-
公开(公告)号:CN102280489B
公开(公告)日:2014-04-09
申请号:CN201110134007.9
申请日:2011-05-19
申请人: 三星显示有限公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/417
CPC分类号: H01L29/41733 , H01L29/78609 , H01L29/78624 , H01L29/78696
摘要: 公开了具有偏移结构的薄膜晶体管(TFT)。所述TFT维持足够低的“断”电流和足够高的“通”电流。所述TFT包括有源区。所述有源区包括:栅电极;与所述栅电极重叠的有源层;位于所述栅电极与所述有源层之间的栅绝缘层;以及包括电连接到所述有源区的源/漏电极的源/漏电极层。所述源/漏电极中的某些与所述栅电极部分重叠。所述源/漏电极中的其它源/漏电极偏移于所述栅电极。所述源/漏电极和所述栅电极被对称布置。
-
公开(公告)号:CN1912740B
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN200610114953.6
申请日:2006-08-14
申请人: 株式会社半导体能源研究所
发明人: 大沼英人
IPC分类号: G03F1/32 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号: H01L27/1288 , G03F1/28 , G03F1/32 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/127 , H01L29/42384 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78624 , Y10T428/24802
摘要: 一种配备有半透明膜的能够形成抗蚀剂的曝光掩模,共中,端部处不形成凸出部分,且端部具有平缓的形状。在存在着相对于曝光光具有不同相位和透射率的第一区和第二区的曝光掩模中,相对于透过第一区与第二区的曝光光的相位差Δθ以及第二区对曝光光的透射率n,被定义为满足下列公式1。[公式1]因此,能够形成具有不同厚度的区域并在边缘处具有平缓形状的抗蚀剂。借助于用此抗蚀剂执行诸如刻蚀之类的工艺,能够以自对准的方式形成具有不同厚度的区域。
-
公开(公告)号:CN101859780B
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201010164378.7
申请日:2010-04-09
申请人: 英飞凌科技奥地利有限公司
CPC分类号: H01L29/872 , H01L29/0615 , H01L29/0623 , H01L29/402 , H01L29/405 , H01L29/42384 , H01L29/7393 , H01L29/7817 , H01L29/7824 , H01L29/78609 , H01L29/78624 , H01L29/78645 , H01L29/78648
摘要: 本发明涉及横向半导体部件。公开了一种具有载体层和第一及第二半导体层的半导体部件装置。
-
公开(公告)号:CN101635261B
公开(公告)日:2011-11-30
申请号:CN200910151665.1
申请日:2004-07-23
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/82 , H01L21/50 , H01L29/786
CPC分类号: H01L27/1214 , H01L27/1203 , H01L27/127 , H01L29/78624 , H01L29/78645 , H01L29/78675 , H01L29/78696 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
摘要: 本发明的名称是“半导体器件及其制造方法”。本发明提供一种用于制造半导体器件的方法,通过该方法提供包含有源层、与有源层接触的栅极绝缘膜、和与有源层相交迭的栅电极、其间有栅极绝缘膜的晶体管;通过从一个倾斜的方向将杂质添加到有源层,将杂质添加到有源层中与栅电极相交迭且其间具有栅极绝缘膜的第一区的部分、和有源层中除了第一区外的第二区;且第二区位于相对于第一区的一个方向中。
-
公开(公告)号:CN101228630B
公开(公告)日:2011-10-05
申请号:CN200680027164.7
申请日:2006-05-25
申请人: 株式会社半导体能源研究所
发明人: 加藤清
CPC分类号: H01L27/1266 , G06K19/0701 , G06K19/0715 , G06K19/0723 , G06K19/0726 , H01L21/84 , H01L27/1214 , H01L27/13 , H01L29/78621 , H01L29/78624 , H04B5/0012 , H04B5/0056 , Y02D70/166 , Y02D70/26 , Y02D70/42
摘要: 本发明的目的是实现一种具有高可靠性、小芯片面积和低功耗的无线芯片,其中,也防止了在诸如接近天线的情况下的强磁场中内部产生的电压极大增加。利用包含具有预定阈值电压的MOS电容器元件的谐振电路来实现该无线芯片。这样使得能够防止谐振电路的参数在强磁场中、在电压振幅超过预定值的情况下发生变化,从而可以保持无线芯片远离谐振状态。因此,在未使用限幅器电路或恒压产生电路的情况下,防止了过高电压的产生。
-
公开(公告)号:CN101872737A
公开(公告)日:2010-10-27
申请号:CN201010102139.9
申请日:2010-01-28
申请人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号: H01L21/74 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号: H01L29/78612 , H01L21/266 , H01L29/1087 , H01L29/66772 , H01L29/78624
摘要: 本发明公开了一种抑制SOI浮体效应的MOS结构,其包括:衬底、位于衬底之上的埋层绝缘层、位于埋层绝缘层之上的有源区;所述有源区包括体区、分别位于体区两端的第一导电类型源区和第一导电类型漏区;在体区之上设有栅区,其中,所述有源区还包括位于第一导电类型源区与埋层绝缘层之间的重掺杂第二导电类型区。制作本结构时,可通过掩膜版向第一导电类型源区的位置进行离子注入,使第一导电类型源区下部、埋层绝缘层之上的区域形成重掺杂第二导电类型区。本发明在有效抑制浮体效应的同时,具有不会增加芯片面积,制造工艺与常规CMOS工艺相兼容等优点。
-
公开(公告)号:CN101615631A
公开(公告)日:2009-12-30
申请号:CN200910149437.0
申请日:2009-06-22
申请人: 松下电工株式会社
CPC分类号: H01L29/78624 , H01L27/1203 , H01L29/0649 , H01L29/0657 , H01L29/0696 , H01L29/7824 , H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要: 一种减少由于寄生电容引起的输出电容的半导体器件。多个通孔在半导体衬底位于漏极区(P型阱区之外的元件区域)之下的区域中形成。根据该配置,可以减少漏极区和半导体衬底的相对面积。因此,减少了漏极-衬底电容Cdsub,以及作为结果可以减少SOI LDMOSFET的输出电容Coss。
-
公开(公告)号:CN100505313C
公开(公告)日:2009-06-24
申请号:CN200610099976.4
申请日:2000-12-11
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/84
CPC分类号: H01L29/78645 , G02F1/13454 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78624 , H01L29/78648 , H01L29/78675
摘要: 本发明的目的是,借助于制作结晶半导体膜,同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸,将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区,而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜,而不用金属或热导高的绝缘膜,作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差,以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。
-
公开(公告)号:CN101271925A
公开(公告)日:2008-09-24
申请号:CN200810082233.5
申请日:2008-02-26
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 高俊哲
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L27/32 , G09G3/30
CPC分类号: H01L29/42384 , H01L27/12 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/3244 , H01L29/41733 , H01L29/78621 , H01L29/78624
摘要: 本发明涉及一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的有机发光装置。该薄膜晶体管包括半导体,其中,该半导体具有沿着第一方向布置且相互分开的第一电极区域、第二电极区域、第三电极区域、第四电极区域和第五电极区域,以及在第一电极区域、第二电极区域、第三电极区域、第四电极区域和第五电极区域之间分别设置的第一偏置区域、第二偏置区域、第三偏置区域和第四偏置区域。输入电极连接到第三电极区域,输出电极连接到第一电极区域和第五电极区域,绝缘层设置在半导体上,控制电极设置在绝缘层、第二电极区域和第四电极区域上。
-
公开(公告)号:CN100352022C
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200510006329.X
申请日:2000-12-11
申请人: 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号: H01L21/336 , H01L21/324 , H01L21/00
CPC分类号: H01L29/78645 , G02F1/13454 , H01L27/12 , H01L27/1281 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/78624 , H01L29/78648 , H01L29/78675
摘要: 本发明的目的是,借助于制作结晶半导体膜,同时控制膜中的晶粒的位置和尺寸,将此结晶半导体膜用于TFT的沟道制作区,而提供能够高速运行的TFT。仅仅用常规的绝缘膜,而不用金属或热导高的绝缘膜,作为基底膜以引入温度梯度。在所需位置中提供基底绝缘膜的高程差,以便根据高程差的安排而在半导体膜中产生温度分布。利用此温度分布来控制横向生长的起点和方向。
-
-
-
-
-
-
-
-
-