公开(公告)号：CN104347406B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201410369333.1

申请日：2014-07-30

申请人： 株式会社村田制作所

发明人： 佐佐木健次

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L23/4824 ,  H01L21/30612 ,  H01L23/535 ,  H01L23/66 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/16 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0823 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/00

摘要： 即使在集电极层的短边方向沿着结晶方位[011]的情况下，也能抑制基极布线的断线。本发明的双极晶体管(10)包括：俯视时具有长边方向及短边方向的集电极层(16)，该集电极层(16)的短边方向沿着结晶方位[011]，且与短边方向正交的截面形状为倒台面型，与长边方向正交的截面形状为正台面型；形成于集电极层(16)上的基极层(20)；形成于基极层(20)上的基极电极(22)；以及与基极电极(22)相连接，俯视时从集电极层(16)的短边方向的端部向集电极层(16)的外部引出的基极布线(22B)。

公开(公告)号：CN105374861A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510332701.X

申请日：2015-06-16

申请人： 全新光电科技股份有限公司

发明人： 金宇中 ,  黄朝兴 ,  萧鸿齐

IPC分类号： H01L29/737 ,  H01L29/08

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/155 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737

摘要： 本发明提供一种异质接面双极性晶体管，包括：一GaAs基板；一次集极层，堆栈在基板上；一阻隔层结构，直接或间接地堆栈在次集极层上，且由以至少包含IV族原子为掺杂杂质的N型III-V族半导体形成，其中，阻隔层结构中的IV族原子掺杂总量为一阻隔层的厚度T或多个阻隔层的厚度T的总和乘以该(多个)阻隔层的IV族原子掺杂浓度D大于或等于1×1012cm-2(亦即，ΣT×D≧1×1012cm-2)；一集极层，堆栈在阻隔层结构上；一基极层，堆栈在集极层上；一射极层，堆栈在基极层上；一射极盖层，堆栈在射极层上；以及一欧姆接触层，堆栈在射极盖层上。

公开(公告)号：CN104282739A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410331664.6

申请日：2014-07-11

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： J·康拉斯 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7322 ,  H01L29/737 ,  H01L29/73 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/7308

摘要： 本文涉及一种双极晶体管及其制造方法。双极晶体管包括半导体结构，该半导体结构包括发射极区、基极区和集电极区。发射极区电连接至双极晶体管的发射极接触。另外，发射极区具有第一导电类型。基极区电连接至双极晶体管的基极接触。此外，基极区至少主要地具有第二导电类型。集电极区电连接至双极晶体管的集电极接触并且至少主要地具有第一导电类型。另外，集电极区包括具有第二导电类型的多个封闭的子区，或者基极区包括具有第一导电类型的多个封闭的子区。

公开(公告)号：CN104124155A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410309065.4

申请日：2014-07-02

申请人： 中国电子科技集团公司第五十五研究所

发明人： 牛斌 ,  王元 ,  程伟 ,  赵岩 ,  吴立枢 ,  陆海燕

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/41708 ,  H01L29/66318

摘要： 本发明是一种磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极的制作方法：蒸发剥离方法制作发射极金属条形；淀积SiN薄膜；刻蚀形成SiN侧墙；湿法腐蚀发射区材料；自对准制作基极接触金属，完成磷化铟异质结晶体管侧墙保护发射极制作；优点：SiN侧墙为发射极金属提供化学保护，避免在湿法腐蚀发射区材料时腐蚀液对发射极金属造成腐蚀；为发射极提供机械固定，避免条形脱落；为自对准工艺提供发射极与基极之间的电隔离，从而提高磷化铟基异质结晶体管发射极成品率与可靠性。

公开(公告)号：CN103545239A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310421391.X

申请日：2013-09-17

申请人： 新磊半导体科技(苏州)有限公司

发明人： 冯巍 ,  郭帅 ,  张杰 ,  蒋建 ,  杜全刚 ,  陈依新

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/331 ,  H01L33/00 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L21/7813 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318 ,  H01L31/1848 ,  H01L31/1896 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/0079

摘要： 一种基于薄膜型的外延片剥离工艺属于半导体器件制造领域。先在衬底（600）上依次外延生长缓冲层（500）、牺牲层（400）和待剥离外延层（300），再利用溅射或者电子束蒸发制备金属种子层（200），然后电镀制备具有内部应力的金属支撑层（100）。在腐蚀牺牲层（400）进行ELO工艺过程中，金属支撑层由于内部应力作用，带动外延层一起向背离衬底的方向卷曲，从而形成有效的腐蚀通道，增大剥离速率，实现对2寸以及更大尺寸外延片的剥离。在外延层完全脱离衬底后，由于金属支撑层的支撑作用，可以防止外延薄膜破裂，同时方便对其进行移动和后续工艺操作。本发明可以同时对多个外延片进行剥离，外延剥离后留下的衬底在进行表面清洁处理后可重复使用，减少污染。

公开(公告)号：CN101257044B

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200810081207.0

申请日：2008-02-19

申请人： 国际商业机器公司

发明人： B·T·弗格利 ,  D·V·霍拉克 ,  古川俊治

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L21/331

CPC分类号： H01L29/732 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66272 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： 本发明涉及一种使用选择性介质淀积的双极晶体管结构及其相关的制造方法。使用在半导体衬底上的屏蔽介质层上的离子注入掩模将外部基极区域注入到半导体衬底，在所述注入之后，选择性地淀积垂直间隔物层。所述离子注入掩模的一部分嵌入到所述垂直间隔物层内的孔的侧壁内并对准所述孔的侧壁。在制造所述双极晶体管时，所述垂直间隔物层的所述选择性淀积减小了热预算并降低了工艺复杂度。

公开(公告)号：CN101432892B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200580031621.5

申请日：2005-09-20

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 皮特·J.·盖斯 ,  皮特·B.·格雷 ,  阿尔文·J.·约瑟夫 ,  刘奇志

IPC分类号： H01L31/109

CPC分类号： H01L29/0821 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318

摘要： 本发明提供一种用于高速BiCMOS应用的异质双极型晶体管(HBT)，其中通过在器件的子集电极上浅槽隔离区下面提供隐埋耐熔金属硅化物层来降低集电极阻抗Rc。具体地，本发明的HBT包括：包含至少一个子集电极(13)的衬底(12)；位于子集电极上的隐埋耐熔金属硅化物层(28)；以及位于隐埋耐熔金属硅化物层的表面上的浅槽隔离区(22)。本发明也提供制造这种HBT的方法。该方法包括在器件的子集电极上浅槽隔离区下面形成隐埋耐熔金属硅化物。

公开(公告)号：CN101562205A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910141087.3

申请日：2003-07-08

申请人： 库纳诺公司

发明人： 拉尔斯·伊瓦尔·塞缪尔森 ,  约纳斯·比约恩·奥尔松

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/102 ,  H01L27/144

CPC分类号： H01L31/035227 ,  C30B11/00 ,  C30B11/12 ,  C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/882 ,  H01L31/048 ,  H01L31/068 ,  H01L33/04 ,  Y02E10/547 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763

摘要： 本发明涉及一种光电装置，其包括：设有接点区的衬底；至少一个从所述接点区延伸的纳米晶须，所述纳米晶须形成至少部分的用于光吸收的p－n结；在每个晶须的自由端上延伸并与其电接触的透明电极。本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的太阳能电池，其中所述光电装置适于将阳光转变为电力。此外，本发明还提出一种包括如上所述的光电装置的光电探测器，其中所述光电装置适于探测辐射。

公开(公告)号：CN101432892A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200580031621.5

申请日：2005-09-20

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 皮特·J.·盖斯 ,  皮特·B.·格雷 ,  阿尔文·J.·约瑟夫 ,  刘奇志

IPC分类号： H01L31/109

CPC分类号： H01L29/0821 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66318

摘要： 本发明提供一种用于高速BiCMOS应用的异质双极型晶体管(HBT)，其中通过在器件的子集电极上浅槽隔离区下面提供隐埋耐熔金属硅化物层来降低集电极阻抗Rc。具体地，本发明的HBT包括：包含至少一个子集电极(13)的衬底(12)；位于子集电极上的隐埋耐熔金属硅化物层(28)；以及位于隐埋耐熔金属硅化物层的表面上的浅槽隔离区(22)。本发明也提供制造这种HBT的方法。该方法包括在器件的子集电极上浅槽隔离区下面形成隐埋耐熔金属硅化物。

公开(公告)号：CN100485955C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200610074303.3

申请日：2006-04-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 菅原秀人 ,  本乡智惠

IPC分类号： H01L29/207 ,  H01L29/737 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/34

CPC分类号： H01L29/7371 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/207 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/025 ,  H01L33/305 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341

摘要： 本发明提供了一种氮化镓类半导体元件，其特征在于，具备掺杂了镁的第一氮化镓类半导体膜、和在所述第一氮化镓类半导体膜之上设置的、掺杂了镁的第二氮化镓类半导体膜；在所述第一氮化镓类半导体膜中，镁浓度分布和氢浓度分布实质上是平坦的，而且镁浓度被保持为比氢浓度高；在所述第二氮化镓类半导体膜中，设置有朝着表面方向镁浓度减少而氢浓度增大的区域，在所述区域中的镁浓度被保持为比氢浓度高，同时还比所述第一氮化镓类半导体膜中的镁浓度高。