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公开(公告)号：CN111948897A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010806388.X
申请日：2015-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。
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公开(公告)号：CN105319832B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201510133081.7
申请日：2015-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。
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公开(公告)号：CN106154735B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510148146.5
申请日：2015-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明也提供了光刻掩模。光刻掩模包括含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。在一些实施例中，ITO材料具有SnO6晶体结构。本发明还涉及具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模。
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公开(公告)号：CN105629656B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201510843473.2
申请日：2015-11-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种方法。从背侧研磨晶圆。将晶圆插入到通过框架保持架限定的开口内。通过临时层将框架保持架附接至载体。将晶圆的正侧附接至临时层。之后，从背侧蚀刻晶圆直到晶圆达到预定厚度。之后，将其中的框架保持架和晶圆从临时层和载体分离。本发明实施例涉及用于EUV掩模的薄膜及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106483772B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201510860745.X
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70925
Abstract: 一种微影术系统及其使用方法，微影术系统包括一负载锁定腔室，此负载锁定腔室包括配置用以接收遮罩的开口；曝光模块，其配置用以经由使用遮罩，使半导体晶圆曝露于光源；及清洗模块，其嵌入在此微影术工具内，此清洗模块配置用以自遮罩清洗碳粒子。本发明内容可提供一种用于高级微影术技术中，保持遮罩干净且无缺陷的方法。此方法所形成的干净无缺陷遮罩，可提升微影术工艺的良率与精准度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105319860B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510193413.0
申请日：2015-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/2002 , G02B26/06 , G03F7/20 , G03F7/70258 , G03F7/70308 , G03F7/7065
Abstract: 根据一些实施例，本发明提供了一种缓解用于ID图案的缺陷适印性的方法。该方法包括：将掩模加载至光刻系统，掩模包括一维集成电路(IC)图案；利用光刻系统中的光瞳相位调制器来调制从掩模衍射的光的相位；以及利用掩模和光瞳相位调制器，在光刻系统中对目标执行光刻曝光工艺。
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公开(公告)号：CN107153326A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201611178550.8
申请日：2016-12-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/70341 , B05D1/60 , B05D3/06 , B05D3/061 , B05D3/068 , G03F7/0042 , G03F7/038 , G03F7/11 , G03F7/167 , G03F7/2004 , G03F7/201 , G03F7/2037 , G03F7/2039 , G03F7/38 , G03F7/40 , G03F7/70325 , H01L21/02118 , H01L21/02277 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0277 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/687 , H01L21/68764
Abstract: 本发明的实施例公开了用于光刻图案化的方法。该方法包括提供衬底，在衬底上方形成沉积增强层(DEL)并且使有机气体在DEL的表面附近流动。在有机气体的流动期间，该方法还包括用图案化的辐射辐照DEL和有机气体。有机气体的元素通过图案化的辐射而聚合，从而在DEL上方形成光刻胶图案。该方法还包括用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻DEL，从而形成图案化的DEL。
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公开(公告)号：CN107065447A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710071207.1
申请日：2017-02-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G06F17/5081 , G03F1/24 , G03F1/36 , G03F7/70091 , G03F7/70433 , G03F7/705 , G03F7/2004 , G03F7/70008 , G03F7/70425
Abstract: 本发明的实施例提供用于对半导体器件进行极紫外光刻(EUVL)工艺的方法，包括：提供一种集成电路的部件的图案；选择极紫外波长辐射束的光瞳的配置(也被称为照射模式)；选择的配置为非对称的单极配置。确定使用选定配置所模拟的部件的图案的成像与部件的图案的设计的成像之间的至少一种差别；然后修改参数(也被称为补偿参数)以解决至少一种差别，其中该参数为设计部件、掩模部件和光刻工艺参数的至少一个；然后使用选定的配置和修改的参数将衬底暴露至部件的图案。
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公开(公告)号：CN106154735A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510148146.5
申请日：2015-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明也提供了光刻掩模。光刻掩模包括含有低热膨胀材料(LTEM)的衬底。反射结构设置在衬底上方。覆盖层设置在反射结构上方。吸收层设置在覆盖层上方。吸收层包含氧化铟锡(ITO)材料。在一些实施例中，ITO材料具有SnO6晶体结构。本发明还涉及具有抑制带外辐射的ITO吸收件的EUV掩模。
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公开(公告)号：CN106094441A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201510800502.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70025 , G03F7/70033 , G03F7/7055 , G03F7/70983 , H05G2/00 , H05G2/001 , H05G2/003 , H05G2/005 , H05G2/006 , H05G2/008
Abstract: 远紫外(EUV)辐射源模块包括目标液滴发生器、第一激光源和第二激光源。目标液滴发生器配置为生成多个目标液滴。第一激光源配置为生成多个第一激光脉冲，第一激光脉冲在相应的激发位置处加热目标液滴，从而生成多个目标羽流。目标液滴的至少一个在与其他目标液滴不同的激发位置处被加热。第二激光源配置为生成多个第二激光脉冲，第二激光脉冲加热目标羽流，从而生成发射EUV辐射的等离子体。本发明的实施例还涉及远紫外光刻收集器污染减少。
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