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公开(公告)号：CN103187496A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210593041.7
申请日：2012-12-31
申请人： LG伊诺特有限公司
IPC分类号： H01L33/02
CPC分类号： H01L33/32 , F21K9/232 , F21Y2115/10 , H01L33/04 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/42 , H01L33/44 , H01L2224/48091 , H01L2924/0002 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统。该发光器件包括：衬底；第一导电半导体层，位于衬底上；有源层，位于第一导电半导体层上；第二导电半导体层，位于有源层上；以及氮化物半导体层，位于第二导电半导体层上，且折射率小于第二导电半导体层的折射率。根据实施例的发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统，能够提高光提取效率。
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公开(公告)号：CN103078039A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210301407.9
申请日：2012-08-22
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 崔善
CPC分类号： H01L33/58 , H01L25/0753 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48465 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种发光器件封装件，包括：封装件主体，其具有由侧壁围绕的芯片安装区域；彼此间隔开的引线框，其至少一部分被定位在所述芯片安装区域中；发光器件，其被安装在所述芯片安装区域上；电线，其连接所述引线框和所述发光器件；透镜，其被布置在所述发光器件上；以及透镜支撑单元，其被形成为高于所述芯片安装区域中的电线并且支撑所述透镜以使得所述透镜不会与所述电线接触。
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公开(公告)号：CN101572289B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200910135472.7
申请日：2009-04-28
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L33/382 , H01L33/405
摘要： 本发明提供一种具有一嵌入式上电极的发光二极管元件及发光二极管结构。该发光二极管元件包括一发光二极管结构与一上电极。该发光二极管结构包括多层结构，设置于一包含一有源发光区的基板上。该发光二极管结构的一上层包括一上接合层。该上电极嵌入该上接合层，其中该上电极与该上接合层电性接合。本发明可提供一有效传递电流的电极同时提高光穿透。
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公开(公告)号：CN102983129A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210125520.6
申请日：2012-04-25
申请人： LG伊诺特有限公司
发明人： 黄盛珉
CPC分类号： H01L27/15 , H01L25/0756 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L2224/48091 , H01L2924/12032 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 公开了一种发光器件。发光器件包括：第一段和第二段，其中第一段包括掺杂有第一掺杂剂的第一半导体层、掺杂有第二掺杂剂的第二半导体层、以及在第一半导体层与第二半导体层之间的第一有源层，其中第二段包括：设置在第一段上的具有暴露出的区域的第三半导体层、设置在第三半导体层的除了暴露出的区域之外的区域上的第四半导体层、以及在第三半导体层与第四半导体层之间的第二有源层；设置在第一半导体层上的第一电极；设置在第四半导体层上的第二电极、以及插入到暴露出的区域中的孔中以设置在暴露出的区域和第二半导体层上的第三电极，第三电极电连接至第二半导体层和第三半导体层。
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公开(公告)号：CN101601141B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200880002993.9
申请日：2008-01-17
申请人： 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/382 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出了一种带有层序列(10)的发光二极管芯片，该层序列具有至少一个n型层。发光二极管芯片具有与n型层(31)导电连接的反射层(5)。在n型层和反射层之间设置有至少一个透明的介电层(4)。
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公开(公告)号：CN101681969B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200880018354.1
申请日：2008-06-19
申请人： 欧司朗光电半导体有限公司
发明人： 西格弗里德·赫尔曼
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L2221/68363 , H01L2224/16 , H01L2924/01019 , H01L2924/01025 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012
摘要： 本发明提出了一种用于制造多个光电子器件的方法，具有如下步骤：提供连接支承体复合结构，其具有多个器件区域，其中在器件区域中分别设置有至少一个电连接区域；提供半导体本体支承体，在该半导体本体支承体上设置有多个单独的并且与半导体本体支承体连接的半导体本体，其中半导体本体分别具有带有有源区的半导体层序列；将连接支承体复合结构与半导体本体支承体相对于彼此设置，使得半导体本体朝向器件区域，将多个半导体本体与连接支承体复合结构在与相应半导体本体关联的器件区域的安装区域中以机械方式连接，将相应的半导体本体与同半导体本体关联的器件区域的连接区域导电连接，并且将要与连接支承体复合结构连接的或者已连接的半导体本体与半导体本体支承体分离，以及将连接支承体复合结构划分成多个单独的光电子器件，所述光电子器件分别具有：连接支承体，其具有器件区域；以及设置在连接支承体上的并且与该连接支承体导电连接的半导体本体。
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公开(公告)号：CN102810619A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210171813.8
申请日：2012-05-29
申请人： 亿光电子工业股份有限公司
发明人： 叶寅夫
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/382 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
摘要： 本发明提出一种发光二极管，其包括一基板及一发光二极管芯片。基板包括一本体、多个第三接垫、一第四接垫、一第一电极、一第二电极、多个第一导电贯孔及一第二导电贯孔。本体具有一第一表面及相对第一表面的一第二表面。此些第三接垫(first pads)与此第二接垫设置于本体的第一表面上。第一电极与第二电极设置于本体的第二表面上。此些第一导电贯孔贯穿本体，且各自电性连接各别一个第三接垫及此第一电极。此第二导电贯孔贯穿本体，且电性连接第四接垫及第二电极。
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公开(公告)号：CN102760799A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110110761.9
申请日：2011-04-29
申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/382 , H01L33/40
摘要： 本发明涉及一种发光二极管的制备方法，其包括以下步骤：提供一基底;在所述基底一表面设置一碳纳米管层；在设置有碳纳米管层的基底表面依次生长一第一半导体层、一活性层及一第二半导体层；在所述第二半导体层表面设置一上电极；去除所述基底，使所述碳纳米管层暴露；在所述碳纳米管层表面设置一下电极。
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公开(公告)号：CN102738342A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210086655.6
申请日：2012-03-28
申请人： 三星LED株式会社
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2933/0016
摘要： 本发明提供了一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括：具有第一N型化合物半导体层、有源层和P型化合物半导体层的化合物半导体结构；位于所述P型化合物半导体层上并与所述P型化合物半导体层电连接的P型电极层；位于所述化合物半导体结构和所述P型电极层的两侧的多个绝缘壁；穿透所述多个绝缘壁的多个N型电极层；以及导电衬底，在所述导电衬底中分别对应于所述多个N型电极层的多个N型电极连接层与对应于所述P型电极层的P型电极连接层分开。
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公开(公告)号：CN102683376A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210103962.0
申请日：2008-01-22
申请人： 科锐公司
发明人： 杰拉尔德·H.·尼格利 , 安东尼·保罗·范德温
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L21/2654 , H01L27/153 , H01L27/156 , H01L33/04 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H05B33/0803 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种发光体，包括由共用基底和互连载体机械连接的发光器件。所述发光器件由互连载体电互连以提供至少两个发光器件子组串联的阵列，每个子组包括至少三个并联电连接的发光器件。本发明还提供了发光体，所述发光体包括由第一共用基底机械连接的第一发光器件，和由第二共用基底机械连接的第二发光器件，所述第一发光器件机械和电连接到所述第二发光器件。本发明还提供了一种发光体，包括机械互连的发光器件和用于机械和电连接多个发光器件以提供发光器件子组的串联阵列的元件，每个子组包括至少三个并联电连接的发光器件。
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