公开(公告)号：CN107039407A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610894379.4

申请日：2016-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李仁荣 ,  郑显秀 ,  赵泰济

IPC: H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/18162 ,  H01L24/02 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2225/06527

Abstract: 公开了堆叠半导体封装件及其制造方法。提供第一半导体芯片和包围第一半导体芯片侧部的第一绝缘层；提供第二半导体芯片和包围第二半导体芯片侧部的第二绝缘层；在第一半导体芯片和第一绝缘层下方提供第三绝缘层，使得第一半导体芯片在第三绝缘层与第二半导体芯片之间，第三绝缘层形成封装衬底；在第三绝缘层上提供多个外部连接端子，使得第三绝缘层具有面对第一半导体芯片的第一表面和面对外部连接端子的第二表面；提供位于第三绝缘层的第一表面上并且沿着第三绝缘层的第一表面水平延伸的第一再分配线，其接触第一半导体芯片的第一导电焊盘；在第二半导体芯片的表面提供连接至第二导电焊盘的第二再分配线，其穿过第一绝缘层以接触第一再分配线。

公开(公告)号：CN107017295A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610903349.5

申请日：2016-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李正允 ,  梁光容 ,  慎居明 ,  郑显秀 ,  李庸硕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上的隔离图案，所述隔离图案具有在衬底上的下部绝缘图案，以及覆盖所述下部绝缘图案的侧表面的间隔物；穿过所述隔离图案以接触衬底的垂直结构，所述垂直结构具有在衬底上的第一半导体层，第一半导体层的下端在比所述隔离图案的下表面更低的高度，在第一半导体层上的第二半导体层，以及在第二半导体层上的第三半导体层；以及与垂直结构交叉且在所述隔离图案上方延伸的栅电极。

公开(公告)号：CN103258787B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310052685.X

申请日：2013-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镐珍 ,  李圭夏 ,  崔吉铉 ,  崔溶洵 ,  姜泌圭 ,  朴炳律 ,  郑显秀

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/768 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体装置的方法。在一个实施例中，所述方法包括在基层中形成导电孔结构。所述基层具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。所述方法还包括：去除所述基层的第二表面，以暴露导电孔结构，从而导电孔结构从第二表面突出；在第二表面上方形成第一下绝缘层，使得导电孔结构的端部表面保持为被第一下绝缘层暴露。

公开(公告)号：CN103426847A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310175220.3

申请日：2013-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄善宽 ,  朴炳律 ,  郑显秀 ,  千镇豪 ,  崔吉铉

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L23/49827 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L2924/0002 ,  H05K2201/09563 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括在衬底的表面上的绝缘层、垂直通过衬底和绝缘层且暴露于绝缘层上的通孔结构、以及在暴露的通孔结构的表面上的通孔焊盘。通孔焊盘包括通孔焊盘本体、在通孔焊盘本体下面且突出到绝缘层中并围绕通孔结构的通孔焊盘嵌件。通孔焊盘本体和通孔焊盘嵌件包括直接在绝缘层上的通孔焊盘阻挡层和在通孔焊盘阻挡层上的通孔焊盘金属层。

公开(公告)号：CN1996565B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200710001527.6

申请日：2007-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  李镐珍 ,  张东铉 ,  李东镐

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/274 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087

Abstract: 本发明提供了一种具有应力消除分隔件的半导体器件封装和一种制造该半导体器件封装的方法，在该半导体器件封装中，从芯片的本体延伸的金属互连指状物提供芯片互连。金属指状物通过应力消除分隔件与芯片的本体隔离。在一个示例中，这种隔离采取空气间隙的形式。在另一示例中，这种隔离采取弹性体材料的形式。在任一种情况下，避免了金属互连指状物和芯片的本体之间的热膨胀系数的不匹配，从而减轻了与裂纹和剥离相关的问题，并使得器件产量和器件可靠性提高。

公开(公告)号：CN119230518A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202410100084.X

申请日：2024-01-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  金光洙 ,  李在湜

IPC: H01L23/522

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括：第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有彼此相反的第一表面和第二表面；电路层，所述电路层位于所述第一表面上；第一互连层，所述第一互连层位于所述电路层上；第二互连层，所述第二互连层位于所述第二表面上；穿透通路，所述穿透通路从所述第二表面延伸到所述第一半导体衬底中；以及电容器，所述电容器从所述第二表面朝向所述第一表面延伸。所述电容器在与所述第一半导体衬底的所述第一表面平行的第一方向上与所述穿透通路间隔开。

公开(公告)号：CN117425346A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310542290.1

申请日：2023-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  金泳龙 ,  黄仁孝

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 一种半导体器件，包括：外围电路结构，包括衬底上的外围电路和电连接到外围电路的第一接合焊盘；以及单元阵列结构，包括半导体层上的存储单元、以及电连接到存储单元并接合到第一接合焊盘的第二接合焊盘。单元阵列结构还包括：堆叠结构，包括绝缘层和电极；半导体层的表面上的外部连接焊盘；虚设图案，相对于衬底位于与半导体层相同的水平处；以及在半导体层和虚设图案上的光敏绝缘层。光敏绝缘层的与外部连接焊盘竖直重叠的部分的第一厚度大于光敏绝缘层的与虚设图案竖直重叠的另一部分的第二厚度。

公开(公告)号：CN117334672A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310359231.0

申请日：2023-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黃仁孝 ,  金泳龙 ,  郑显秀

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体器件可以包括：第一衬底，包括器件区和边缘区；第一绝缘结构，在第一衬底上；第一金属焊盘和第一虚设焊盘，在第一绝缘结构的最上端处；第二绝缘结构，在第一绝缘结构上；第二金属焊盘和第二虚设焊盘，在第二绝缘结构的最下端处；第一互连结构，在第一绝缘结构中，电连接到第一金属焊盘，并且与第一虚设焊盘电隔离；以及第二互连结构，在第二绝缘结构中，电连接到第二金属焊盘，并且与第二虚设焊盘电隔离。第一金属焊盘中的一些可以在器件区上与第二金属焊盘中的相应第二金属焊盘接触，并且第一虚设焊盘中的一些可以在边缘区上与第二虚设焊盘中的相应第二虚设焊盘接触。

公开(公告)号：CN114725046A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202111134880.8

申请日：2021-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑显秀 ,  浏太元 ,  郑命杞 ,  安镇灿

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/64 ,  H01L23/31 ,  H01L49/02

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括半导体芯片和再分布层。半导体芯片包括半导体衬底、钝化层、以及从钝化层暴露出的第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。再分布层包括光敏介电层以及光敏介电层中的第一再分布图案至第三再分布图案和高k介电图案。第一再分布图案、第二再分布图案和第三再分布图案分别连接到第一电源焊盘、第二电源焊盘和信号焊盘。高k介电图案在第一再分布图案和第二再分布图案之间。光敏介电层包括第一介电材料。高k介电图案包括介电常数大于第一介电材料的介电常数的第二介电材料。高k介电图案与钝化层接触。钝化层包括与第一介电材料和第二介电材料不同的介电材料。

公开(公告)号：CN112185936A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN202011039486.1

申请日：2016-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明洵 ,  郑显秀 ,  李灿浩

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/498 ,  G11C29/12

Abstract: 公开了一种半导体芯片，所述半导体芯片包括：多个芯片焊盘，位于芯片主体的外围电路区域中；再分布布线测试焊盘，位于芯片主体的外围电路区域中，并且在平面图中与所述多个芯片焊盘分隔开；再分布布线连接焊盘，位于芯片主体的核心区域中，并且在平面图中与所述多个芯片焊盘和再分布布线测试焊盘分隔开；再分布布线层，电连接到所述多个芯片焊盘，其中，再分布布线测试焊盘和再分布布线连接焊盘直接连接到同一再分布布线层；存储器单元阵列，在芯片主体的外围电路区域中不与再分布布线测试焊盘的下部竖直地叠置；以及键合引线，将再分布布线连接焊盘电连接到外部装置。