半导体封装件
    41.
    发明公开
    半导体封装件 审中-实审

    公开(公告)号:CN113327915A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN202011589873.2

    申请日:2020-12-29

    Inventor: 崔允硕

    Abstract: 一种半导体封装件包括:上衬底,其具有彼此相对的第一表面和第二表面;下半导体芯片,其设置在上衬底的第一表面上;多个导电柱,其在下半导体芯片的至少一侧设置在上衬底的第一表面上;以及上半导体芯片,其设置在上衬底的第二表面上。下半导体芯片和多个导电柱连接到上衬底的第一表面,并且上半导体芯片连接到上衬底的第二表面。

    半导体封装
    42.
    发明公开
    半导体封装 审中-公开

    公开(公告)号:CN111223829A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN201910729880.9

    申请日:2019-08-08

    Inventor: 柳承官 崔允硕

    Abstract: 一种半导体封装包括衬底封装基板、第一半导体芯片和第二半导体芯片。衬底封装基板包括设置有再分布层的再分布区域,多个竖直导电通道连接到所述再分布层,并且凹陷区域从所述再分布区域的上表面凹进。衬底封装基板还包括:转接板,在所述凹陷区域中,所述转接板包括基板、设置在所述基板的上表面处的多个上焊盘、以及分别连接到所述多个上焊盘以穿过所述基板的多个贯通电极。第一半导体芯片和第二半导体芯片安装在延伸区域和转接板上并且水平地彼此分开设置。从平面图的角度,所述转接板被设置为与所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片中的每一个的一部分重叠。

    制造半导体芯片封装件的方法和制造半导体封装件的方法

    公开(公告)号:CN106531636B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201610801613.4

    申请日:2016-09-05

    Abstract: 提供了制造半导体芯片封装件和制造半导体封装件的方法。制造半导体封装件的方法包括:提供具有第一表面和与第一表面背对的第二表面的封装基底;将第一半导体芯片设置在封装基底上,所述第一半导体芯片具有面对封装基底的第二表面的第一表面、与第一半导体芯片的第一表面背对的第二表面以及从第一半导体芯片的第一表面延伸到第一半导体芯片的第二表面的侧表面;设置覆盖第一半导体芯片的侧表面并且覆盖封装基底的第二表面的模塑层;在第一半导体芯片的侧表面外部设置多个穿过模塑导电通路。穿过模塑导电通路可以在形成模塑层之前形成并且可以贯穿模塑层。穿过模塑导电通路可以延伸超过模塑层的第一表面。

    用于生成高动态范围图像的成像系统

    公开(公告)号:CN111953908B

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202010288453.4

    申请日:2020-04-14

    Abstract: 本申请提供了一种用于生成高动态范围图像的成像系统,所述成像系统包括图像传感器,所述图像传感器基于接收到的光获得第一图像数据;以及处理电路,所述处理电路被配置为基于与所获得的第一图像数据相对应的照度和动态范围在第一模式和第二模式之中确定所述图像传感器的操作模式。所述图像传感器包括第一子像素,所述第一子像素被配置为在所述第一模式下感测与目标颜色相对应的目标光,将在第一曝光时间期间所感测到的目标光转换为第一信号,并且在所述第二模式下将在比所述第一曝光时间长的第二曝光时间期间感测到的所述目标光转换为第二信号。

    半导体封装
    50.
    发明公开
    半导体封装 审中-实审

    公开(公告)号:CN115966553A

    公开(公告)日:2023-04-14

    申请号:CN202211240493.7

    申请日:2022-10-11

    Abstract: 提供了一种半导体封装,其包括:第一再分布基板;在第一再分布基板上的第一半导体芯片;在第一再分布基板和第一半导体芯片之间的第一凸块;在第一再分布基板上并且与第一半导体芯片间隔开的导电结构;在第一半导体芯片上的第二再分布基板;在第一半导体芯片和第二再分布基板之间的第二凸块;在第二再分布基板上的第二半导体芯片;在第一再分布基板和第二再分布基板之间并且在第一半导体芯片上的第一模层;以及在第二再分布基板和第二半导体芯片上并且与第一模层间隔开的第二模层。

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