公开(公告)号：CN108346599A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201810069614.3

申请日：2018-01-24

申请人： SPTS科技有限公司

发明人： 约翰·麦克尼尔 ,  马丁·艾尔丝 ,  特雷弗·托马斯

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/67196 ,  C25D17/001 ,  C25D17/004 ,  C25D17/06 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67766 ,  H01L21/67769 ,  H01L21/67778 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/76879 ,  H01L2221/1068

摘要： 根据本发明，提供了一种用于处理半导体晶片的正面的方法、装置以及装置维修方法，所述装置包括：主室；连接到所述主室的至少一个装载口，用于将所述晶片置入所述主室；晶片处理模块的至少一个堆，上述堆包括三个或更多个基本竖直堆的晶片处理模块，其中所述堆叠中的相邻晶片处理模块之间的竖直间隔小于50cm，并且每个处理模块被配置为当所述晶片以所述晶片的正面朝上的方式基本水平地布置在其中时处理所述晶片，并且至少一个晶片处理模块是电化学晶片处理模块；以及传送机构，用于在所述装载口与所述处理模块之间传送所述晶片。

公开(公告)号：CN102338984B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201110206386.8

申请日：2011-07-18

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 松冈伸明 ,  宫田亮 ,  林伸一 ,  榎木田卓

IPC分类号： G03F7/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/677

CPC分类号： H01L21/67178 ,  G03F7/16 ,  G03F7/162 ,  G03F7/30 ,  G03F7/3021 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67225 ,  H01L21/6723

摘要： 本发明提供一种涂敷显影装置、涂敷显影方法和存储介质，在单位块发生异常、进行维修时，抑制涂敷显影装置的生产率降低且抑制处理块的设置面积。该涂敷显影装置具备：在层叠的前段处理用单位块和分别对应的层叠的后段处理用的单位块之间设置的、在两单位块的搬送机构之间进行基板的交接用的涂敷处理用的交接部；在各段的涂敷处理用的交接部之间进行基板的搬送用的能够升降自由的设置的辅助移载机构；和分别在所述前段处理用的单位块、后段处理用的单位块上层叠的显影处理用的单位块。在各层间，交接基板，因此能够避免不能使用的单位块搬送基板。此外，显影用的单位块层叠在前段处理用的单位块和后段处理用的单位块上，因此抑制设置面积。

公开(公告)号：CN102870237A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180020401.8

申请日：2011-03-11

申请人： RISE技术有限责任公司

发明人： M·布鲁卡尼

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25F7/00 ,  H01L21/67 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/67173 ,  C23C18/1642 ,  C23C18/165 ,  C23C18/1692 ,  C23C18/32 ,  C25D3/38 ,  C25D5/022 ,  C25D5/026 ,  C25D5/04 ,  C25D7/12 ,  C25D11/02 ,  C25D11/32 ,  C25D17/00 ,  C25D17/001 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67236 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50

摘要： 提出了一种光伏电池（100），所述光伏电池包括由半导体材料构成的基板（105；105'）以及多个接触端子（Tf，Tb），所述接触端子中的每一个布置在所述基板的对应接触区（122）上，以收集由光在所述基板内产生的电荷。对于所述接触中的至少一，所述基板包括至少一个从所述接触区延伸到所述基板内的用于将整个对应的接触端子锚固到所述基板上的多孔半导体区域（125）。在根据本发明的实施例的解决方案中，每一个多孔半导体区域的孔隙度随着背离接触区向基板内移动而减小。还提出了用于处理光伏电池的一种蚀刻模块（400）和一种电解模块（700；700'；800’；800'）、一种用于制造光伏电池的生产线（900）以及一种用于制造光伏电池的过程。

公开(公告)号：CN101529576B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200780040062.3

申请日：2007-10-04

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 爱德华·阿尔马尼尼

IPC分类号： H01L21/68

CPC分类号： H01L21/6723 ,  C23C18/1619 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/68764

摘要： 一种体结构具有形成该体结构内腔体的内部区域形状。该体结构内的腔体设计为容纳流体。一种卡盘包括能够夹持基片的顶部，以及具有与该体结构的内部区域形状互补的形状的体部分。该卡盘体部分的互补形状至少部分与形成该体结构腔体的该内部区域形状对齐。该卡盘体部分设计为移进该体结构的腔体并排开该腔体内的流体，以便将该流体转移到该卡盘的顶部。该卡盘的体部分还设计为移出该体结构的腔体，以便将该流体从该卡盘的顶部移除。

公开(公告)号：CN101978486B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980109949.2

申请日：2009-04-03

申请人： 诺发系统股份有限公司

发明人： S·K·拉希里 ,  P·弗兰岑

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了校准涡流传感器(214)的方法和装置(20，200，250)。形成将磁场内的导电层(205)的厚度和以涡流传感器(214)测量的值，或从这种测量得出的值，诸如，阻抗变元相关联的校准曲线。校准曲线可以是具有无限项数的分析函数，诸如三角、双曲线和对数函数，或连续的多个函数，诸如直线。这些曲线可以减少用于校准传感器(214)中的晶片的数目，同时提供较大厚度范围上的较高准确度。高准确度允许忽略光学传感器，并且允许使用涡流传感器(214)进行终点检测、转变调用检测和闭环控制，其中基于一个或多个处理区域内测量的磁通密度的改变，改变处理参数。

公开(公告)号：CN101978486A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109949.2

申请日：2009-04-03

申请人： 诺发系统股份有限公司

发明人： S·K·拉希里 ,  P·弗兰岑

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了校准涡流传感器(214)的方法和装置(20，200，250)。形成将磁场内的导电层(205)的厚度和以涡流传感器(214)测量的值，或从这种测量得出的值，诸如，阻抗变元相关联的校准曲线。校准曲线可以是具有无限项数的分析函数，诸如三角、双曲线和对数函数，或连续的多个函数，诸如直线。这些曲线可以减少用于校准传感器(214)中的晶片的数目，同时提供较大厚度范围上的较高准确度。高准确度允许忽略光学传感器，并且允许使用涡流传感器(214)进行终点检测、转变调用检测和闭环控制，其中基于一个或多个处理区域内测量的磁通密度的改变，改变处理参数。

公开(公告)号：CN100449705C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN02802116.9

申请日：2002-02-21

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 小畠厳贵 ,  白樫充彦 ,  粂川正行 ,  齐藤孝行 ,  当间康 ,  铃木作 ,  山田薰 ,  槙田裕司

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/6723 ,  B23H5/08 ,  C25F7/00 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67173

摘要： 提供一种电解处理装置，包括：与工件接触或靠近的处理电极；用于向工件供电的馈送电极；离子交换器，设置在工件和处理电极之间以及工件和馈送电极之间的空间的至少之一中；用于在处理电极和馈送电极之间施加电压的电源；和液体输送部件，用于向工件与处理电极和馈送电极中的至少一个之间的空间输送液体，所述离子交换器存在于其中。还提供一种具有该电解处理装置的衬底处理设备。

公开(公告)号：CN1985026A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200480016732.4

申请日：2004-04-16

申请人： 应用材料有限公司

发明人： M·X·杨 ,  M·席 ,  R·C·艾尔万杰尔 ,  E·B·布莱彻尔 ,  B·多诺索 ,  L·L·庞 ,  S·谢尔曼 ,  H·胡 ,  A·N·阮 ,  A·N·勒纳尔 ,  A·L·达布勒 ,  A·山姆伽桑德拉姆 ,  T·石川 ,  Y·拉宾诺维奇 ,  D·鲁波密尔斯基 ,  Y-F·E·莫 ,  S·T·阮

IPC分类号： C25D7/12 ,  C25D19/00 ,  C25D17/02

CPC分类号： H01L21/67109 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/68707

摘要： 本发明的实施例一般提供电化学电镀系统。所述电镀系统包括衬底装载站，其被放置与主框架处理平台相连；至少一个衬底电镀槽，其被放置在主框架上；至少一个衬底斜边清洗槽，其被放置在主框架上；以及叠层的衬底热处理站，其被放置与主框架和装载站至少其中之一相连，所述叠层的衬底热处理站中各个室具有加热板、冷却板和衬底传送机械手。

公开(公告)号：CN1659315A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN02813840.6

申请日：2002-05-30

申请人： 塞米用具公司

发明人： 凯尔·M·汉森 ,  托马斯·L·里茨多尔夫 ,  格雷戈里·J·威尔逊 ,  保罗·R·麦克休

IPC分类号： C25D5/00 ,  C25D17/00

CPC分类号： H01L21/6719 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/6723

摘要： 在一种反应容器(204)中对微型电子工件进行电化学处理所用的装置和方法。反应容器包括：具有外壁(222)的一个外容器(220)；将一种主液流引导至外容器中所用的一个第一出口及以将与主液流分离的一种副液流引导至外容器中所用的至少一个第二出口；布置在外容器中的一个绝缘场成形单元(500)，以接收来自第二出口的副液流，所构造的该场成形单元用于容纳与主液流分离的副液流，场成形单元具有至少一个电极室(520)，副液流可通过该电极室；布置在电极室中的一个电极(600)；由电极下游的场成形单元支承的一个接口件(700)，该接口件用于防止来自副液流中被选出的物质进入主液流。

公开(公告)号：CN1643651A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03806384.0

申请日：2003-03-10

申请人： 应用材料股份有限公司

发明人： 谢长林 ,  黛安娜·晓斌·马 ,  布赖恩·思远·谢 ,  杰拉尔德·哲耀·殷 ,  珍妮弗·孙 ,  石笙 ,  罗丽 ,  克拉斯·H·比约克曼

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01J37/32458 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76807

摘要： 一种整合原位蚀刻制程，在具有第一和第二蚀刻反应室的多反应室基材处理系统中执行。在一个实施例中，第一反应室包含一被粗糙化至至少100 Ra的内表面，并且第二反应室包含粗糙度小于约32 Ra的内表面。该制程包括传送一由上至下形成有图案化的光阻光罩、介电层、阻障层以及位于基材内欲被接触的特征在其上的基材至第一反应室中，在此介电层以一可助长聚合物形成在反应室的粗糙化内表面上的制程来蚀刻。然后，该基材在真空环境下从第一反应室传送至该第二反应室，并且在第二反应室内被暴露在反应性等离子体中，例如氧气，以去除沉积在基材上的光阻光罩。在光阻光罩被去除之后，阻障层在多反应室基材制程系统的第二反应室中利用可防止聚合物形成在第二反应室的相对平滑内表面上的制程来蚀穿至该欲被接触的特征。三个蚀刻步骤皆在一系统级原位制程中执行，因此基材不会在步骤之间被暴露于环境中。在某些实施例中，第一反应室内表面的粗糙度介于100和200 Ra之间，而在其它实施例中，第一反应室内表面的粗糙度介于110和160 Ra之间。