公开(公告)号：CN105023908A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201410503373.0

申请日：2014-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华 ,  许嘉麟

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76847 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76855 ,  H01L23/481 ,  H01L23/485 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5384 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了示例性接触插塞，其包括双层结构和位于双层结构的侧壁和底面上的扩散阻挡层。该双层结构包括导电核芯和位于导电核芯的侧壁和底面上的导电衬垫。在示例性接触插塞中，导电衬垫包括钴或钌。本发明还提供了复合接触插塞结构的制造方法。

公开(公告)号：CN105006467A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201410316858.9

申请日：2014-07-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林瑀宏 ,  林圣轩 ,  张志维 ,  周友华

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76852 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76889 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包含位于衬底上方的硅化物层、位于由衬底上方的介电层形成的开口中的金属插塞、位于金属插塞和介电层之间及金属插塞和硅化物层之间的第一金属层、位于第一金属层上方的第二金属层以及位于第一金属层和第二金属层之间的非晶层。本发明还公开了金属接触结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN103147071B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210271435.0

申请日：2012-07-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭铭修 ,  李志聪 ,  周友华 ,  蔡明志 ,  陈嘉和 ,  林进祥

IPC: C23C16/52 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/45565

Abstract: 本公开提供了控制化学气相沉积(CVD)膜的轮廓均匀性的方法和系统。一种方法包括利用第一喷头通过CVD在衬底上沉积第一层，该第一层具有第一轮廓，以及利用第二喷头通过CVD在第一层上方沉积第二层，该第二层具有第二轮廓。组合的第一层和第二层具有第三轮廓，并且第一轮廓、第二轮廓，以及第三轮廓彼此不同。

公开(公告)号：CN103846770A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310182347.8

申请日：2013-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林士琦 ,  吴坤泰 ,  周友华 ,  李志聪 ,  洪敏皓 ,  吴志仁 ,  黄振铭 ,  黃循康 ,  詹金祥 ,  杨智渊

IPC: B24B29/02

CPC classification number: B24B37/20 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67703 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  B24B37/10 ,  H01L21/3212

Abstract: 一种用于抛光半导体晶圆的抛光系统包括用于保持半导体晶圆的晶圆支撑件以及用于抛光半导体晶圆的区域的第一抛光垫。半导体晶圆具有第一直径，而第一抛光垫具有短于第一直径的第二直径。本发明还提供了抛光方法。

公开(公告)号：CN102386157B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010602782.8

申请日：2010-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖怡仁 ,  周友华 ,  黄宏麟 ,  杨怀德

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/768 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03823 ,  H01L2224/03825 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，本发明提供的一种采用裸片边缘接点的半导体元件。集成电路裸片具有沟槽的后保护层，而沟槽填有导电材料且自接点延伸至裸片边缘以形成裸片边缘接点。沿着裸片边缘，可视情况形成穿透基板通孔。这将使沟槽中的导电材料电性耦合至穿透基板通孔，以形成较大的裸片边缘接点。上述集成电路裸片可置于多重裸片封装中，且多重裸片封装的墙状物的主要表面垂直于集成电路裸片的主要表面。裸片边缘接点可电性连接至多重裸片封装的墙状物上的接点。多重裸片封装可含有边缘接点以连接至另一基板如印刷电路板、封装基板、高密度内连线、或类似物。本发明提供3D？IC封装更方便的测试接点与对抗热应力造成的集成电路龟裂。

公开(公告)号：CN108735623B

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201710585519.4

申请日：2017-07-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  洪敏皓 ,  陈冠中

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 一种用以处理晶圆的装置，包含：处理腔室、晶圆支撑、发热源与可动装置。晶圆支撑是位于处理腔室内。发热源是位于处理腔室内。可动装置接触发热源，其中相对于晶圆支撑，可动装置为可动的。

公开(公告)号：CN113314401A

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202110053051.0

申请日：2021-01-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  庄国胜

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种形成半导体结构的方法。方法包括沉积硬遮罩层于一基板上方。方法还包括沉积银前驱物层于硬遮罩层上方。方法还包括曝露银前驱物层的多个部分至辐射，辐射造成银前驱物层的照射部分中的银离子减少。方法还包括移除银前驱物层的多个非照射部分，产生多个银种结构。

公开(公告)号：CN110230030A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910530420.3

申请日：2012-03-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高宗恩 ,  蔡明志 ,  周友华 ,  江振家 ,  李志聪 ,  郭铭修

IPC: C23C14/34

Abstract: 提供用于可单独供电的多个靶体组件的薄膜沉积系统和方法。每个靶体组件都包括靶体以及相关的磁体或磁体组。本发明提供了通过对靶体布置单独供电的多个电源产生的可调膜轮廓。可以对提供给靶体布置的功率的相对量进行定制以提供期望的膜，并且可以及时改变提供给靶体布置的功率的相对量以产生具有不同特性的膜。本发明提供了具有多个靶体和磁体的沉积室的PVD装置和方法。

公开(公告)号：CN108933096A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201711206610.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  庄国胜

IPC: H01L21/677

Abstract: 基板搬运装置包括通过边缘界定的基板接收区。基板接收区包括平坦表面及多个接触结构。多个接触结构的至少一个接触结构位于边缘处及多个接触结构的至少一个接触结构位于平坦表面上。基板接收区及平坦表面由第一材料组成。多个接触结构的每个接触结构包括不同于第一材料的第二材料，第二材料具有与基板材料的硬度相对应的硬度。

公开(公告)号：CN108803234A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710566316.0

申请日：2017-07-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周友华 ,  庄国胜

IPC: G03F1/58

Abstract: 一种光罩的制造，方法包含沉积第一吸收层在基材上、利用光阻图案化第一吸收层，以及沿着第一吸收层的表面，沉积共形第二吸收层。