公开(公告)号：CN105552114A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510931171.0

申请日：2015-12-14

申请人： 华南理工大学

发明人： 宁洪龙 ,  刘贤哲 ,  陈建秋 ,  蔡炜 ,  兰林锋 ,  姚日晖 ,  王磊 ,  徐苗 ,  邹建华 ,  陶洪 ,  彭俊彪

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC分类号： H01L29/78693 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66969

摘要： 本发明公开一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管由下至上依次包括衬底、栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏电极和钝化层；所述的有源层是以非晶氧化物SiSnO薄膜作为有源层。本发明基于背沟道刻蚀型薄膜晶体管结构，引入了非晶锡硅氧化物SiSnO作为有源层。该氧化物抗刻蚀能力强，能够大大减少刻蚀源漏电极的过程中对薄膜晶体管背沟道的损伤，且阈值电压较好。使用本发明制作背沟道刻蚀型薄膜晶体管稳定性大大提升，满足了薄膜晶体管产品化的要求，因此具有很高的应用价值。

公开(公告)号：CN105474397A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201480045491.X

申请日：2014-08-08

申请人： 出光兴产株式会社

发明人： 笘井重和 ,  柴田雅敏 ,  川岛绘美 ,  矢野公规 ,  早坂紘美

IPC分类号： H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/24 ,  H01L29/247 ,  H01L29/26 ,  H01L29/267 ,  H01L29/47

摘要： 本发明提供一种肖特基势垒二极管元件，其包含n型或p型硅(Si)基板、氧化物半导体层、及肖特基电极层，且上述氧化物半导体层包含以镓(Ga)为主成分的多晶氧化物及非晶质氧化物中的任一者或两者。

公开(公告)号：CN105449119A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201610008810.0

申请日：2010-08-06

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/53 ,  H01L2251/56

摘要： 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN105336791A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510496344.0

申请日：2011-11-21

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： 一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN102498570B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201080040387.3

申请日：2010-08-06

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

摘要： 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN104538453A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410836507.0

申请日：2014-12-29

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 胡合合

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/267 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： G06F3/0416 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/042 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/2206 ,  H01L29/247 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/267 ,  H01L2021/775

摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，其中，所述有源层包括沿所述有源层的厚度方向叠层设置的半导体氧化物层和石墨烯层，形成所述半导体氧化物层的氧化物的功函数小于形成所述石墨烯层的石墨烯的功函数。本发明还提供一种阵列基板、该阵列基板的制造方法和一种显示器件。在形成所述薄膜晶体管的源漏极时，所述薄膜晶体管的有源层不容易受到腐蚀，并且所述薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率。

公开(公告)号：CN102419962B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110285452.5

申请日：2007-08-31

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 梅崎敦司

IPC分类号： G09G3/36

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F1/13306 ,  G02F1/133753 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1393 ,  G02F2001/133622 ,  G02F2202/103 ,  G09G3/342 ,  G09G3/3655 ,  G09G3/3674 ,  G09G3/3677 ,  G09G3/3685 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2310/024 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2320/0252 ,  G09G2330/021 ,  G11C19/28 ,  H01L21/67167 ,  H01L27/06 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3213 ,  H01L27/3216 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5307 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323

摘要： 本发明涉及一种液晶显示装置，该装置具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管。在第一晶体管中，第一端子电连接到第一布线；第二端子电连接到第二晶体管的栅极端子；且栅极端子电连接到该第五布线。在第二晶体管中，第一端子电连接到第三布线；第二端子电连接到第六布线。在第三晶体管中，第一端子电连接到第二布线；第二端子电连接到该第二晶体管的栅极端子；且栅极端子电连接到第四布线。在第四晶体管中，第一端子电连接到第二布线；第二端子电连接到第六布线；且栅极端子电连接到第四布线。

公开(公告)号：CN104047050A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410094184.2

申请日：2014-03-14

申请人： 波音公司

发明人： A·N·兰阿德 ,  M·A·玛图斯 ,  G·M·纽布鲁姆

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/38 ,  C30B29/60

CPC分类号： H01L29/247 ,  C30B1/023 ,  H01B1/00

摘要： 本发明的名称是低温薄膜结晶方法以及由其制备的产品。公开了具有多孔的互穿网络的有机材料以及至少部分地分布在有机材料孔隙内的一定量的无机材料。由其生产有机-无机薄膜和装置的方法包括利用纳米颗粒引晶并且将非晶形材料沉积在纳米颗粒上。

公开(公告)号：CN101728424B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200910207022.4

申请日：2009-10-23

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 伊藤俊一 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G09G3/20 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/247 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。

公开(公告)号：CN103026474A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180036266.6

申请日：2011-07-26

申请人： 日产化学工业株式会社

发明人： 广井佳臣 ,  前田真一

IPC分类号： H01L21/368 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/247 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/78693

摘要： 形成包含金属盐、第一酰胺、以水为主体的溶剂的非晶态金属氧化物半导体层形成用前体组合物，使用该组合物制成非晶态金属氧化物半导体层。