公开(公告)号：CN106711122A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201610551196.2

申请日：2016-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  黄俊贤 ,  陈奕铮

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明揭露一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含导电结构、介电层，及多个导电特征。介电层位于导电结构上，并具有多个通孔(through hole)，且至少一通孔曝露导电结构。导电特征分别位于通孔中。至少一导电特征具有一底表面及至少一侧壁。导电特征的底表面及侧壁交会以形成一内角。两个相邻的导电特征的内角之间的差异约小于3度或实质上约等于3度。

公开(公告)号：CN105304556A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201410566325.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华 ,  许嘉麟

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的实施例包括接触结构及其形成方法。一个实施例是形成半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上方形成接触区域；在接触区域和衬底上方形成介电层；以及形成穿过介电层的开口以暴露接触区域的一部分。该方法还包括：在接触区域的暴露部分上以及沿着开口的侧壁形成金属硅化物层；以及用导电材料填充开口以在介电层中形成导电插塞，导电插塞电连接至接触区域。

公开(公告)号：CN105097664A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410442910.5

申请日：2014-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李亚莲 ,  苏鸿文 ,  林瑀宏 ,  李魁斌 ,  张育民

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/50 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了用于具有减小的接触电阻的集成电路的结构。该结构包括衬底、沉积在衬底上的覆盖层、沉积在覆盖层上的介电层、以及嵌入在介电层中的沟槽。该沟槽包括沉积在沟槽的侧壁上的TaN层，其中，TaN层具有大于钽的氮浓度；沉积在TaN层上的Ta层；以及沉积在Ta层上的Cu。该结构还包括在填充的沟槽的底部集成到沟槽的通孔。在一个实施例中，TaN层和Ta层均以物理汽相沉积(PVD)形成，其中，通过以至少20sccm的N2流量等离子体溅射Ta靶来形成TaN层。该结构提供低的接触电阻(Rc)和紧凑的Rc分布。本发明还涉及器件和用于减小金属的接触电阻的方法。

公开(公告)号：CN119132975A

公开(公告)日：2024-12-13

申请号：CN202411012245.6

申请日：2024-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄友怡 ,  郭佑豪 ,  张巧君 ,  蔡睿轩 ,  林瑀宏 ,  戴世芃 ,  涂纪诚 ,  余振华

IPC: H01L21/50 ,  H01L25/16 ,  H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  G02B6/42

Abstract: 提供一种形成半导体封装的方法。所述方法包括形成从基板的顶表面凹陷的微透镜，微透镜的表面与基板的顶表面之间形成凹形区域。所述方法包括使用旋涂制程沉积填充凹形区域的一部分的第一介电材料。所述方法包括使用化学气相沉积制程沉积填充凹形区域的剩余部分并覆盖基板的顶表面的第二介电材料。所述方法包括平坦化第二介电材料。所述方法包括在平坦化的第二介电材料上以及基板的顶表面之上形成接合层。所述方法包括经由接合层将半导体晶圆接合至基板。

公开(公告)号：CN112530904A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202011261322.3

申请日：2015-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  傅美惠 ,  林圣轩

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及接触结构及其形成方法。一种结构包括位于衬底上方的介电层、粘合层、硅化物、阻挡层和导电材料。介电层具有至衬底的表面的开口。粘合层沿着开口的侧壁。硅化物位于衬底的表面上。阻挡层位于粘合层和硅化物上，并且阻挡层直接邻接硅化物。导电材料位于开口中的阻挡层上。

公开(公告)号：CN110690642A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910211329.5

申请日：2019-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 余振华 ,  苏安治 ,  袁嘉男 ,  沈诗国 ,  叶德强 ,  林瑀宏 ,  叶名世

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/028 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46

Abstract: 在实施例中，器件包括第一反射结构，包括半导体材料的第一掺杂层，交替的第一掺杂层中掺杂有p型掺杂剂；第二反射结构，包括半导体材料的第二掺杂层，交替的第二掺杂层中掺杂有n型掺杂剂；发射半导体区域，设置在第一反射结构和第二反射结构之间；在第二反射结构上的接触焊盘，接触焊盘的功函数小于第二反射结构的功函数；在接触焊盘上的接合层，接合层的功函数大于第二反射结构的功函数；以及在接合层上的导电连接器。本发明实施例涉及半导体器件和方法。

公开(公告)号：CN106711122B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201610551196.2

申请日：2016-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  黄俊贤 ,  陈奕铮

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明揭露一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含导电结构、介电层，及多个导电特征。介电层位于导电结构上，并具有多个通孔(through hole)，且至少一通孔曝露导电结构。导电特征分别位于通孔中。至少一导电特征具有一底表面及至少一侧壁。导电特征的底表面及侧壁交会以形成一内角。两个相邻的导电特征的内角之间的差异约小于3度或实质上约等于3度。

公开(公告)号：CN105006467B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410316858.9

申请日：2014-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包含位于衬底上方的硅化物层、位于由衬底上方的介电层形成的开口中的金属插塞、位于金属插塞和介电层之间及金属插塞和硅化物层之间的第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的非晶层。本发明还公开了金属接触结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN106449639A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610592356.8

申请日：2016-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕铮 ,  黄宏麟 ,  黄俊贤 ,  林瑀宏

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/82

Abstract: 提供了一种包括电阻器层的半导体器件结构。该半导体器件结构包括形成在衬底的第一区上方的栅极结构以及邻近栅极结构形成的层间介电(ILD)层。半导体器件结构还包括电阻器层，其形成在衬底的第二区上方的ILD层上方，并且电阻器层的主结构是非晶的。本发明还提供了用于形成半导体器件结构的方法。

公开(公告)号：CN105097471A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510200628.0

申请日：2015-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L21/76855 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3215 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L24/02 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66568 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0542 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/1304 ,  H01L21/28506 ,  H01L21/28512 ,  H01L29/456

Abstract: 本文公开了一种形成具有掺杂的金属氧化物中间层的金属与半导体接触件的方法。在半导体衬底的顶面上形成绝缘层，目标区位于半导体衬底的顶面。穿过绝缘层蚀刻开口，开口暴露目标区的部分的顶面。掺杂的金属氧化物中间层在开口中形成并且接触目标区的顶面。用金属插塞填充开口的剩余部分，掺杂的金属氧化物中间层设置在金属插塞和衬底之间。掺杂的金属氧化物中间层由氧化锡、氧化钛或氧化锌中的一种形成并且掺杂有氟。本发明涉及具有掺杂的中间层的金属-半导体接触件结构。