公开(公告)号：CN105047578A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510424012.1

申请日：2015-07-17

申请人： 北京兆易创新科技股份有限公司

发明人： 何永 ,  冯骏 ,  王者伟

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/30

摘要： 本发明公开了一种晶体管的评估方法，该评估方法包括：将周期为T的第一脉冲信号施加在所述晶体管的第一端；在经过至少n个周期之后，对所述晶体管进行电性能测试，以获得第一参数，其中，n为大于或等于1的正整数；根据对所述晶体管初始参数和所述第一参数进行比较，以评估所述晶体管的可靠性。本发明能够快速的评估晶体管的可靠性，缩短工艺开发周期，实现在量产过程中对每个晶体管晶圆进行可靠性监控。

公开(公告)号：CN105023845A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510151867.1

申请日：2015-04-01

申请人： 富士电机株式会社 ,  株式会社电装

发明人： 百田圣自 ,  阿部和 ,  河野宪司 ,  田边广光

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/0696 ,  G01R31/2601 ,  H01L22/14 ,  H01L22/30 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/207 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553

摘要： 本发明提供一种具备伪沟槽MOS单元，并且市场故障率低的沟槽栅型的半导体装置的制造方法、半导体装置的评价方法以及半导体装置。首先，在n-型半导体基板1的正面，形成具备在元件的深度方向上延伸的栅极电极(8)的沟槽MOS单元、和具备在元件的深度方向上延伸的伪栅极电极(18)的伪沟槽MOS单元。接下来，在n-型半导体基板(1)的正面上，形成发射极电极(9)以及筛选焊盘DG。筛选焊盘DG与伪栅极电极(18)连接。接下来，在发射极电极(9)与筛选焊盘DG之间施加规定电压，来进行针对伪栅极绝缘膜(17)的筛选。接下来，通过覆盖发射极电极(9)以及筛选焊盘DG的镀膜(13)，来将发射极电极(9)与筛选焊盘DG短路，从而完成产品。

公开(公告)号：CN104952771A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510128985.0

申请日：2015-03-24

申请人： 芝浦机械电子株式会社

发明人： 大田垣崇 ,  林航之介 ,  桧森洋辅

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： B08B3/08 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/67248 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L22/30

摘要： 提供能够实现抑制处理不良及削减处理液消耗量的基板处理装置及基板处理方法。实施方式的基板处理装置(1)具备：液供给部(6)，向基板(W)的表面供给处理液；温度检测部(7)，检测被该液供给部(6)供给了处理液的基板(W)的表面温度；温度监视部(9)，判断由该温度检测部(7)检测出的表面温度是否达到了规定温度；以及控制部(11)，在由该温度监视部(9)判断为表面温度达到了规定温度的情况下，使供给部(6)停止处理液的供给。

公开(公告)号：CN103246092B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201310157333.0

申请日：2013-04-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

发明人： 张明 ,  毛国琪 ,  郝昭慧 ,  尹雄宣

IPC分类号： G02F1/13 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC分类号： H01L22/30 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136254 ,  H01L27/124

摘要： 本发明提供一种阵列基板及显示装置，阵列基板包括显示区域和外围电路区域，显示区域内设置有第一栅线、第一数据线和像素区，像素区包括像素电极和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极；外围电路区域设置有至少一个测试单元，包括：第二栅线；第二数据线；测试像素电极；测试薄膜晶体管，包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极，第二栅电极、第二源电极和第二漏电极均具有暴露于外部的测试端口。通过外围电路区域设置具有测试像素电极和测试薄膜晶体管的测试单元，测试薄膜晶体管具有暴露于外部的测试端口，可以在阵列基板对盒后，甚至面板制作完成后，不破坏阵列基板，而实现面板内部像素中TFT与电容特性测试。

公开(公告)号：CN104810242A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201410035657.1

申请日：2014-01-24

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 张卿彦

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L22/30 ,  H01L22/34

摘要： 本发明提供一种测试结构及其制作方法，该方法包括以下步骤：1）提供一待测试样品，所述待测试样品表面形成有分立设置的至少一个第一金属垫；所述第一金属垫下方形成有电路结构；2）在所述待测试样品表面的空闲区域形成分立设置的至少一个与所述第一金属垫连接的金属垫组件，得到测试结构。本发明在测试样品中原始金属垫的基础上形成额外的金属垫组件，其中金属垫组件形成于测试样品的空闲区域，不会影响测试样品；在失效分析阶段可以利用金属垫组件进行引线键合接入电信号，避免了重复键合引起器件破坏或引起第一金属垫下方的器件开裂，有利于提高失效分析效率；并且既可以采用金线键合，也可以采用铝线键合来降低成本。

公开(公告)号：CN104752267A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310752181.9

申请日：2013-12-31

申请人： 上海微电子装备有限公司

发明人： 王成才 ,  鲁武旺 ,  兰艳平 ,  徐建旭

IPC分类号： H01L21/67 ,  B23K26/064 ,  H01L21/268 ,  H01L21/66

CPC分类号： H01L21/67098 ,  B23K26/06 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/30

摘要： 本发明公开了一种激光退火装置，包括：固体激光光源，扫描单元，支撑基板，通过激光照射对半导体膜进行退火；还包括扩束单元，匀光单元，聚光透镜单元；分光单元；以及第一光束探测器；激光光源发出激光束依次经过扩束单元、匀光单元和聚光透镜单元到达分光单元，经分光单元分光后分别入射至半导体膜和第一光束探测器；分光单元到第一光束探测器的光程距离与分光单元到半导体膜的光程距离相等。还公开了一种激光退火方法，通过实时监测照射到半导体膜表面的激光束尺寸的变化，并基于该检测值使聚光透镜单元在光轴方向移动，从而保证退火过程中照射在半导体膜上的激光束尺寸不变，以保证半导体膜退火的均匀性，从而提高半导体膜的退火质量。

公开(公告)号：CN104752253A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201310752625.9

申请日：2013-12-31

申请人： 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

发明人： 韩盼盼

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/30 ,  H01L22/34

摘要： 本发明公开了一种晶片检测方法及设备，其中晶片检测方法包括如下步骤：转盘在接收到控制器发送的转动至预设目标位置的命令信号后，启动转动；控制器检测到转盘放置晶片位置与传感器的位置对应时，发送检测命令信号至传感器；传感器接收到检测命令信号后，检测到转盘放置晶片位置的状态与传感器中记录状态相同时，控制转盘放置晶片位置转动至预设目标位置。其通过增加在晶片进入工艺腔室之前的检测功能，有效地避免了无片情况下进行工艺所导致的能源浪费与工艺腔室污染的问题。

公开(公告)号：CN104637838A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310573877.5

申请日：2013-11-15

申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司

发明人： 倪图强 ,  罗伟艺 ,  黄智林

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/67011 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/30

摘要： 本发明提供了一种半导体处理装置。本发明通过设置一个电浮地的电信号检测器在射频环境中，就近接收多个探头接收到的微弱电信号，将这些电信号处理后获得所需的工艺参数数据，并将工艺参数数据转化为光学信号传输到射频环境外，最终获得精确的测量数据，而且避免了射频功率的外泄，节约了多个滤波器的成本和空间。

公开(公告)号：CN104599997A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510053404.1

申请日：2015-01-30

申请人： 工业和信息化部电子第五研究所

发明人： 何胜宗 ,  邝贤军 ,  王有亮 ,  武慧薇 ,  彭泽亚 ,  刘丽媛 ,  许广宁 ,  陈选龙 ,  袁光华 ,  李伟

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L21/02 ,  H01L22/30

摘要： 本发明公开了一种塑料封装金属丝键合器件的开封方法，属于电子元器件失效分析技术领域。该开封方法包括平磨、割槽、分离步骤，其中：平磨步骤中：用120-2000目的砂纸对器件进行研磨，研磨面为芯片有源面的塑封一侧，逐渐研磨去除芯片表面的塑封料，至距离芯片表面0.5mm-3mm时，停止研磨；割槽步骤中：在器件研磨面上，沿芯片所在位置的四周切割出环形凹槽；分离步骤中：以粘性材料粘贴上述环形凹槽围绕的塑封料区域，然后拉起粘性材料，至芯片表面的塑封料被拉起，暴露出芯片。以该方法暴露器件的内部芯片，能够在保留键合丝的第一键合点键合状态、芯片表面及键合附近的腐蚀、脏污等重要信息。

公开(公告)号：CN104599996A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510052268.4

申请日：2015-01-31

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 国子明 ,  郭国超 ,  张凌越 ,  姚蕾

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L22/30 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/265 ,  H01L22/34

摘要： 本发明揭示了一种离子注入机台的水汽监控方法，提供一监控晶片；在所述监控晶片上形成一有机层；将所述监控晶片放入所述离子注入机台，对所述监控晶片进行离子注入工艺；去除所述有机层；以及检测所述监控晶片的表面是否有一在离子注入工艺中形成的表面氧化层，如果所述监控晶片的表面存在所述表面氧化层，检测所述表面氧化层的厚度。所述离子注入机台的水汽监控方法可以方便、有效地监控离子注入机台的水汽情况。