公开(公告)号：CN105742245A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510726801.0

申请日：2015-10-30

申请人： 东和株式会社

发明人： 片冈昌一 ,  东秀和

IPC分类号： H01L21/782

CPC分类号： H01L21/782

摘要： 本发明公开一种切断装置及切断方法。在该装置中，使用一个位移传感器来测定旋转刃的轴向的位移量和径向的位移量。在该装置中，在心轴(1)设置凸缘(6)，该凸缘具有从两侧夹着旋转刃(4)以进行固定的锥形部(5)。在心轴主体(2)中，在与凸缘的锥形部相对置的位置设置位移传感器(7)。通过测定从位移传感器的前端部到凸缘的锥形部的距离，从而能够测定轴向的位移量和径向的位移量。能够对因热膨胀而伸缩的旋转轴(3)的位移量进行校正，以使旋转刃的中心线的位置准确吻合于封装基板的切断线的位置来进行切断。通过捕捉旋转刃的振动用以作为从位移传感器的前端部到锥形部的距离发生位移的位移量，从而能够掌握旋转刃的振动的振幅大小。

公开(公告)号：CN103069546B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201180039092.9

申请日：2011-09-20

申请人： 富士电机株式会社

发明人： 为则启

IPC分类号： H01L21/301

CPC分类号： H01L21/782 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/78 ,  H01L29/66348

摘要： 在半导体晶片（1）的周边形成无效芯片（22），在由无效芯片包围的区域中形成有效芯片（21），在有效芯片和无效芯片上形成表面电极，且在限定有效芯片和无效芯片的切割线（23）上设置绝缘膜（7）。形成具有从半导体晶片的外周端部起算的一预定宽度的聚酰亚胺（26），所述聚酰亚胺覆盖半导体晶片的外周部，从而聚酰亚胺从半导体晶片的外周端部向内连续地覆盖无效芯片、并且聚酰亚胺还连续地覆盖位于夹在无效芯片之间的切割线上且相对于有效芯片位于与半导体芯片的外周端部相距一预定距离处的部分。在有效芯片上形成的表面电极涂敷有金属膜，并且使用刀片沿着切割线将半导体晶片切分成半导体芯片。

公开(公告)号：CN108364981A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201810099462.1

申请日：2018-01-31

申请人： 昆山国显光电有限公司

发明人： 张探 ,  孙站 ,  陈晓和 ,  胡永学

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/782

CPC分类号： H01L27/32 ,  H01L21/782

摘要： 本发明提供了一种显示面板、子显示面板及显示面板的切割方法。该显示面板包括：第一基板和第二基板；以及切割支撑图案，位于第一基板与第二基板之间，该切割支撑图案用于在显示面板被切割以得到多个子显示面板时支撑显示面板。本发明的切割支撑图案能够在显示面板被切割以得到多个子显示面板时支撑显示面板，因此，减小切割过程中产生的变形应力，并进一步提高了封装的可靠性。

公开(公告)号：CN105144352B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480015370.0

申请日：2014-03-05

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 德瓦拉卡纳特·吉尔普拉姆 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  林内尔·马丁内斯 ,  克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/78 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的方法。该方法包括：提供具有壁的处理室；邻近处理室的所述壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将工件装载到工件支撑件上，该工件具有支撑膜、框架和衬底；在工件上方提供盖环，该盖环具有至少一个穿孔区域和至少一个未穿孔区域；使用等离子体源来产生等离子体；以及，使用所产生的等离子体来处理工件。

公开(公告)号：CN106783643A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611248052.6

申请日：2016-12-29

申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

发明人： 陈峰 ,  陆原

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/782 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L2224/19 ,  H01L21/56 ,  H01L21/782 ,  H01L23/31

摘要： 本发明实施例公开了一种芯片及其封装方法，该芯片封装方法包括：将晶片贴附在贴片膜上并将晶片切割为多个芯片，其中，晶片的正面与贴片膜贴合；拉伸贴片膜以使贴附在贴片膜上的任意相邻两个芯片之间具有间隙；在任意相邻两个芯片之间的间隙内放置导电体，并在多个芯片的背离贴片膜的第一表面上形成绝缘层且露出导电体；去除贴片膜，并在多个芯片上布线且布线完成后切割以形成多个芯片产品。与现有技术相比，本发明实施例中无需提供一承载片并在承载片上贴芯片粘结胶以作为临时键合结构，也无需采用贴片工艺将裁切好的多个芯片按照一定间隔倒装在粘结胶上，因此无需采用临时键合工艺和贴片工艺，减少了封装工艺流程，降低了封装成本。

公开(公告)号：CN106158858A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201610209790.3

申请日：2016-04-06

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  梁启德

发明人： 梁启德 ,  洪铭辉 ,  刘泛鸿

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/782

CPC分类号： H01L27/0688 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02293 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/2654 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/085 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L27/0922 ,  H01L21/782

摘要： 提供了多层半导体器件结构和制造方法。在一个实施例中，第一半导体层、第一绝缘体层、第二半导体层、第二绝缘体层和第三半导体层形成在衬底上方。第一晶体管包括第一半导体层、第一绝缘体层和第二半导体层，以及第二晶体管包括第二半导体层、第二绝缘体层和第三半导体层。

公开(公告)号：CN105144352A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480015370.0

申请日：2014-03-05

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 德瓦拉卡纳特·吉尔普拉姆 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  林内尔·马丁内斯 ,  克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/78 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32495 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32651 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对衬底进行等离子体处理的方法。该方法包括：提供具有壁的处理室；邻近处理室的所述壁提供等离子体源；在处理室内提供工件支撑件；将工件装载到工件支撑件上，该工件具有支撑膜、框架和衬底；在工件上方提供盖环，该盖环具有至少一个穿孔区域和至少一个未穿孔区域；使用等离子体源来产生等离子体；以及，使用所产生的等离子体来处理工件。

公开(公告)号：CN103779241A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310491772.5

申请日：2013-10-18

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 莱奥那德思·安托尼思·伊丽沙白·范吉莫特 ,  哈特莫特·布宁 ,  托尼·坎姆普里思 ,  萨沙·默勒 ,  克里斯蒂安·延斯

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L21/782 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

摘要： 根据示例实施例，提供了一种用于装配经晶片级芯片规模处理(WLCSP)的晶片的方法。晶片具有前侧表面和背侧表面以及在前侧表面上具有电接触的多个器件管芯。该方法包括：将晶片的背侧表面背侧研磨至一定厚度。将一定厚度的保护层施加至晶片的背侧表面上。将晶片安装到切割箔上。沿多个器件管芯的切割线来切割晶片，该切割利用第一切口的刀片进行且切割至背侧研磨晶片厚度的深度。再次沿多个器件管芯的切割线切割晶片，该切割利用第二切口的刀片进行，第二切口比第一切口窄，且切割至保护层厚度的深度。将多个器件管芯分离为单独的器件管芯。每一个单独的器件管芯在背侧具有保护层，保护层具有相对于单独器件管芯的竖直边缘的偏距。

公开(公告)号：CN103681357A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310722979.9

申请日：2013-12-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 谢春燕

IPC分类号： H01L21/46 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L21/782 ,  H01L27/3241 ,  H01L51/003

摘要： 本发明提供一种柔性显示器件及其制作方法、显示装置，该柔性显示器件的制作方法包括：在载板上制作柔性显示器件；将该载板切割为第一部分和第二部分；将该柔性显示器件与该第一部分剥离；将该柔性显示器件与该第二部分剥离。本发明通过将载板切割为第一部分和第二部分，然后依次将柔性显示器件与载板的第一部分和第二部分剥离，由于在整个制作过程中，没有对柔性显示器件进行切割，从而能够避免对柔性显示器件造成损害。

公开(公告)号：CN109585634A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810834091.7

申请日：2018-07-26

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金真焕 ,  金成埈 ,  赵秀玄 ,  李承桓 ,  张泰盛

IPC分类号： H01L33/62

CPC分类号： H01L33/38 ,  H01L21/78 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/782 ,  H01L21/784 ,  H01L23/544 ,  H01L27/156 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/22 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L33/62

摘要： 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括沿着第一方向在衬底上按次序堆叠的第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层，并且包括暴露出第一导电类型的半导体层的暴露区。第一接触电极在暴露区中，第二接触电极在第二导电类型的半导体层上，并且绝缘层覆盖发光结构。分离的电极焊盘穿过绝缘层以电连接至第一接触电极和第二接触电极。第一电极焊盘和第二电极焊盘中的至少一个的侧表面可延伸以沿着第一方向与衬底的侧表面共面。