-
公开(公告)号：CN100505257C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510082035.5
申请日：2005-07-05
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 马克·C.·哈克 , 马克·E.·马斯特斯 , 利亚·M.·P.·帕斯特尔 , 戴维·P.·瓦尔莱特
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G01R31/2884 , H01L27/088 , H01L27/286 , H01L29/0673 , H01L29/78 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , Y10S977/761 , Y10S977/762 , Y10S977/765
摘要： 一种集成电路的形成方法和结构，它包括第一晶体管和靠近第一晶体管的嵌入式碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)，其中CNT FET的形成尺寸小于第一晶体管。该CNT FET适于检测来自第一晶体管的信号，其中该信号包括温度、电压、电流、电场和磁场信号的任一种。而且，该CNT FET适于检测集成电路中的应力和应变，其中该应力和应变包括机械应力和应变与热应力和应变中的任一种。另外，该CNT FET适于检测集成电路中的有缺陷电路。
-
公开(公告)号：CN101689581B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200880022465.X
申请日：2008-06-25
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/101
CPC分类号： G02B6/4202 , B82Y20/00 , G02B6/305 , G02B6/4236 , H01L31/03529 , Y02E10/50 , Y10S977/765
摘要： 公开了一种基于纳米线的光电二极管(100，200，300，400)。所述光电二极管包括具有锥形第一端部(106，206，306，406)的第一光波导(102，202，302，402)、具有锥形第二端部(110，210，310，410)的第二光波导(104，204，304，404)以及至少一个包括至少一种半导体材料、以桥接配置连接所述第一端部和第二端部(108，112，208，212，308，312，408，412)的纳米线(114，214，314，414)。还公开了制作所述光电二极管的方法。
-
公开(公告)号：CN101356115A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200580052491.3
申请日：2005-11-29
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： C23C18/14 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02422 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/02675 , H01L29/0665 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/722 , Y10S977/723 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/775 , Y10S977/776 , Y10S977/777
摘要： 形成纳米尺寸簇群的本发明方法包括：引入含簇群形成材料的溶液到基片材料中所含的天然或人造源的纳米孔隙中，并随后曝光所述溶液到激光辐射脉冲的作用下，其方式是，低温等离子体在其存在的区域中产生气态介质，其中在等离子体冷却的同时，利用它在液态基片上产生的结晶，簇群材料返回成纯材料，从而形成与基片材料连接的单晶量子圆点。所述方法可以形成二维和三维簇群栅格以及由不同材料互相连接的簇群。本发明还能在基片的纳米孔腔中制作不同材料的布线以及从玻璃上分布的有机材料的溶液微滴中制作量子圆点。
-
公开(公告)号：CN1738044A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510082035.5
申请日：2005-07-05
申请人： 国际商业机器公司
发明人： 马克·C.·哈克 , 马克·E.·马斯特斯 , 利亚·M.·P.·帕斯特尔 , 戴维·P.·瓦尔莱特
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , G01R31/2884 , H01L27/088 , H01L27/286 , H01L29/0673 , H01L29/78 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , Y10S977/761 , Y10S977/762 , Y10S977/765
摘要： 一种集成电路的形成方法和结构，它包括第一晶体管和靠近第一晶体管的嵌入式碳纳米管场效应晶体管(CNT FET)，其中CNT FET的形成尺寸小于第一晶体管。该CNT FET适于检测来自第一晶体管的信号，其中该信号包括温度、电压、电流、电场和磁场信号的任一种。而且，该CNT FET适于检测集成电路中的应力和应变，其中该应力和应变包括机械应力和应变与热应力和应变中的任一种。另外，该CNT FET适于检测集成电路中的有缺陷电路。
-
公开(公告)号：CN104969000A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201380054833.X
申请日：2013-08-12
申请人： 哈佛大学校长及研究员协会 , 立那工业股份有限公司
CPC分类号： H01L27/14621 , B82Y20/00 , G02B5/201 , G02B5/207 , G02B5/287 , H01L27/14645 , H01L27/14685 , H01L31/028 , Y10S977/765 , Y10S977/932 , F21V9/08 , C30B25/04 , H01L29/0646
摘要： 一种光学仪器，包括具有纳米线阵列的光学滤光片，纳米线垂直于滤光片的光入射表面取向，其中光学滤光片透射入射到入射表面上的第一波长的光，其中第一波长基于纳米线的截面形状。纳米线使用单个光刻步骤产生。成像设备及其制造方法，该设备包括在衬底上形成的纳米线阵列，其中纳米线阵列中至少一个纳米线包括光电元件以至少部分地基于该至少一个纳米线吸收的入射光子产生光电流。
-
公开(公告)号：CN101356115B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200580052491.3
申请日：2005-11-29
IPC分类号： B82B3/00
CPC分类号： C23C18/14 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/02422 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/02675 , H01L29/0665 , Y10S977/70 , Y10S977/701 , Y10S977/712 , Y10S977/72 , Y10S977/721 , Y10S977/722 , Y10S977/723 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/775 , Y10S977/776 , Y10S977/777
摘要： 形成纳米尺寸簇群的本发明方法包括：引入含簇群形成材料的溶液到基片材料中所含的天然或人造源的纳米孔隙中，并随后曝光所述溶液到激光辐射脉冲的作用下，其方式是，低温等离子体在其存在的区域中产生气态介质，其中在等离子体冷却的同时，利用它在液态基片上产生的结晶，簇群材料返回成纯材料，从而形成与基片材料连接的单晶量子圆点。所述方法可以形成二维和三维簇群栅格以及由不同材料互相连接的簇群。本发明还能在基片的纳米孔腔中制作不同材料的布线以及从玻璃上分布的有机材料的溶液微滴中制作量子圆点。
-
公开(公告)号：CN101689581A
公开(公告)日：2010-03-31
申请号：CN200880022465.X
申请日：2008-06-25
申请人： 惠普开发有限公司
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/101
CPC分类号： G02B6/4202 , B82Y20/00 , G02B6/305 , G02B6/4236 , H01L31/03529 , Y02E10/50 , Y10S977/765
摘要： 公开了一种基于纳米线的光电二极管(100，200，300，400)。所述光电二极管包括具有锥形第一端部(106，206，306，406)的第一光波导(102，202，302，402)、具有锥形第二端部(110，210，310，410)的第二光波导(104，204，304，404)以及至少一个包括至少一种半导体材料、以桥接配置连接所述第一端部和第二端部(108，112，208，212，308，312，408，412)的纳米线(114，214，314，414)。还公开了制作所述光电二极管的方法。
-
公开(公告)号：CN1507661A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02809601.0
申请日：2002-03-29
申请人： 加利福尼亚大学董事会
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02B6/107 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L24/45 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/125 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L35/00 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/183 , H01L2224/45565 , H01L2224/45599 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01084 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01S5/341 , H01S5/3412 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/951 , Y10T428/24994 , Y10T428/249949 , Y10T428/29 , Y10T428/2913 , Y10T428/2916 , Y10T428/292 , Y10T428/2933 , Y10T428/2958 , Y10T428/2973 , Y10T428/298 , H01L2924/00011 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要： 一维纳米结构具有小于约200nm的均匀直径。这些发明的纳米结构，我们称之为“纳米线”，包括至少两种单晶材料的单晶同质结构和异质结构，所述单晶材料具有不同化学成分。由于单晶材料用于形成异质结构，因此得到的异质结构将也是单晶的。该纳米线异质结构一般基于半导电线，其中在纵向或径向、或者在这两个方向控制掺杂剂和成分，以便制造包括不同材料的线。得到的纳米线异质结构的例子包括纵向异质结构纳米线(LOHN)和同轴异质结构纳米线(COHN)。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.016 秒)
