公开(公告)号：CN102656955B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080034121.8

申请日：2010-07-28

申请人： ATI科技无限责任公司

发明人： 安德鲁·雷昂 ,  罗登·托帕西欧 ,  里安·马丁内斯 ,  易普森·罗

IPC分类号： H05K3/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/488 ,  H05K1/02 ,  H05K3/10

CPC分类号： H01L23/49822 ,  B32B37/02 ,  B32B2309/105 ,  B32B2310/0843 ,  B32B2457/00 ,  H01L21/4857 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H05K3/0035 ,  H05K3/0055 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/09136 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T156/10 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明披露了制造用于电子封装的基板的方法，该基板具有芯层、在芯层第一面上的m层积层以及在芯层第二面上的n层积层，其中m≠n。该方法包括：在第一面上形成m层积层中的(m-n)层，然后形成n对积层，该n对积层中的每对包括形成在第二面上的n层积层中的一层以及形成在第一面上的m层积层的剩余n层中的一层。每层积层包括介电层以及形成在其上的导电层。本发明披露的方法通过避免在基板制造期间对介电材料重复去钻污以保护每层积层中的介电层不被过度去钻污。

公开(公告)号：CN103119702A

公开(公告)日：2013-05-22

申请号：CN201180043113.4

申请日：2011-09-09

申请人： 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

发明人： 迈克尔·Z·苏 ,  贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  布莱恩·布莱克

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/24 ,  H01L21/563 ,  H01L23/147 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/16 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/166 ,  H01L2924/167 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种制造方法，其包括提供具有绝缘层（185）的半导体芯片（105）。所述绝缘层包括沟槽（190）。第二半导体芯片（110）堆叠在所述第一半导体芯片上以留出间隙。聚合物填料（187）放置于所述间隙中，其中所述聚合物填料的一部分被牵引到所述沟槽中。

公开(公告)号：CN103098204A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043340.7

申请日：2011-09-09

申请人： 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

发明人： 布莱恩·布莱克 ,  迈克尔·Z·苏 ,  贾迈尔·里法伊-艾哈迈德 ,  乔·西格尔 ,  塞思·普雷让

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了一种具有导电通孔的半导体芯片及其制造方法。所述方法包括在第一半导体芯片（15）的一层（80）中形成第一多个导电通孔（115、120、125）。所述第一多个导电通孔包括第一末端（127）和第二末端（129）。第一导体垫（65）形成为与所述第一多个导电通孔的所述第一末端（127）欧姆接触。

公开(公告)号：CN103069793A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201180039834.8

申请日：2011-08-19

申请人： ATI科技无限责任公司

发明人： 赛义德·A·侯赛因 ,  科利斯·Q·卡特 ,  加布里埃尔·L·阿瓦尔卡

IPC分类号： H04N5/91

CPC分类号： G09G5/12 ,  G09G5/005 ,  G09G2358/00 ,  G09G2370/12 ,  H04N21/43615 ,  H04N21/44227 ,  H04N21/4516 ,  H04N21/6582

摘要： 用于将音频和视频流从音频/视频（AV）源映射到多个AV接收端中的相应接收端的系统和方法。根据一个或多个实施方案，基于从每个所述AV接收端经由视频通道接口接收的AV数据来确定每个所述AV接收端的音频和视频重放和内容保护功能。另外确定可从所述AV源获得的音频和视频流。可从所述AV源获得的所述音频和视频流中的相应流根据其音频和视频重放以及内容保护功能映射到每个所述AV接收端。

公开(公告)号：CN102823337A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180013279.1

申请日：2011-03-09

申请人： ATI科技无限责任公司

发明人： 罗登·托帕西欧

IPC分类号： H05K3/36 ,  H05K3/10

CPC分类号： H05K3/3452 ,  H01L21/563 ,  H01L23/28 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H05K1/0271 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2201/2072 ,  Y02P70/613 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 公开了各种电路板和利用该电路板的制造方法。一方面，提供一种制造方法，其包括在电路板（20）的面（17）上施加焊接掩膜（90）和在焊接掩膜（90）中形成至少一个通向所述面（17）的开口（105）。将底部填充（25）定位在阻焊膜（90）上以使其中的一部分（100）突入至少一个开口（105）中。

公开(公告)号：CN102804102A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080057355.4

申请日：2010-12-17

申请人： 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

发明人： 格雷格·萨多夫斯基 ,  瓦伦·弗里茨·克鲁格 ,  约翰·韦克菲尔德·布拉泽斯 ,  大卫·I·J·格伦 ,  斯蒂芬·大卫·普雷什特

IPC分类号： G06F1/32

CPC分类号： G06F1/3275 ,  G06F1/3225 ,  Y02D10/14

摘要： 一种电路包括存储器电路。该存储器再分配电路将配置为在多个存储器通道之间分布的图像信息移动到配置为在该多个存储器通道的子集之间分布的再配置的图像信息中。

公开(公告)号：CN102414671A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201080018676.3

申请日：2010-04-26

申请人： 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

发明人： 古亨·克里希南 ,  安东尼奥·阿萨罗 ,  多恩·凯尔佩卡 ,  托马斯·R·坎简 ,  约尔格·温克勒 ,  拉尔夫·弗莱明 ,  莫里斯·B·斯坦曼 ,  乔纳森·欧文 ,  约翰·卡拉马丁纳斯

IPC分类号： G06F13/16

CPC分类号： G06F13/161

摘要： 分级内存请求流仲裁技术合并来自多内存请求源(204、206、208、216)的连贯内存请求流，并根据来自非连贯内存请求流的请求仲裁合并的连贯内存请求流。在本发明的至少一个实施方式中，从多个内存请求流产生合并的内存请求流(316)的方法包括将连贯内存请求合并到第一串行内存请求流。该方法包括通过内存控制器电路(213、302)从至少所述第一串行内存请求流和合并的非连贯请求流中选择以置于合并的内存请求流中的内存请求。所述合并的非连贯内存请求流至少部分地基于选择以置于合并的内存请求流(334)中的在先内存请求的指示器。

公开(公告)号：CN117377925B

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202280024271.3

申请日：2022-03-29

申请人： 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

发明人： 卡西克·拉奥 ,  因德拉尼·保罗 ,  唐尼·易 ,  亚历山大·霍多尔科夫斯基 ,  李奥纳多·德宝拉罗莎皮加 ,  崔元济 ,  达娜·G·刘易斯 ,  斯里拉姆·桑巴穆尔蒂

IPC分类号： G06F1/3228 ,  G06F1/3234

摘要： 本发明涉及一种装置(100)，该装置包括处理器(102)、睡眠状态持续时间预测模块(404)和系统管理单元(316)。该睡眠状态持续时间预测模块被配置为预测该装置的部件的睡眠状态持续时间(416)。该系统管理单元基于预测的睡眠状态持续时间与至少一个持续时间阈值的比较，将该部件转变成选自多个睡眠状态的睡眠状态。该多个睡眠状态中的每个睡眠状态是比该多个睡眠状态中的先前睡眠状态功率更低的状态。

公开(公告)号：CN118556231A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202280083967.3

申请日：2022-12-19

申请人： 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

发明人： 所罗伯·沙玛 ,  杰里米·卢卡奇 ,  哈希姆·哈希米 ,  詹保罗·托马西 ,  盖纳迪·里盖 ,  马克·福勒 ,  兰迪·拉姆齐

IPC分类号： G06F12/0806 ,  G06F9/38 ,  G06F9/30

摘要： 一种处理系统[100]被配置为将工作项的调度[135]的第一高速缓存访问模式转换成高速缓存访问模式[145]，该高速缓存访问模式有利于存储在并行处理单元[110]的高速缓存[120]处的数据在该数据被逐出到存储器分级结构的较远层级之前被后续访问消耗。对于具有读取后读取数据局部性的连续高速缓存访问，在一些实施方案中，该处理系统将该第一高速缓存访问模式转换成空间填充曲线[506]。在一些实施方案中，对于具有写入后读取数据局部性的连续访问，该处理系统将针对第一访问[512]以升序次序进行的第一打字机高速缓存访问模式转换成针对后续高速缓存访问[514]以降序次序进行的反向打字机高速缓存访问模式。通过基于数据局部性转换该高速缓存访问模式，该处理系统增加该高速缓存的命中率。

公开(公告)号：CN118511158A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202280086756.5

申请日：2022-12-15

申请人： 超威半导体公司 ,  ATI科技无限责任公司

发明人： 吉姆谢德·米尔扎 ,  马克·福勒

IPC分类号： G06F9/50

摘要： 原子操作的级联执行，包括：接收对多个线程中的每个线程执行原子操作的请求，其中该多个线程包括多个线程子集，每个线程子集对应于本地存储器，其中用于线程子集的该本地存储器能够由该线程子集访问并且是该多个线程中的其余线程不能够访问的；通过由每个线程子集在对应于该线程子集的该本地存储器中执行该原子操作来生成多个中间结果；以及通过将该多个中间结果聚合在该多个线程中的所有线程能够访问的共享存储器中来生成针对该请求的结果。