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公开(公告)号：CN102687123B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN200980162392.9
申请日：2009-11-10
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H04L12/40006 , G06F11/3027 , G06F11/3636 , H04L41/0604 , H04L2012/40215 , H04L2012/40241 , H04L2012/40273
Abstract: 提供了一种用于具有多个通信控制器单元的分布式通信系统的高级通信控制器单元（60），多个通信控制器中的至少一个是高级控制器单元，多个通信控制器中的每一个都耦合到通信介质，并且适用于使用通信来进行通信。高级通信控制器单元包括协议事件记录电路（62），具有连接到高级通信控制器单元的至少一个协议事件数据传输路径（66）的监视输入端（64）以及连接到存储器设备（70）的调试输出端（68）；并且适用于根据至少一个配置参数来过滤从监视输入端接收到的协议事件数据，并且将过滤的协议事件数据提供到调试输出端。还公开了一种在高级通信控制器单元中使用协议事件记录电路来记录协议事件的方法以及包括至少一个高级通信控制器单元的交通工具（80）。
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公开(公告)号：CN102474322B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN200980160483.9
申请日：2009-07-17
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 劳伦特·戈捷
CPC classification number: H04B7/0667 , H04B7/0808
Abstract: 一种天线分集系统(70)包括具有多个发射器侧天线(74、76)的分集式发射器(72)，所述分集式发射器被布置为产生包括数据分组的至少一个序列的信号，所述数据分组具有针对所述数据分组中的每一个而相同的有效负载和不同的标识符，所述标识符中的每一个识别所述多个发射器侧天线中对应的一个；并且在所述多个发射器侧天线中所述对应发射器侧天线上，及时地在不同点处顺次发射所述信号中的至少两个；以及包括第一发射器侧天线(80)的接收器(78)，所述接收器被布置为在所述第一接收器侧天线上，顺次接收所述至少一个序列的所述信号，并且当所述至少一个序列中已接收的信号中所包括的数据分组的误差校验指示成功接收时，中止接收所述至少一个序列中的后续信号。
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公开(公告)号：CN104465647A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410443255.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L21/768 , H01L27/0248 , H01L27/0255 , H01L27/0259
Abstract: 本发明公开了堆叠保护装置及相关制造方法。提供了保护装置结构和相关制造方法及器件。示例的器件包括第一接口(102)、第二接口(104)、耦接到所述第一接口的第一保护电路装置(110)以及耦接到所述第一保护电路装置(110)和所述第二接口之间的第二保护电路装置(112)。所述第二保护电路装置包括第一晶体管和耦接到所述第一晶体管的二极管，其中所述第一晶体管和所述二极管被电串联地配置在所述第一保护电路装置和所述第二接口之间。
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公开(公告)号：CN104465588A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201310680113.6
申请日：2013-09-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/49568 , H01L23/49503 , H01L23/49551 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2924/00014 , H01L2224/4554
Abstract: 本发明涉及具有应力释放和散热器的半导体封装件。一种半导体装置，具有安装在片芯桨板上的片芯，所述片芯桨板被抬升高于热沉结构并通过系杆热连接至热沉结构。片芯产生的热量从片芯流到片芯桨板，从片芯桨板流到系杆，从系杆流到热沉结构，然后流到外部环境或外部热沉。通过把片芯／桨板子组件提升至热沉结构上方，使封装装置在片芯和片芯附接粘合剂之间和/或片芯附接粘合剂和片芯桨板之间不易分层。可选的热沉环可以围绕片芯桨板。
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公开(公告)号：CN104425426A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410421608.1
申请日：2014-08-25
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 饶开运 , 尤宝琳 , 冯志成 , 纳瓦斯·可汗·奥拉蒂·卡兰达尔 , 陈兰珠
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , G01L9/06
CPC classification number: H01L21/56 , G01L19/147 , H01L21/50 , H01L23/24 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83855 , H01L2924/16315 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/0665
Abstract: 本发明提供了压力传感器装置及装配方法。半导体传感器装置是通过使用具有第一和第二管芯标识的预模制引线框装配的。所述第一管芯标识包括腔。压力传感器管芯(P-单元)被安装到所述腔内以及主控制单元管芯(MCU)被安装到所述第二标识。P-单元和MCU通过接合线被电连接到引线框的引线。管芯附接和引线接合步骤每一个在单程中被完成。模具销被放置在所述P-单元上并且然后所述MCU用模塑化合物封装。所述模具销被移除，从而留下接下来用凝胶材料填充的凹口。最终，盖被放置在所述P-单元和凝胶材料上。所述盖包括将所述压力传感器管芯的凝胶覆盖的有源区域暴露到在所述传感器装置之外的周围大气压力的孔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104377204A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410403696.2
申请日：2014-08-15
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L21/82345 , H01L21/823462 , H01L27/088 , H01L27/11546 , H01L29/42332 , H01L29/66825
Abstract: 本发明提供了非易失性存储器(NVM)单元、高压晶体管和高-k以及金属栅晶体管集成。通过使用具有非易失性存储器(NVM)部分、第一高压部分、第二高压部分和逻辑部分的衬底来制作半导体结构的方法包括在所述NVM部分、所述第一和第二高压部分和所述逻辑部分中的所述衬底的主要表面上生长第一导电层。在所述NVM部分中制作存储器单元，同时所述第一导电层保持在所述第一和第二高压部分和所述逻辑部分中。对所述第一导电层构图以在所述第一和第二高压部分中形成晶体管栅极。在所述NVM部分和所述第一和第二高压部分中形成保护掩膜。在所述逻辑部分中形成晶体管栅极，同时所述保护掩膜保持在所述NVM部分和所述第一和第二高压部分中。
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公开(公告)号：CN102667690B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201080052492.9
申请日：2010-11-03
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Abstract: 本发明的实施例包括用于执行电容式触摸感测和接近检测的方法和装置。电极选择电路（310）建立（606）与多个个体电极（206、207、208）中的一个个体电极的第一连接，以便接收（608）指示个体电极的状态的一个或更多个第一信号，以及建立（630）与包含该多个个体电极（206、207、208）中的多个个体电极的接近电极的第二连接，以便接收（632）指示接近电极的状态的一个或更多个第二信号。处理系统对第一信号执行（616）第一分析，以确定是否为个体电极基线值执行（620）第一更新过程，以及对第二信号执行（640）第二分析，以确定是否为接近电极基线值执行（644）第二更新过程。在一种实施例中，第一分析和第二分析是彼此不同的。
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公开(公告)号：CN102484473B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201080038435.5
申请日：2010-08-05
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 蒂埃里·西卡尔
Abstract: 本发明提供具有断开控制的功率晶体管及用于操作的方法。本发明提供一种电路，该电路具有功率晶体管(48)、驱动器控制电路(16)、可变箝位电路(24)以及断开控制电路(18)。功率晶体管具有耦合到第一电源端子的第一电流电极、作为该电路的输出端(50)的第二电流电极以及控制电极。驱动器控制电路具有耦合到用于在电路的活动模式期间控制功率晶体管的功率晶体管的控制电极的输出端。可变箝位电路被耦合在电路的输出端与第一电源端子之间。断开控制电路被耦合到可变箝位电路并且在从电路的活动模式到不活动模式的转变期间选择可变箝位电路的箝位电平。
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公开(公告)号：CN104365096A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201280073636.8
申请日：2012-06-01
IPC: H04N19/15 , H04N19/176 , H04N19/196 , H04N19/42
CPC classification number: H04N19/152 , H04N19/115 , H04N19/172 , H04N19/176
Abstract: 描述了一种执行至少一个图像的图像数据的压缩的方法。所述方法包括接收所述至少一个图像的至少一部分的图像数据；将所接收的图像数据编码为至少一个压缩数据块；将至少一个带宽限制应用于所述至少一个压缩数据块；以及将所述至少一个带宽限制的压缩数据块输出到缓冲器。所述方法还包括至少部分地基于所述缓冲器的填充水平，动态地更新应用于所述至少一个压缩数据块的所述至少一个带宽限制。
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公开(公告)号：CN104347570A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310317710.2
申请日：2013-07-26
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , H01L21/4842 , H01L23/3107 , H01L23/49541 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L2224/32245 , H01L2224/48245 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明公开了一种无引线型半导体封装及其组装方法，无引线型半导体封装具有用于形成模体的模盖。模体的角部以模柱来增强使得角部具有圆形突起而非形成90°角。模柱防止角部焊盘剥落。
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