附载体铜箔
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104584699B

    公开(公告)日:2017-09-26

    申请号:CN201380041401.5

    申请日:2013-08-08

    Abstract: 本发明提供一种附载体铜箔,其在向绝缘基板的积层步骤前载体与极薄铜层的密接力高,另一方面,在向绝缘基板的积层步骤后载体与极薄铜层的密接性降低,而可容易地在载体/极薄铜层的界面进行剥离,且可良好地抑制极薄铜层侧表面的针孔的产生。中间层在铜箔载体上依序积层镍、与钼或钴或钼‑钴合金而构成。在中间层中,镍的附着量为1000~40000μg/dm2,在包含钼的情形时钼的附着量为50~1000μg/dm2,在包含钴的情形时钴的附着量为50~1000μg/dm2。当使中间层/极薄铜层之间剥离时,在自中间层表面起算的深度方向分析的区间[0.0,4.0]中,∫i(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)或∫j(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)为20%~80%,在[4.0,12.0]中,∫g(x)dx/(∫g(x)dx+∫h(x)dx+∫i(x)dx+∫j(x)dx+∫k(x)dx+∫l(x)dx+∫m(x)dx)满足40%以上。

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