端通过第二过孔连接所述数据线，导电隔垫物的第一端通过第一过孔连接源极或漏极。所述显示面板制作方法、显示面板及显示装置在减小边框宽度的同时，提高了显示面板及显示装置的显示效果。