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公开(公告)号：CN108022885A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711025429.6
申请日：2017-10-27
申请人： 瑞萨电子株式会社
发明人： 板东晃司
摘要： 本发明提供电子装置，课题为提高其性能。电子装置(EA1)具有：基板(CS1)，具有供半导体芯片搭载的上表面(表面)(CSt)和上表面相反侧的下表面(背面)(CSb)；框体(壳体)(HS)，经由粘接材料(BD1)固定于基板。框体具有在X方向上分别形成于一个短边侧和另一短边侧的贯通孔。基板配置于上述贯通孔之间。基板的上表面的一部分以与层差面的一部分相对的方式被固定，层差面形成于框体的与下表面(HSb)不同的高度。此外，上述层差面中沿着框体短边延伸的部分即层差面(Hf6)与基板的上表面之间的间隔(距离D1)比上述层差面中沿着框体长边延伸的部分即层差面(Hf5)与基板的上表面之间的间隔(距离D3)大。
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公开(公告)号：CN109427705B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN201811011163.4
申请日：2018-08-31
申请人： 瑞萨电子株式会社
摘要： 本发明涉及一种电子装置，实现包括功率晶体管的电子装置的散热特性的改进。半导体模块包括在逆变器电路中包括的第一和第二封装。在所述第一封装中，嵌入具有高压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第二封装中，嵌入具有低压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第一和第二封装的两个宽表面处，暴露电耦合到所述功率晶体管的相应集电极的第一金属电极，以及电耦合到所述功率晶体管的相应发射极的第二金属电极。具有比第一和第二金属电极的面积大的面积的四个相应汇流条板接合到所述第一和第二封装的所述第一和第二金属电极。
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公开(公告)号：CN105679728B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201510876267.1
申请日：2015-12-03
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L23/48 , H01L27/082
摘要： 本发明涉及半导体装置，提高半导体装置的放热特性。例如，半导体装置(PKG1)具有与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第2部分(P2)连接的引线(LD1A(P2))以及与搭载了成为热源的半导体芯片(CHP1)的芯片搭载部(TAB1)的第3部分(P3)连接的引线(LD1A(P3))。并且，引线(LD1A(P2))与引线(LD1A(P3))分别具有从密封体(MR)突出的突出部分。由此，能够提高半导体装置(PKG1)的放热特性。
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公开(公告)号：CN104078480A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410300535.0
申请日：2009-12-25
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L27/22 , H01L23/552 , H01L21/50
CPC分类号： H01L23/49503 , G11C11/16 , H01L23/552 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/228 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4826 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01061 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。
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公开(公告)号：CN101771068B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN200910258845.X
申请日：2009-12-25
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L27/22 , H01L23/552 , H01L21/50 , G11C11/02 , G11C11/16
CPC分类号： H01L23/49503 , G11C11/16 , H01L23/552 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L27/228 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4826 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01061 , H01L2924/01064 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/01026 , H01L2924/01028 , H01L2924/3512 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。提供了一种可以在包括MRAM器件的半导体器件中通过提高对外部磁场的抵抗性来改进MRAM器件的数据留存特性的技术。第一磁屏蔽材料经由第一管芯附着膜设置于管芯焊盘之上。然后，半导体芯片经由第二管芯附着膜装配于第一磁屏蔽材料之上。另外，第二磁屏蔽材料经由第三管芯附着膜设置于半导体芯片之上。也就是说，设置半导体芯片以便由第一磁屏蔽材料和第二磁屏蔽材料夹入中间。这时，在第二磁屏蔽材料的平面面积小于第一磁屏蔽材料的平面面积的同时，第二磁屏蔽材料的厚度比第一磁屏蔽材料的厚度更厚。
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公开(公告)号：CN109427705A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201811011163.4
申请日：2018-08-31
申请人： 瑞萨电子株式会社
摘要： 本发明涉及一种电子装置，实现包括功率晶体管的电子装置的散热特性的改进。半导体模块包括在逆变器电路中包括的第一和第二封装。在所述第一封装中，嵌入具有高压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第二封装中，嵌入具有低压侧功率晶体管的半导体芯片。在所述第一和第二封装的两个宽表面处，暴露电耦合到所述功率晶体管的相应集电极的第一金属电极，以及电耦合到所述功率晶体管的相应发射极的第二金属电极。具有比第一和第二金属电极的面积大的面积的四个相应汇流条板接合到所述第一和第二封装的所述第一和第二金属电极。
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公开(公告)号：CN108511396A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810144702.5
申请日：2018-02-12
申请人： 瑞萨电子株式会社
摘要： 本发明涉及一种电子装置，其能够提高电子装置的性能。电子装置(EA1)具有第一基板、配置在第一基板之上的配线基板即第二基板(SU2)、容纳第一基板和配线基板(SU2)并且具备边(HSe1)及边(HSe2)的框体(HS)。在配线基板(SU2)上搭载有驱动部件即半导体部件(PDR)。第一半导体部件的栅电极经由配置在边(HSe1)侧的引线(LGH)以及配置在驱动部件(PDR)和边(HSe1)之间的配线(WLGH)与驱动部件(PDR)电连接。并且，第二半导体部件的栅电极经由配置在边(HSe2)侧的引线(LGL)以及配置在驱动部件(PDR)与边(HSe2)之间的配线(WLGL)与驱动部件(PDR)电连接。
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公开(公告)号：CN106409819A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610443218.3
申请日：2016-06-20
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L25/07
CPC分类号： H02M7/537 , H01L23/04 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L27/0664 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/181 , H02M7/003 , H02M7/53875 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L25/07
摘要： 本发明涉及半导体装置，提高半导体装置的可靠性。形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(HU))经由高侧用中继基板(RB1)而电连接。即，半导体芯片(CHP1(HU))与半导体芯片(CHP3)经由导线(W1)、高侧用中继基板(RB1)和导线(W2)而电连接。同样地，形成有控制电路的半导体芯片(CHP3)与多个IGBT芯片中的半导体芯片(CHP1(LW))经由低侧用中继基板(RB2)而电连接。即，半导体芯片(CHP1(LW))与半导体芯片(CHP3)经由导线W1、低侧用中继基板(RB2)和导线(W2)而电连接。
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公开(公告)号：CN207503955U
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201721401780.6
申请日：2017-10-27
申请人： 瑞萨电子株式会社
发明人： 板东晃司
CPC分类号： H01L24/49 , H01L23/04 , H01L23/3121 , H01L23/3735 , H01L23/4006 , H01L23/562 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2023/4087 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00
摘要： 本实用新型提供电子装置，课题为提高其性能。电子装置(EA1)具有：基板(CS1)，具有供半导体芯片搭载的上表面(表面)(CSt)和上表面相反侧的下表面(背面)(CSb)；框体(壳体)(HS)，经由粘接材料(BD1)固定于基板。框体具有在X方向上分别形成于一个短边侧和另一短边侧的贯通孔。基板配置于上述贯通孔之间。基板的上表面的一部分以与层差面的一部分相对的方式被固定，层差面形成于框体的与下表面(HSb)不同的高度。此外，层差面中沿着框体短边延伸的部分即层差面(Hf6)与基板的上表面之间的间隔(距离D1)比层差面中沿着框体长边延伸的部分即层差面(Hf5)与基板的上表面之间的间隔(距离D3)大。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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