公开(公告)号：CN103140930A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201180047252.4

申请日：2011-09-24

申请人： 英特尔公司

发明人： W·瑞驰梅迪 ,  R·皮尔拉瑞斯帝 ,  V·H·勒 ,  R·乔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7851 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/151 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785

摘要： 披露了用于形成非平面量子阱结构的技术。具体地说，该量子阱结构可用IV族或III-V族半导体材料实现并包括鳍结构。在一个示例性情形下，提供一种非平面量子阱器件，该量子阱器件包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲结构)、IV或III-V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)和量子阱层的量子阱结构。鳍结构被形成在量子阱结构中，而界面层被设置鳍结构之上。栅极金属可横跨鳍结构地沉积。在鳍结构的相应端可形成漏极区/源极区。

公开(公告)号：CN107851605A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680040005.4

申请日：2016-07-06

申请人： 香港科技大学

发明人： 何庆林 ,  赖英凯 ,  刘艺 ,  苏荫强

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L31/108 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02631 ,  H01L22/26 ,  H01L29/122 ,  H01L29/22 ,  H01L29/267 ,  H01L31/00 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

摘要： 一种二极管、紫外辐射探测器和半导体器件制造方法，包含具有第一面和第二面的基底的二极管。二极管包含活性层，基底第一面上有CaS的岩盐相晶体结构，另一面设有电触点。二极管在活性层上还设有半透明导电层。紫外辐射探测器包含二极管以及连接半透明导电层和电触点的电路。紫外辐射探测器能够探测到波长在220到280nm之间的辐射。基底相对于活性层的晶格失配率为0.47％-12.6％。

公开(公告)号：CN105870168A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610209964.6

申请日：2010-11-18

申请人： 英特尔公司

发明人： R.皮拉里塞蒂 ,  J.T.卡瓦列罗斯 ,  W.雷奇马迪 ,  U.沙 ,  B.楚-孔 ,  M.拉多沙夫耶维奇 ,  N.穆克赫吉 ,  G.德维 ,  B.Y.金 ,  R.S.乔

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/267 ,  H01L29/775 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/165 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L29/775 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/76 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/155 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

摘要： 公开用于形成非平面锗量子阱结构的技术。具体来说，量子阱结构能够采用IV或III?V族半导体材料来实现，并且包括锗鳍式结构。在一个示例情况下，提供一种非平面量子阱装置，该装置包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲部分)、IV或III?V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)、掺杂层(例如δ掺杂/调制掺杂)和未掺杂锗量子阱层的量子阱结构。未掺杂锗鳍式结构在量子阱结构中形成，并且顶部势垒层在鳍式结构之上沉积。栅金属能够跨鳍式结构来沉积。漏区/源区能够在鳍式结构的相应端部形成。

公开(公告)号：CN103140930B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201180047252.4

申请日：2011-09-24

申请人： 英特尔公司

发明人： W·瑞驰梅迪 ,  R·皮尔拉瑞斯帝 ,  V·H·勒 ,  R·乔

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7851 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/122 ,  H01L29/151 ,  H01L29/165 ,  H01L29/267 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/785

摘要： 披露了用于形成非平面量子阱结构的技术。具体地说，该量子阱结构可用IV族或III-V族半导体材料实现并包括鳍结构。在一个示例性情形下，提供一种非平面量子阱器件，该量子阱器件包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲结构)、IV或III-V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)和量子阱层的量子阱结构。鳍结构被形成在量子阱结构中，而界面层被设置鳍结构之上。栅极金属可横跨鳍结构地沉积。在鳍结构的相应端可形成漏极区/源极区。

公开(公告)号：CN102326237B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201080008963.6

申请日：2010-01-26

申请人： 英特尔公司

发明人： R·皮利亚里塞蒂 ,  T·拉克施特 ,  M·赫戴特 ,  M·拉多萨夫杰维克 ,  G·达维 ,  本杰明·丘康

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/122 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

摘要： 在半导体装置中提供量子阱(QW)层。QW层被提供有在QW层下方的势垒结构中的铍掺杂halo层。半导体装置包含分别在QW层下方和上方的InGaAs底部势垒层和InGaAs顶部势垒层。半导体装置还包含位于栅极凹槽中InP间隔部第一层上的高k栅极电介质层。形成QW层的过程包含使用偏离切割的半导体衬底。

公开(公告)号：CN103165668A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210548299.5

申请日：2012-12-17

申请人： NXP股份有限公司 ,  台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 马库斯·穆勒 ,  安可·赫琳哈

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02104 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/122 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872

摘要： 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有位于GaN层上的AlGaN层。该半导体器件还包括第一接触和第二接触。所述AlGaN层的平均厚度在所述第一接触和所述第二接触之间变化，用于在所述第一接触和所述第二接触之间调节所述GaN层中的电子气的密度。

公开(公告)号：CN102326237A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201080008963.6

申请日：2010-01-26

申请人： 英特尔公司

发明人： R·皮利亚里塞蒂 ,  T·拉克施特 ,  M·赫戴特 ,  M·拉多萨夫杰维克 ,  G·达维 ,  本杰明·丘康

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L29/122 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7785

摘要： 在半导体装置中提供量子阱(QW)层。QW层被提供有在QW层下方的势垒结构中的铍掺杂halo层。半导体装置包含分别在QW层下方和上方的InGaAs底部势垒层和InGaAs顶部势垒层。半导体装置还包含位于栅极凹槽中InP间隔部第一层上的高k栅极电介质层。形成QW层的过程包含使用偏离切割的半导体衬底。

公开(公告)号：CN109791943A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201680089743.8

申请日：2016-09-30

申请人： 英特尔公司

发明人： H.C.乔治 ,  R.皮拉里塞蒂 ,  N.K.托马斯 ,  J.M.罗伯茨 ,  J.S.克拉克

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC分类号： H01L29/122 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66469 ,  H01L29/66977 ,  H01L29/7613 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/82

摘要： 本文公开了具有单电子晶体管（SET）检测器的量子点器件。在一些实施例中，量子点器件可包含：量子点形成区域；设置在量子点形成区域上的一组栅极，其中该组栅极至少包含第一、第二和第三栅极，间隔物设置在第一栅极和第二栅极的多侧上，其中第一间隔物设置在第一栅极接近于第二栅极的一侧上，并且与第一间隔物物理分离的第二间隔物设置在第二栅极接近于第一栅极的一侧上，并且第三栅极设置在第一栅极和第二栅极之间，并在第一间隔物和第二间隔物之间延伸；以及接近于该组栅极设置在量子点形成区域上的SET。

公开(公告)号：CN108288625A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/156 ,  H01L27/307 ,  H01L29/122 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0579 ,  Y02E10/547 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14665

摘要： 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。

公开(公告)号：CN104347408B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201310327038.5

申请日：2013-07-31

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66462 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/122 ,  H01L29/151 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种制造半导体装置的方法及其半导体装置。其中在制造半导体装置的方法中，提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底以及形成在衬底表面上的鳍片式缓冲层，在所述鳍片式缓冲层的表面上形成量子阱材料层，在量子阱材料层上形成势垒材料层，其中所述量子阱材料层适于在其中形成电子气。从而能够实现在改进短沟道效应的同时，保证了半导体装置的高迁移率。另外，根据本发明，可以改善半导体装置的热耗散，从而提高了装置的性能和稳定性。