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公开(公告)号:CN104160493B
公开(公告)日:2017-03-22
申请号:CN201380012899.2
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,将多组功率单元在预定方向上排列配置,且将该多组功率单元一体地进行树脂封装,所述功率单元中,多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上,所述半导体装置中,在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体,其中,所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间,所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
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公开(公告)号:CN104160493A
公开(公告)日:2014-11-19
申请号:CN201380012899.2
申请日:2013-02-28
CPC classification number: H01L23/49575 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/498 , H01L23/49833 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01033
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法,将多组功率单元在预定方向上排列配置,且将该多组功率单元一体地进行树脂封装,所述功率单元中,多个半导体元件隔开预定的间隙而载置在金属板上,所述半导体装置中,在制造时填充的树脂流通的流路上的比预定位置靠树脂的流通方向下游侧的位置配置妨碍树脂向流通方向下游侧的流通的结构体,其中,所述流路位于在预定方向上彼此相邻配置的2个功率单元之间,所述预定位置是与隔开预定的间隙而载置的2个半导体元件中的位于接近树脂的流入口的一侧的近方半导体元件的该流入口侧的相反侧的端部对应的位置。
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公开(公告)号:CN1992259A
公开(公告)日:2007-07-04
申请号:CN200610171161.2
申请日:2006-12-25
Applicant: 株式会社电装
Inventor: 持田晶良
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/49537 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/40137 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件包括:具有彼此面对的内表面的第一和第二金属电极(3、4);夹在电极(3、4)之间的半导体元件(1、2);以及分别设置在电极(3、4)上并且与半导体元件(1、2)相对的第一和第二绝缘基板(5、6)。每个绝缘基板(5、6)由陶瓷制成。电极(3、4)中至少一个包括在平行于层叠方向的方向上层叠的多个层(3a、3b、4a、4b)。设置在半导体元件侧的一层(3b、4b)具有的热膨胀系数比设置在绝缘基板侧的另一层(3a、4a)的热膨胀系数高。
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公开(公告)号:CN1901187A
公开(公告)日:2007-01-24
申请号:CN200610105973.7
申请日:2006-07-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/32245 , H01L2225/1029 , H01L2225/1094 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件,其包括第一和第二半导体封装。每个半导体封装包括半导体元件,多个电极构件以及密封构件。半导体元件设置在所述各自的电极构件之间,并且所述电极构件与所述各自的半导体元件电通信并且为所述各自的半导体元件提供热传递。所述密封构件将所述各自的半导体元件密封在所述各自的电极构件之间,并且每个电极构件的外表面从所述各自的密封构件露出来。每个半导体封装包括电耦合到所述电极构件之一,并且朝外延伸从而从所述各自的密封构件露出来的连接端子。所述连接端子通过邻接或经由导电接合材料而电连接。
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公开(公告)号:CN100527411C
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200610105973.7
申请日:2006-07-21
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/31
CPC classification number: H01L25/105 , H01L2224/32245 , H01L2225/1029 , H01L2225/1094 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种半导体器件,其包括第一和第二半导体封装。每个半导体封装包括半导体元件,多个电极构件以及密封构件。半导体元件设置在所述各自的电极构件之间,并且所述电极构件与所述各自的半导体元件电通信并且为所述各自的半导体元件提供热传递。所述密封构件将所述各自的半导体元件密封在所述各自的电极构件之间,并且每个电极构件的外表面从所述各自的密封构件露出来。每个半导体封装包括电耦合到所述电极构件之一,并且朝外延伸从而从所述各自的密封构件露出来的连接端子。所述连接端子通过邻接或经由导电接合材料而电连接。
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公开(公告)号:CN100517696C
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200610171161.2
申请日:2006-12-25
Applicant: 株式会社电装
Inventor: 持田晶良
CPC classification number: H01L23/4334 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/49537 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/36 , H01L24/40 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/40137 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48472 , H01L2224/4903 , H01L2224/49051 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/351 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件包括:具有彼此面对的内表面的第一和第二金属电极(3、4);夹在电极(3、4)之间的半导体元件(1、2);以及分别设置在电极(3、4)上并且与半导体元件(1、2)相对的第一和第二绝缘基板(5、6)。每个绝缘基板(5、6)由陶瓷制成。电极(3、4)中至少一个包括在平行于层叠方向的方向上层叠的多个层(3a、3b、4a、4b)。设置在半导体元件侧的一层(3b、4b)具有的热膨胀系数比设置在绝缘基板侧的另一层(3a、4a)的热膨胀系数高。
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