公开(公告)号：CN106373908A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610573933.9

申请日：2016-07-20

申请人： 成均馆大学校产学协力团

发明人： 徐祥准

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/67207

摘要： 本发明涉及一种包括去氢处理工艺的多晶硅沉积方法及用于该多晶硅沉积方法的沉积装置。

公开(公告)号：CN106062963A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201480076424.4

申请日：2014-03-28

申请人： 英特尔公司

发明人： V·H·勒 ,  B·舒-金 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  R·皮拉里塞泰 ,  W·拉赫马迪 ,  H·W·肯内尔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L29/78696 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78684

摘要： 实施例包括器件，该器件包括：耦合到衬底的、具有第一晶格常数的第一外延层；位于第一层上的、具有第二晶格常数的第二外延层；接触第二层的上表面的、具有不等于第二晶格常数的第三晶格常数的第三外延层；以及位于第三层上的、包括沟道区的外延器件层；其中(a)第一层是弛豫的并且包括缺陷，(b)第二层是压缩应变的并且第三层是拉伸应变的，并且(c)第一层、第二层、第三层、以及器件层都被包括在沟槽中。在本文中描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN103069055B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180040775.6

申请日：2011-08-11

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： R·A·贝尔曼 ,  N·F·伯雷利 ,  D·A·德纳卡 ,  S·M·奥马利 ,  V·M·施耐德

IPC分类号： C25D11/32

CPC分类号： C03C23/0095 ,  C03C23/008 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/3221 ,  H01L29/78603 ,  Y10T428/249969

摘要： 本发明考虑了制造含多孔硅层的尺寸性二氧化硅基基材或结构的方法。根据一个实施方式，通过在加热的惰性气氛中使金属气体与二氧化硅玻璃基材反应，将氧从所述基材的原子元素组成中提取出来，以沿着所述基材的表面形成金属?氧复合物。将所述金属?氧复合物从所述二氧化硅玻璃基材的表面除去以产生晶体多孔硅表面部分，并在所述二氧化硅玻璃基材的晶体多孔硅表面部分上形成一层或多层附加层以产生含所述多孔硅层的尺寸性二氧化硅基基材或结构。还考虑了其它实施方式，其中所述基材是玻璃基的玻璃基材，而不一定是二氧化硅基的玻璃基材。本发明还描述了其他的实施方式，并要求专利保护。

公开(公告)号：CN105612603A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480052521.X

申请日：2014-09-15

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 申承祐 ,  金海元 ,  郑愚德 ,  赵星吉 ,  吴完锡 ,  崔豪珉 ,  李郡禹

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/28556 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45563 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76877 ,  H01L31/202

摘要： 根据本发明的一实施例，在腔内部装载基板的状态下供给源气体和气氛气体而在上述基板上蒸镀非晶硅膜，上述气氛气体是氢和氦中的一种以上。上述源气体是硅烷(SiH2)，乙硅烷(Si2H6)，二氯甲硅烷(SiCl2H2)中的一种以上。

公开(公告)号：CN105575772A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510988429.0

申请日：2015-12-25

申请人： 河北普兴电子科技股份有限公司

发明人： 吴会旺

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02634

摘要： 本发明公开了一种FRD用硅外延片制备方法，涉及半导体材料在基片上的沉积方法技术领域。包括如下步骤：在硅衬底上表面生长一层本征层；固定硅源流量，将注入的掺杂剂流量逐渐变小，同时将稀释氢流量逐渐变大，在本征层的上表面生长杂质浓度渐变的缓冲层；在所述缓冲层上生长外延层。所述方法通过对流量的控制，形成一个可控的外延浓度渐变的长过渡区外延层，不仅能提高器件的软度因子，还能保持器件原有的电学特性。

公开(公告)号：CN102386072B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201110228409.5

申请日：2011-08-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。本发明的一个方式如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。

公开(公告)号：CN105531801A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201380079155.2

申请日：2013-09-27

申请人： 英特尔公司

发明人： N·戈埃尔 ,  R·S·周 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  B·舒-金 ,  M·V·梅茨 ,  N·慕克吉 ,  N·M·泽利克 ,  G·杜威 ,  W·拉赫马迪 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  V·H·勒 ,  R·皮拉里塞泰 ,  S·达斯古普塔

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0245 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/165 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 在于浅沟槽隔离(STI)区之间形成的沟槽中的一个或一对的底部处从衬底表面外延地生长单个鳍状物或一对共集成的n-型和p-型单晶电子器件鳍状物。对一个或多个鳍状物进行图案化并对STI区进行蚀刻，以形成在STI区的经蚀刻的顶部表面之上延伸的一个或多个鳍状物的高度。鳍状物高度可以是鳍状物宽度的至少1.5倍。以一种或多种共形外延材料外延地包覆每一个鳍状物的暴露的侧壁表面和顶部表面，以在鳍状物上形成器件层。在生长鳍状物之前，可以从衬底表面生长均厚缓冲外延材料；并且在于均厚层之上形成的STI沟槽中生成鳍状物。这种鳍状物的形成降低了来自材料界面晶格失配的缺陷。

公开(公告)号：CN105492657A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480046949.3

申请日：2014-08-15

申请人： 应用材料公司

发明人： 池孝仁 ,  法扎德·迪安·塔吉克 ,  迈克尔·安东尼·罗莎

IPC分类号： C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01L21/0262 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/42 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02579

摘要： 本发明的实施方式大体涉及用于形成SiGe层的方法。在一个实施方式中，首先使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成种晶SiGe层，并且也使用PECVD在PECVD种晶层上直接形成主体SiGe层。用于种晶SiGe层和主体SiGe层二者的处理温度低于450摄氏度。

公开(公告)号：CN105264644A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201480031035.X

申请日：2014-05-02

申请人： 三垦电气株式会社 ,  信越半导体股份有限公司

发明人： 鹿内洋志 ,  佐藤宪 ,  后藤博一 ,  篠宫胜 ,  土屋庆太郎 ,  萩本和德

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L21/02658 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/2258 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

摘要： 本发明是一种硅系基板，其用以在表面形成氮化物系化合物半导体层，其特征在于，其具有：第一部分，该第一部分具有第一杂质浓度且位于所述硅系基板的表面侧；及，第二部分，该第二部分具有比前述第一杂质浓度高的第二杂质浓度，且位于所述硅系基板的比前述第一部分更内侧处；并且，前述第一杂质浓度是1×1014原子/原子cm3以上且未满1×1019原子/cm3。由此，提供一种硅系基板，其可改善基板的翘曲，并良好地维持形成于上层的氮化物系化合物半导体层的结晶性。

公开(公告)号：CN104979162A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201410298946.0

申请日：2014-06-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡俊雄 ,  郭紫微

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02664 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/34 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41783

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一个实施例中，制造半导体器件的方法可以包括提供具有凹槽的衬底；在凹槽内外延地形成包括掺杂的半导体材料的第一层；以及在凹槽的至少一部分的上方外延地形成包括未掺杂的半导体材料的第二层。