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公开(公告)号：CN100499190C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200610126585.7
申请日：2006-08-29
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
摘要： 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。
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公开(公告)号：CN100477421C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610101777.2
申请日：2006-07-10
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3216
摘要： 本发明提供一种可靠性高的半导体元件。该半导体元件包括，衬底；多层膜，所述多层膜具有设置于衬底上的第1导电型覆层、设置于第1导电型覆层上的第1导电型导层、设置于第1导电型导层上的有源层、设置于有源层上的第2导电型导层、设置于第2导电型导层上的第2导电型覆层，并且上述层分别由氮化物系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体构成；设置于有源层的射出面上的、由氮化物构成的第1保护层；设置于上述第1保护层上的、由折射率与第1保护层不同的氮化物构成的第2保护层。
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公开(公告)号：CN1925181A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126585.7
申请日：2006-08-29
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/0075 , B82Y20/00 , H01L33/02 , H01L33/305 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2224 , H01S5/3063 , H01S5/3072 , H01S5/3216 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , Y10S257/918
摘要： 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。
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公开(公告)号：CN115706142A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210096948.6
申请日：2022-01-27
申请人： 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L21/335
摘要： 提供能够提高质量的氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法。根据实施方式，氮化物半导体包括基体和氮化物构件。氮化物构件包括：第一氮化物区域，包含Alx1Ga1‑x1N(0
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公开(公告)号：CN103839979B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310394029.8
申请日：2013-09-03
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0254 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L33/32
摘要： 本发明涉及氮化物半导体器件、氮化物半导体晶片和形成氮化物半导体层的方法。根据一个实施例，一种氮化物半导体器件包括层叠体和功能层。所述层叠体包括由AlxGa1‑xN（0
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公开(公告)号：CN105390584A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510507533.3
申请日：2015-08-18
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L27/156 , H01L25/0753 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/48 , H01L33/647
摘要： 半导体发光元件包括基体、第一半导体层、第二半导体层、第一发光层、第一导电层、第三半导体层、第四半导体层、第二发光层、第二导电层、第一部件和第二部件。所述第一部件包括第一端部和第二端部。第一端部定位在基体与第一导电层之间并且电连接于第一导电层，第二端部不与第二导电层重叠。第二部件包括第三端部和第四端部。第三端部定位在基体与第二导电层之间并且电连接于第二导电层。第四端部电连接于第二端部。
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公开(公告)号：CN103474560B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310394899.5
申请日：2010-09-07
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L33/50
CPC分类号： H01L33/504 , H01L24/29 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种发光器件。根据一个实施例，一种发光器件包括半导体发光元件、安装构件、第一波长转换层和第一透明层。所述半导体发光元件发射第一光。所述半导体发光元件被设置在所述安装构件上。所述第一波长转换层被设置在所述半导体发光元件与所述安装构件之间且与所述安装构件接触。所述第一波长转换层吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光的波长大于所述第一光的波长。所述第一透明层被设置在所述半导体发光元件与所述第一波长转换层之间且与所述半导体发光元件和所述第一波长转换层接触。所述第一透明层对所述第一光和所述第二光透明。
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公开(公告)号：CN102403201B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201110049525.0
申请日：2011-03-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L21/36 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/7624 , H01L21/76243 , H01L29/2003 , H01L29/7787 , H01L33/0062
摘要： 根据一个实施例，公开了一种制造氮化物半导体晶体层的方法。所述方法可包括在硅晶体层上形成具有第一厚度的所述氮化物半导体晶体层。所述硅晶体层被设置在基体上。在形成所述氮化物半导体晶体层之前，所述硅晶体层具有第二厚度。所述第二厚度小于所述第一厚度。所述形成所述氮化物半导体晶体层包括使所述硅晶体层的至少一部分并入到所述氮化物半导体晶体层中以从所述第二厚度减薄所述硅晶体层的厚度。
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公开(公告)号：CN104051582A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410080014.9
申请日：2014-03-06
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/385 , H01L33/005 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L33/64 , H01L33/647 , H01L2924/12042
摘要： 一种半导体发光元件包括层叠主体、第一金属层和第二金属层。层叠主体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。第二半导体层在第一方向上与第一半导体层分开。发光层被设置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠，从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个。第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面。第二金属层覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分。第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。
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公开(公告)号：CN102403429B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201110051219.0
申请日：2011-03-03
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： C09K11/7734 , C09K11/0883 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及发光装置。实施方式的发光装置具备：发出波长380nm～470nm的光的发光元件；在该发光元件上配置的CASN系第一红色荧光体；在该发光元件上配置的塞隆系第二红色荧光体；和在该发光元件上配置的塞隆系绿色荧光体。
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