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公开(公告)号：CN103503132B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201180070578.9
申请日：2011-06-09
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L23/4952 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/115 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/06181 , H01L2224/29201 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40179 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83139 , H01L2224/8314 , H01L2224/83143 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84138 , H01L2224/84143 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2224/92157 , H01L2224/92246 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/83205 , H01L2224/37099
摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体装置。该半导体装置中，利用第1焊料（51）将第1引线（11）与MOS-FET（21）的下表面电极（23）进行接合，利用第2焊料（52）将MOS-FET的上表面电极（22）与内部引线（31）进行接合，利用第3焊料（53）将内部引线与第2引线的突起部（61）进行接合，并且第1引线、第2引线、MOS-FET以及内部引线通过密封树脂（41）来一体形成，在第1焊料的内部与第2焊料的内部设置支承构件（54）、（55），并通过自对准使内部引线与MOS-FET的位置稳定。
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公开(公告)号：CN104508949B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201280075083.X
申请日：2012-08-03
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H02K3/46
CPC分类号： H02K3/325 , H02K3/522 , H02K15/12 , H02K2203/12
摘要： 本发明获得能促进漆从线圈端的内周面含浸、并能提高线圈端的漆含浸率的旋转电机。在本发明的旋转电机中，具有主体部和一对导向部的树脂制的绕线管分别被配置成使该主体部的底面沿着该极齿的轴向两端面，所述一对导向部突设于该主体部的上表面的长度方向的两端，集中卷绕线圈是通过使导体线穿过由所述主体部和所述一对导向部形成的凹空间内、并绕着该极齿卷绕规定圈而构成的，漆积存槽凹设于该主体部的上表面并在所述一对导向部间延伸，在所述一对导向部的相对的壁面中的一方上，缺口以从该导向部的突出端到达根部并与所述漆积存槽连接的方式形成，漆含浸于所述集中卷绕线圈的所述主体部的轴向外侧的部分，并填充于所述漆积存槽及所述主体部的上表面与所述集中卷绕线圈之间。
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公开(公告)号：CN103339724B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180065986.5
申请日：2011-02-09
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/41051 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83411 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/07802 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 功率半导体模块(100)包括：电极板(2)，该电极板(2)一体形成有主体部(2a)与外部连接端子部(2b)，并且主体部(2a)配置在同一平面上；半导体元件(1)，该半导体元件(1)配置在主体部(2a)的一个面(装载面)(2c)上；以及树脂封装(3)，该树脂封装(3)将主体部(2a)的另一个面(散热面)(2d)露出，并利用树脂对电极板(2)的主体部(2a)及半导体元件(1)进行密封，该散热面(2d)与树脂封装(3)的底面(3a)形成同一平面。由此，能够提高散热性及可靠性，并能实现小型化。
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公开(公告)号：CN103503132A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201180070578.9
申请日：2011-06-09
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L23/4952 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/115 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/06181 , H01L2224/29201 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/30181 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/4007 , H01L2224/40095 , H01L2224/40179 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83139 , H01L2224/8314 , H01L2224/83143 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/84138 , H01L2224/84143 , H01L2224/84205 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2224/92157 , H01L2224/92246 , H01L2224/97 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552 , H01L2224/83205 , H01L2224/37099
摘要： 本发明的目的在于提供一种半导体装置。该半导体装置中，利用第1焊料（51）将第1引线（11）与MOS-FET（21）的下表面电极（23）进行接合，利用第2焊料（52）将MOS-FET的上表面电极（22）与内部引线（31）进行接合，利用第3焊料（53）将内部引线与第2引线的突起部（61）进行接合，并且第1引线、第2引线、MOS-FET以及内部引线通过密封树脂（41）来一体形成，在第1焊料的内部与第2焊料的内部设置支承构件（54）、（55），并通过自对准使内部引线与MOS-FET的位置稳定。
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公开(公告)号：CN103339724A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180065986.5
申请日：2011-02-09
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06051 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/40247 , H01L2224/4103 , H01L2224/41051 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83411 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/07802 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099
摘要： 功率半导体模块(100)包括：电极板(2)，该电极板(2)一体形成有主体部(2a)与外部连接端子部(2b)，并且主体部(2a)配置在同一平面上；半导体元件(1)，该半导体元件(1)配置在主体部(2a)的一个面(装载面)(2c)上；以及树脂封装(3)，该树脂封装(3)将主体部(2a)的另一个面(散热面)(2d)露出，并利用树脂对电极板(2)的主体部(2a)及半导体元件(1)进行密封，该散热面(2d)与树脂封装(3)的底面(3a)形成同一平面。由此，能够提高散热性及可靠性，并能实现小型化。
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公开(公告)号：CN103493200B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201180070201.3
申请日：2011-04-18
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/495 , H01L23/492 , B60L11/18 , B60L15/00
CPC分类号： H01L25/07 , B60L11/1803 , B60L15/007 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/3701 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H02K11/33 , H02M7/537 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要： 本发明的半导体装置包括：通过焊料（61）与第一基板（11）接合的第一MOS-FET（21）、通过焊料（64）与第二基板（12）接合的第二MOS-FET（22）、将第一基板（11）与第二MOS-FET（22）接合的第一引线（31）、以及将第二MOS-FET（22）与电流路径构件（13）接合的第二引线（32），该电流路径构件（13）从外部接受两个MOS-FET（21、22）的导通电流或将两个MOS-FET（21、22）的导通电流传输到外部，第二基板12的刚性高于两条引线（31、32）的刚性，而且，包含由两个MOS-FET（21、22）相对的间隙部（52）、并向两个MOS-FET（21、22）不相对的方向延伸的边界线（D-D）与第二基板（12）相交，而不与两条引线（31、32）相交。
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公开(公告)号：CN104508949A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201280075083.X
申请日：2012-08-03
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H02K3/46
CPC分类号： H02K3/325 , H02K3/522 , H02K15/12 , H02K2203/12
摘要： 本发明获得能促进漆从线圈端的内周面含浸、并能提高线圈端的漆含浸率的旋转电机。在本发明的旋转电机中，具有主体部和一对导向部的树脂制的绕线管分别被配置成使该主体部的底面沿着该极齿的轴向两端面，所述一对导向部突设于该主体部的上表面的长度方向的两端，集中卷绕线圈是通过使导体线穿过由所述主体部和所述一对导向部形成的凹空间内、并绕着该极齿卷绕规定圈而构成的，漆积存槽凹设于该主体部的上表面并在所述一对导向部间延伸，在所述一对导向部的相对的壁面中的一方上，缺口以从该导向部的突出端到达根部并与所述漆积存槽连接的方式形成，漆含浸于所述集中卷绕线圈的所述主体部的轴向外侧的部分，并填充于所述漆积存槽及所述主体部的上表面与所述集中卷绕线圈之间。
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公开(公告)号：CN103493200A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201180070201.3
申请日：2011-04-18
申请人： 三菱电机株式会社
CPC分类号： H01L25/07 , B60L11/1803 , B60L15/007 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49551 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/3701 , H01L2224/37147 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40247 , H01L2224/40249 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/48699 , H01L2224/73215 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/3511 , H02K11/33 , H02M7/537 , Y02T10/645 , Y02T10/7005 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05552
摘要： 本发明的半导体装置包括：通过焊料（61）与第一基板（11）接合的第一MOS-FET（21）、通过焊料（64）与第二基板（12）接合的第二MOS-FET（22）、将第一基板（11）与第二MOS-FET（22）接合的第一引线（31）、以及将第二MOS-FET（22）与电流路径构件（13）接合的第二引线（32），该电流路径构件（13）从外部接受两个MOS-FET（21、22）的导通电流或将两个MOS-FET（21、22）的导通电流传输到外部，第二基板12的刚性高于两条引线（31、32）的刚性，而且，包含由两个MOS-FET（21、22）相对的间隙部（52）、并向两个MOS-FET（21、22）不相对的方向延伸的边界线（D-D）与第二基板（12）相交，而不与两条引线（31、32）相交。
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