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公开(公告)号：CN101055917B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200710001604.8
申请日：2007-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/16 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/32
Abstract: 多位存储单元，存储对应于高阻抗状态和低于高阻抗状态的多个其他阻抗状态的信息。通过将相应电流施加到存储元件，多位存储单元内的存储元件的阻抗从高阻抗状态切换到其他多个阻抗状态之一。
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公开(公告)号：CN102683580A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210072710.6
申请日：2012-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01F10/123 , H01F10/3254 , H01F10/3286 , H01F41/303 , H01L27/224 , H01L27/226 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁隧道结器件，该磁隧道结器件包括：固定磁结构；自由磁结构；自由磁结构；以及在固定磁结构和自由磁结构之间的隧道势垒，固定磁结构和自由磁结构的至少之一包括垂直磁化保存层、在垂直磁化保存层与隧道势垒之间的磁性层、以及在垂直磁化保存层与磁性层之间的垂直磁化诱导层。
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公开(公告)号：CN101256831A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810004459.3
申请日：2008-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/16
CPC classification number: G11C11/15 , G11C11/005 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/5607 , G11C11/5678 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/02 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/14 , H01L45/146 , H01L45/147 , Y10S977/754 , Y10S977/935
Abstract: 一种集成电路存储器装置可以包括集成电路基底，以及在所述集成电路基底上的多位存储器单元。所述多位存储器单元可以被配置为：通过改变所述多位存储器单元的第一特性来储存第一数据位，以及通过改变所述多位存储器单元的第二特性来储存第二数据位。此外，所述第一和第二特性可以不同。还描述了相关方法。
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公开(公告)号：CN100359666C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200510092748.X
申请日：2005-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/82 , H01L45/00
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 提供了由多个导电层图形形成诸如通路栓塞的导电栓塞结构的方法和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括诸如相变半导体存储器件的半导体存储器件。典型方法是，通过在半导体衬底上形成导电层，形成微细通路结构。在导电层上形成模制绝缘层，并通过该绝缘层形成通孔，以露出导电层的某个区域。形成第一通路填充层，然后，部分除去它，以形成部分通路栓塞。然后，如果需要，重复执行形成和除去相变材料层的过程，以形成基本填充该通孔的多层栓塞结构，与传统方法相比，该多层结构通常表现减少的缺陷和损伤。
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公开(公告)号：CN1591673A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410056683.9
申请日：2004-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: B82Y25/00 , G11C11/15 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F10/3295 , H01L43/08
Abstract: 本发明公开了一种磁隧道结及包括它的存储器件。该磁隧道结器件包括磁可编程自由磁性层。该自由磁性层包含至少两层铁磁层和夹在该至少两层铁磁层之间的至少一中间层的叠层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118613052A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410230756.9
申请日：2024-02-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板，所述基板具有限定有源区的元件分隔膜；和栅极结构，所述栅极结构位于所述基板上的沟槽中并且与所述有源区相交，其中，每个所述栅极结构包括：栅极绝缘层，所述栅极绝缘层沿着所述沟槽中的相应沟槽的侧壁和底表面延伸；栅电极层，所述栅电极层位于所述栅极绝缘层上，并且包括第一金属层和位于所述第一金属层上的第二金属层；衬膜，所述衬膜位于所述栅极绝缘层和所述第一金属层之间，并且包括与所述第一金属层和所述第二金属层相同的金属材料；和覆盖膜，所述覆盖膜与所述第二金属层接触。
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公开(公告)号：CN114171519A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202110932691.9
申请日：2021-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括元件隔离层，所述元件隔离层限定有源区；多条字线，所述多条字线在第一方向上横贯所述有源区；和多个位线结构，所述多个位线结构位于所述衬底上并且连接到所述有源区，所述多个位线结构在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述多个位线结构中的每一个位线结构包括：钌线路布线，所述钌线路布线包括底表面和与所述底表面相对的顶表面；下石墨烯层，所述下石墨烯层与所述钌线路布线的所述底表面接触并且沿着所述钌线路布线的所述底表面延伸；以及布线覆盖层，所述布线覆盖层沿着所述钌线路布线的所述顶表面延伸。
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公开(公告)号：CN113937088A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110690120.9
申请日：2021-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/532 , H01L23/528
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一级布线，设置在第一金属级处，并且包括第一线布线、第一绝缘盖膜和第一侧壁石墨烯膜，第一绝缘盖膜沿着第一线布线的上表面延伸，并且第一侧壁石墨烯膜沿着第一线布线的侧壁延伸；层间绝缘膜，覆盖第一线布线的侧壁和第一绝缘盖膜的侧壁；以及第二级布线，设置在比第一金属级高的第二金属级处，并且包括连接到第一线布线的第二过孔和连接到第二过孔的第二线布线，其中，第二过孔穿透第一绝缘盖膜。
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公开(公告)号：CN104934529B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510119636.2
申请日：2015-03-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明描述了一种用于提供可在磁性器件中使用的磁性结的方法以及该磁性结。该方法包括提供自由层、被钉扎层以及在自由层和被钉扎层之间的非磁性间隔层。自由层在写电流经过磁性结时可在多个稳定的磁态之间切换。提供自由层的步骤中的至少一个包括第一多个步骤，提供被钉扎层的步骤包括第二多个步骤。第一和第二多个步骤包括沉积层的一部分、沉积牺牲层、退火磁性结的在牺牲层下面的部分以及沉积该层的剩余部分。该层可以是自由层、被钉扎层或两者。
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公开(公告)号：CN102468425B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110349182.X
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/02 , G11C11/16 , G11C11/1675 , H01L27/224 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了一种磁存储器件。该磁存储器件包括磁图案、参考图案、插设在磁图案与参考图案之间的隧道势垒图案以及设置在磁图案内部的至少一个磁段。该磁段为磁化方向至少具有在垂直于磁图案的磁化方向的平面内的分量的磁材料。
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