公开(公告)号：CN102376759B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201110251267.4

申请日：2011-08-16

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 小山雅纪 ,  大仓康嗣 ,  添野明高 ,  永冈达司 ,  杉山隆英 ,  青井佐智子 ,  井口纮子

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/30 ,  H01L21/263

CPC分类号： H01L29/8611 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397

摘要： 在此公开了一种半导体装置，特别是公开了一种具有IGBT区和二极管区的半导体装置，其中IGBT结构设置在IGBT区中并且二极管结构设置在二极管区中，所述IGBT区和所述二极管区都位于同一个衬底内，并且所述IGBT区与所述二极管区相邻。在这种类型的半导体装置中，当IGBT结构被关断时会发生积聚在IGBT区内的载流子流入二极管区的现象。为防止这种现象，缩短载流子寿命的区域至少设置在所述IGBT区内的与所述二极管区相邻的分区中。在所述分区中，省略了IGBT结构的发射极。

公开(公告)号：CN103578941A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310301838.X

申请日：2013-07-18

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： D.H.富赫斯 ,  R.克內夫勒 ,  J.莱文 ,  H-J.舒尔策 ,  W.舒斯特雷德

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/8611

摘要： 本发明公开了使用离子注入制造半导体器件的方法以及半导体器件。一种制造方法提供具有衬底层以及邻接衬底层的外延层的半导体器件。外延层包括不同导电类型的第一列和第二列。第一和第二列沿着主晶向从第一表面延伸到外延层中，沿着所述主晶向发生注入离子的沟道效应。第一和第二列中的一个的垂直掺杂分布图包括通过第二部分分开的第一部分。在第一部分中掺杂浓度以至多30%变化。在第二部分中掺杂浓度低于第一部分中的掺杂浓度。第一部分的总长度与第一和第二部分的总长度的比是至少50%。均匀的掺杂分布图改进器件特性。

公开(公告)号：CN103560144A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310571563.1

申请日：2013-11-13

申请人： 北京大学

发明人： 黄如 ,  黄芊芊 ,  吴春蕾 ,  王佳鑫 ,  王超 ,  王阳元

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/0638 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/308 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/66356

摘要： 本发明公开了一种抑制隧穿晶体管泄漏电流的方法及相应的器件和制备方法，属于CMOS超大集成电路（ULSI）中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。本发明通过在源区和隧穿结下方的体区之间插入绝缘层，而在源区和沟道之间的隧穿结处不插入绝缘层，从而有效抑制了小尺寸TFET器件体内的源漏直接隧穿泄漏电流，并同时能有效改善亚阈值斜率。且相应的器件制备方法与现有的CMOS工艺完全兼容。

公开(公告)号：CN103426822A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310176419.8

申请日：2013-05-14

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： S·弗莱克豪斯基 ,  R·P·米卡罗 ,  J·亨治尔

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823807 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834

摘要： 本揭露涉及使用减少数量间隔件形成以嵌埋半导体材料作为源极/漏极区的半导体设备的方法，其方法的步骤包括：形成第一晶体管和第二晶体管的栅极结构于半导体基板之上；形成衬垫层于该栅极结构之上及进行多个延伸离子植入工艺通过该衬垫层以形成延伸植入区于用于该第一晶体管和该第二晶体管的该基板中。该方法还包括形成接近于该第一晶体管的该栅极结构的第一侧壁间隔件，及位于该第二晶体管之上的图案化硬掩模层；进行至少一道蚀刻工艺以移除该第一侧壁间隔件、该硬掩模层和该衬垫层；形成接近于该等栅极结构二者的第二侧壁间隔件，以及进行多个源极/漏极离子植入工艺以形成深源极/漏极植入区于用于该第一晶体管和该第二晶体管的该基板中。

公开(公告)号：CN102446769B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201110265267.X

申请日：2011-09-08

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 俞柳江

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28052 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653

摘要： 本发明公开了一种降低碳辅助注入工艺流程中多晶硅栅电阻的方法，包括：在MOS器件已形成的栅极上沉积第一硅化物掩膜并刻蚀形成栅极侧壁的第一侧墙；进行P型重掺杂硼注入以及热退火处理，使得多晶硅栅的电阻得以降低；移除第一侧墙，进行轻掺杂漏极工艺，同时进行碳离子辅助注入，在栅极下方的基体与源漏极区域的交界处形成超浅结；在栅极上再次沉积第二硅化物掩模，刻蚀后形成第二侧墙；在MOS器件表面形成自对准硅化物。本发明通过调整碳辅助注入工艺流程的工艺顺序，将P型重掺杂硼注入工艺，提前到轻掺杂漏极工艺之前，从而防止了由于碳注入引起的P型多晶硅栅中，P型重掺杂硼原子不能充分扩散的问题，降低了P型多晶硅栅的电阻。

公开(公告)号：CN103378087A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201210130387.3

申请日：2012-04-28

申请人： 无锡华润上华半导体有限公司

发明人： 胡勇海 ,  代萌 ,  林忠瑀 ,  汪广羊

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76202 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/0248 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66121 ,  H01L29/87

摘要： 本发明涉及一种静电释放保护结构，包括：衬底，具有第一导电类型；阱区，具有第二导电类型；衬底接触区，设于衬底内，具有第一导电类型；阱区接触区，设于阱区内，具有第二导电类型；衬底反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第二导电类型；阱区反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第一导电类型；连通区，设于衬底和阱区的横向交界处；第一隔离区，处于衬底反掺杂区和连通区之间；第二隔离区，处于阱区反掺杂区和连通区之间；氧化层，一端设于第一隔离区上，另一端设于衬底上；场板结构，设于氧化层上。本发明还涉及一种静电释放保护结构制造方法。本发明可通过调节场板结构的宽度和位置来调整开启电压。

公开(公告)号：CN103311272A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210202711.8

申请日：2012-06-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈柏羽

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7809 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/76283 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66704 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7812 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7825 ,  H01L29/78642

摘要： 本发明公开的一种横向沟槽MOSFET包括在绝缘体上硅衬底上方形成的介电隔离沟槽。横向沟槽MOSFET还包括在漏极/源极区和绝缘体之间形成的第一漂移区，以及在介电隔离沟槽与绝缘体之间形成的第二漂移区。介电沟槽和绝缘体有助于完全耗尽漂移区。被耗尽的区域可提高横向沟槽MOSFET的击穿电压和导通电阻。本发明还公开了具有介电隔离沟槽的横向MOSFET。

公开(公告)号：CN103311243A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310007113.X

申请日：2013-01-08

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 黄敬源 ,  许竣为 ,  游承儒 ,  姚福伟 ,  余俊磊 ,  杨富智 ,  陈柏智

IPC分类号： H01L27/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L27/0255 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L23/5226 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

摘要： 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括硅衬底。第一III-V族化合物层设置在硅衬底上方。第二III-V族化合物层设置在第一III-V族化合物层上方。半导体器件包括设置在第一III-V族化合物层并且部分设置在第二III-V族化合物层中的晶体管。半导体器件包括设置在硅衬底中的二极管。半导体器件包括连接至二极管并且延伸穿过至少第一III-V族化合物层的通孔。通孔电连接至晶体管或者邻近晶体管设置。本发明提供了用于HEMT器件的等离子体保护二极管。

公开(公告)号：CN102412281B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201010291766.1

申请日：2010-09-26

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 陈帆 ,  陈雄斌 ,  钱文生 ,  周正良

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/08 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/7378 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708

摘要： 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，形成于硅衬底上，有源区由场氧区隔离，其集电区形成于有源区中并延伸进入有源区两侧的场氧区底部；一赝埋层形成于有源区两侧的场氧区底部并和有源区边缘相隔一横向距离，赝埋层和集电区的横向延伸部分相接触。通过在赝埋层顶部的场氧区中形成的第一深孔接触引出集电极。在集电区的横向延伸部分顶部的场氧区中形成有多个悬空的第二深孔接触，在第二深孔接触底部形成有N型注入区。本发明能提高器件的击穿电压，还能降低器件电流通路和电阻、减小器件的饱和压降。

公开(公告)号：CN103210506A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201180038088.0

申请日：2011-05-17

申请人： 桑艾维公司

发明人： 艾吉特·罗哈吉 ,  维杰·叶伦德 ,  休伯特·P·戴维斯 ,  维诺德·钱德拉塞卡朗 ,  本·达米亚尼

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/068 ,  H01L21/263 ,  H01L21/266

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法。本发明太阳能电池的制造方法包括：提供一个硅基底，以及通过离子注入将掺杂剂引入基底的前面的一个或多个选择区。基底可以进行一次高温退火循环，在一次退火循环中，引入额外掺杂剂原子扩散进入基底的前面。基底的前面可以形成选择发射极，使得选择发射层的一个或多个选择区的掺杂度高于选择层其余部分的掺杂度。此外，本发明还公开了一种太阳能电池。