公开(公告)号：CN104946149A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510145546.0

申请日：2015-03-30

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  三隅贞仁 ,  村田修平 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/08 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 带有切割片的芯片接合膜、半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明提供在低温状态下运送时能够抑制产生裂纹、伤痕、并且能够抑制切割片与芯片接合膜剥离的带有切割片的芯片接合膜。一种带有切割片的芯片接合膜，其为在切割片上设置有芯片接合膜的带有切割片的芯片接合膜，其特征在于，所述芯片接合膜在0℃下的损失弹性模量为20MPa以上且500MPa以下。

公开(公告)号：CN101617390B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880005676.2

申请日：2008-01-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  三隅贞仁 ,  松村健

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J133/00 ,  C09J161/00 ,  C09J163/00 ,  H01L21/52 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L23/3121 ,  C08G18/4045 ,  C08G18/6254 ,  C08L33/08 ,  C09J175/04 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供切割工序时的胶粘性及拾取工序时的剥离性均控制良好的切割/芯片接合薄膜及其制造方法。本发明的切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有芯片接合层，其特征在于，所述芯片接合层中粘合剂层侧的算术平均粗糙度X(μm)为0.015μm～1μm，所述粘合剂层中芯片接合层侧的算术平均粗糙度Y(μm)为0.03μm～1μm，并且所述X与Y之差的绝对值为0.015以上。

公开(公告)号：CN101901775A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010188733.4

申请日：2010-05-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 三隅贞仁 ,  高本尚英

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/78 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  Y10T428/2848 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括：包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜具有包括晶片粘合层和激光标识层的多层结构，所述晶片粘合层由包含热固性树脂组分和作为可选组分的热塑性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量小于30重量％；所述激光标识层由包含热塑性树脂组分和作为可选组分的热固性树脂组分的树脂组合物形成，所述热塑性树脂组分的量为相对于树脂组分总量30重量％以上。

公开(公告)号：CN100449732C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200510054589.4

申请日：2005-03-14

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松村健 ,  水谷昌纪 ,  三隅贞仁

IPC: H01L21/78 ,  C09J5/00 ,  C09J7/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/20 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/61 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  H01L24/27 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种切割模片粘接膜，在支撑基材(1)上具有粘合剂层(2)、在该粘合层上具有模片胶粘用胶粘剂层(3)，在23℃、剥离角度15°、剥离点移动速度2.5mm/sec的条件下对所述粘合剂层的相对于模片胶粘用胶粘剂层的粘合力进行测定时，对应于模片胶粘用胶粘剂层上的工件粘贴部分(3a)的部分(2a)与对应于其之外的部分(3b)的一部分或全部的部分(2b)上不同，满足粘合剂层的粘合力＜粘合剂层的粘合力，并且粘合剂层的相对于模片胶粘用胶粘剂层的粘合力为2.3N/25mm以下。根据本发明可以获得在对薄型工件进行切割时的保持力与将通过切割获得的芯片状工件与其模片胶粘用胶粘剂层一体剥离时的剥离性之间的平衡性。

公开(公告)号：CN105623533B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201510812627.1

申请日：2015-11-20

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  木村雄大 ,  宍户雄一郎 ,  三隅贞仁

IPC: C09J4/00 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的目的在于提供能够降低半导体芯片的振动且能够减少芯片破裂、焊线与焊盘的接合不良的粘接片等。本发明涉及一种粘接片，其130℃的拉伸储存弹性模量为1MPa～20MPa，130℃的tanδ为0.1～0.3。

公开(公告)号：CN104212375B

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201410244914.2

申请日：2014-06-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  三隅贞仁 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎 ,  菅生悠树

IPC: C09J7/20 ,  C09J133/00 ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  H01L21/68

Abstract: 本发明提供可靠性高且凹凸填埋性优异的粘接片、及切割/芯片接合薄膜。本发明涉及一种粘接片，其包含球状氧化铝填料和树脂成分，所述树脂成分包含高分子量成分(A)和低分子量成分(B)，相对于100重量份粘接片，前述球状氧化铝填料的含量为78～88重量份，前述球状氧化铝填料的平均粒径为2～9μm，比表面积为0.8～8.0m2/g，由前述高分子量成分(A)的重量/前述高分子量成分(A)和前述低分子量成分(B)的总重量表示的重量比为0.03～0.25。

公开(公告)号：CN106883775A

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201611020284.6

申请日：2016-11-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  三隅贞仁 ,  高本尚英 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/02

CPC classification number: C09J7/203 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J2201/122 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2467/006

Abstract: 本发明提供可以适宜地将隔离体自粘接片剥离的切割带一体型粘接片。一种切割带一体型粘接片，其具有切割带、层叠在切割带上的粘接片和层叠在粘接片上的隔离体，粘接片的厚度从中心部朝向端部减小。

公开(公告)号：CN106189897A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201610366194.6

申请日：2016-05-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 大西谦司 ,  三隅贞仁 ,  宍户雄一郎 ,  木村雄大

IPC: C09J7/02 ,  C09J163/00 ,  C09J161/06 ,  C09J133/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  C09J7/243 ,  C09J7/255 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J163/00 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明涉及切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明提供可防止覆盖膜的剥离不良、能够防止半导体芯片的静电破坏的切割芯片接合薄膜等。本发明涉及一种切割芯片接合薄膜，其形成为卷状。切割芯片接合薄膜包含覆盖膜和配置在覆盖膜上的切割片一体型粘接薄膜。切割片一体型粘接薄膜包含切割片，所述切割片包含以第1面和与第1面相向的第2面来定义两面的基材层和与第1面接触的粘合剂层。切割片一体型粘接薄膜还包含粘接薄膜，所述粘接薄膜以与粘合剂层接触的第1主面和与第1主面相向的第2主面来定义两面。第2面的表面电阻值为1.0×1011Ω/sq.以下。第2主面的表面电阻值为1.0×1012Ω/sq.以上。

公开(公告)号：CN105623580A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510834272.6

申请日：2015-11-25

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  三隅贞仁 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J163/00 ,  C09J133/00 ,  C09J161/06 ,  C09J11/04 ,  C09J7/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明的目的在于，提供可以在短时间内固化、可以减少铜线与焊盘的接合不良、半导体芯片的破裂的粘接片、带有切割片的粘接片。本发明提供一种粘接片，其在利用以3分钟从25℃升温到175℃、然后将175℃维持3小时的条件下的DSC测定描绘的DSC曲线中，从到达175℃到反应峰消失的时间少于30分钟，在10Hz下对通过在175℃加热30分钟使之固化而得的固化物的粘弹性进行测定，由此得到的200℃的拉伸储能弹性模量为100MPa以上。本发明提供带有切割片的粘接片，其具备基材及配置于基材上的粘合剂层的切割片、和配置于粘合剂层上的粘接片。

公开(公告)号：CN104946152A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510148818.2

申请日：2015-03-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 ,  三隅贞仁 ,  村田修平 ,  大西谦司 ,  宍户雄一郎

IPC: C09J7/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供利用低温下的扩展也能引发半导体晶圆、芯片接合薄膜的断裂的切割薄膜、切割/芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法。一种切割薄膜，其具备基材和设置于该基材上的粘合剂层，由MD方向和TD方向各自在0℃下负荷拉伸应力时的应力-应变曲线求出的MD方向的储能模量设为E’MD1、TD方向的储能模量设为E’TD1时，E’MD1/E’TD1为0.75以上且1.25以下。