公开(公告)号：CN102270676A

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201110077712.X

申请日：2005-10-20

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 中野要治 ,  山下信树

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/077 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明公开了一种串联型薄膜太阳能电池，所述串联型薄膜太阳能电池包括：第一导电层，形成于透明衬底上，阳光被输入到所述透明衬底；顶太阳能电池层，形成于所述第一导电层上；和底太阳能电池层，层叠在所述顶太阳能电池层上，与所述顶太阳能电池层串联连接。基于所述底太阳能电池层的光生电流决定所述薄膜太阳能电池层的总光生电流。

公开(公告)号：CN102217081A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN200980143816.7

申请日：2009-09-03

申请人： 弗莱克赛尔有限公司

发明人： J·W·拉尔森 ,  H-E·基尔

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/035281 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/077 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及一种光电转换器形式的转换器，依次包括：基板(1，5)、后侧电极(2，A，C)、光电活性(光电)层(3)和前侧电极(4，B，C)，其中所述基板(1，5)由柔性的、弹性的薄片或箔构成，所述基板的前侧具有形成在该前侧中的表现为凸起和凹下的表面部分的三维表面图案，所述光电活性(光电)层(3)镀积在所述三维表面图案上，所述前侧电极(4，B，C)和后侧电极(2，A，C)由导电层构成，所述导电层包括导电材料或具有导电涂层。柔性和弹性是很重要的特性，以便能够将太阳能电池持久地装配在包括向内弯曲(凹面)和向外弯曲(凸面)的表面部分的复杂表面上。

公开(公告)号：CN102132416A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980132750.1

申请日：2009-08-28

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 朝比奈伸一 ,  内田宽人 ,  浅利伸 ,  桥本征典 ,  藤长徹志 ,  小林忠正 ,  若井雅文 ,  今北健一 ,  植喜信 ,  齐藤一也 ,  中村久三

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L31/077 ,  C23C16/24 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 该光电转换装置的制造方法中，在各不相同的减压室内连续形成构成第一光电转换单元(3)的第一p型半导体层(31)、第一i型半导体层(32)和第一n型半导体层(33)以及构成第二光电转换单元(4)的第二p型半导体层(41)，将所述第二p型半导体层(41)暴露在大气气氛中，在相同的减压室内将构成所述第二光电转换单元的第二i型半导体层(42)和第二n型半导体层(43)形成在暴露在所述大气气氛中的所述第二光电转换单元(4)的所述p型半导体层(41)上。

公开(公告)号：CN102119448A

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200980131222.4

申请日：2009-08-10

申请人： TG太阳能株式会社

发明人： 李裕进 ,  张仁九 ,  金东济 ,  张锡弼 ,  李永浩 ,  李炳一 ,  张泽龙

IPC分类号： H01L31/042

CPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/046 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法。本发明涉及的太阳能电池包括：基板(100)；下部电极(111a)，形成在基板(100)上；光电元件部(200a)，包括形成在下部电极(111a)上且层叠有多个多晶半导体层(211a、212a、213a)的多晶光电元件(210)和形成在多晶光电元件(210)上且层叠有多个非晶半导体层(221、222、223)的非晶光电元件(220)；以及上部电极(400)，形成在光电元件部(200a)上。

公开(公告)号：CN102067325A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123940.7

申请日：2009-07-08

申请人： 三菱重工业株式会社

发明人： 鹤我薰典 ,  山口贤刚 ,  吴屋真之 ,  坂井智嗣

IPC分类号： H01L31/04

CPC分类号： H01L27/1423 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供使开路电压增加并且改善n层与背面侧透明电极层或n层与中间接触层的接触性而提高形状因子的光电转换装置及其制造方法。一种在基板(1)上具备层叠p层(41)、i层(42)和n层而成的光电转换层(3)的光电转换装置(100)，在该光电转换装置(100)中，所述n层包括含氮n层(43)和在该含氮n层(43)的与所述基板(1)相反一侧的面上形成的界面处理层(44)，所述含氮n层(43)以1％以上且20％以下的原子浓度含有氮原子，并且结晶化率为0以上且小于3，所述界面处理层(44)为结晶化率1以上且6以下。

公开(公告)号：CN101999174A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN200980112942.6

申请日：2009-06-03

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 清水康男 ,  小形英之 ,  松本浩一 ,  野口恭史 ,  若森让治 ,  冈山智彦 ,  森冈和 ,  杉山哲康 ,  重田贵司 ,  栗原広行

IPC分类号： H01L31/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01L31/1824 ,  C23C16/4587 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/67781 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： 一种薄膜太阳能电池制造装置，具有：成膜室，被排气以减压并通过CVD法在基板上形成膜；放入取出室，与成膜室经由第一开闭部连接，并能够在大气压与减压之间切换；移动轨道，铺设于成膜室和放入取出室；托架，保持基板并沿着移动轨道移动；以及使托架移动的托架移送机构，托架移送机构设置在放入取出室，使托架在成膜室与放入取出室之间移动。

公开(公告)号：CN101540352A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200910119479.X

申请日：2009-03-17

申请人： 韩国铁钢株式会社

发明人： 明承烨

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/077 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03685 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明的微晶硅太阳能电池的制造方法，包括：通过化学气相沉积方法在绝缘基板上形成具有表面凹凸的氧化锌透明电极的阶段；用酸性水溶液对上述透明电极进行蚀刻的阶段；在具有上述表面凹凸的透明电极上层压微晶硅薄膜的阶段。

公开(公告)号：CN101221993A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200810002972.9

申请日：2008-01-11

申请人： 通用电气公司

发明人： B·A·科里瓦尔 ,  L·察卡拉科斯 ,  J·鲍尔奇

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/03529 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/543 ,  Y02E10/544 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/948 ,  Y10S977/954

摘要： 包含衬底(102)和设置在衬底(102)表面上的纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。该器件(100)还包含共形地沉积在纳米壁(101)结构上的至少一层(103)。一层或多层共形层是光生伏打器件的至少一部分。制造光生伏打器件(100)的方法包括在衬底(102)表面上产生纳米壁(101)结构和在纳米壁(101)结构上共形地沉积至少一层(103)，以形成至少一个光活性结。太阳能电池板包含至少一个基于纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。太阳能电池板把这些器件(100)与其周围的大气环境隔开并能产生电力。光电子器件还可加进基于纳米壁(101)结构的光生伏打器件(100)。

公开(公告)号：CN1560927A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN200410061799.1

申请日：1999-02-15

申请人： 佳能株式会社

发明人： 狩谷俊光

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03687 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/077 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种形成在基片上且至少含有氢和硅晶粒的光电导薄膜，用恒定光电流方法测量时，光电导薄膜的Urbach能Eu为60meV或以下。该薄膜作为光电导薄膜，没有光退化，有很好的光电导率，提供的光生伏打器件有很好的温度特性和长期稳定性。

公开(公告)号：CN1095205C

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN95197426.2

申请日：1995-12-01

申请人： 太平太阳有限公司

发明人： M·A·格林 ,  S·R·韦纳姆 ,  施正荣

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/036

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1872 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，所述结构中，支撑衬底或基片(12)为支撑上层的有源区提供机械力。淀积在衬底或基片(12)上的薄介质层(11)隔离所淀积的层与衬底，以防止光学、金属和/或化学穿透。然后淀积引晶层(13)，适当处理引晶层可得到所要求的大晶粒。该层可以在淀积时结晶，或可以以非晶形式淀积，然后通过进一步的处理结晶。然后在引晶层上淀积极性交替变化的非晶硅层或硅合金层(14、15、16、17)的叠层，这些交替层中掺有n型或p型掺杂剂。然后进行固相结晶，获得在低温下持续加热这些层可获得的所要求的3μm或更大的晶粒。